H01L 29/36 — характеризуемые концентрацией или распределением примесей

Номер патента: 190489

Опубликовано: 01.01.1967

МПК: H01L 29/36

Метки: 190489

...слоя кристаллов. 1Предложенный способ отличается от из. вестных тем, что в кристаллы кремния перед отжигом вводят донорную примесь в концентрациях от 0,1 до 0,4 к концентрации атомов алюминия или бора, содержащихся в крем нии. Способ позволяет значительно увеличить сопротивление приповерхностного слоя кристаллов кремния и тем самым повысить электропрочность и к.п.д. диодов.Для изготовления кристаллов в кремний с 2 концентрацией алюминия или бора от 10 т 9 до 10 тт см 3 вводят донорную примесь, например фосфор, мышьяк или сурьму в соотношении от 0,1 до 0,4 к концентрации атомов алюминия или бора, затем слиток режут на пластины и проводят их высокотемпературный отжиг.Предлагаемый способ увеличивает в 5 - 10 раз эффективность...

Номер патента: 360800

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Иностранна, Иностранцы, Шиничи, Юкио

МПК: H01L 29/36

Метки: полупроводниковый, прибор

...не 1 К 10" структурои - полупроцелью полу- высоких чаиспользован в диапазоор соонтактчто, ссверхдинкаримеси жит полупроводник тве базы, металлич Зависимый от патентаИзобретение относится к полупроводниковым приборам.Известны полупроводструктурой металл -такт - полупроводник, Оне может использоватьстора колебаний сверхвыДля возбуждения колсверхвысоких частот врой металл - выпрямлялупроводник предлагаетиспользовать германиевуцентрацией примеси,в дК 10 те 1/смв.Эта концентрация примобеспечивает такую толщобразованного на перехои полупроводником, кототепловой пробой прибора.На чертеже показан предлагаемый прибор 2 в разрезе.Прибор содер о юпд ложку 1 в качес е ников ые прибор о выпрямляющий нднако ни один и х 5 я в качестве ге расоких...

Номер патента: 546046

Опубликовано: 05.02.1977

Авторы: Морозов, Сонин

МПК: H01L 29/36

Метки: полупроводниковый, стабилитрон

...соответствующими омическими контактами 4 - 6.Конта,кты 4 и 6 присоединены соответственно к (положительному и отрицательному полюсам источника нестабилизиркхванного напряжения (на чертеже не показан). Стабилизированное налряжение снимается с контактов 4 и 5.Напряжение пробоя данной полупроводниковой структуры определяется напряжениемпробоя р - и перехода между областями 1 и 2.Когда входное напряжение, подаваемое между контактами 4 и 6, ниже напряжения про 20боя р - и перехода между областями 1 и 2, послою 3 протекает незначительный ток. Когдавходное напряжение превышает напряжениепробоя р - и перехода между областями 1 и 2,ток, протекающий по слою 3, резко возрас 25тает, что приводит,к повышению солропивления слоя, Возникающее...

Номер патента: 1355061

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Лепилин, Мамичев, Прокофьев, Урицкий

МПК: H01L 29/36

Метки: мдп-транзистор

МДП-ТРАНЗИСТОР , содеpжащий полупpоводниковую подложку, pасположенные в ней область канала пеpвого типа пpоводимости, область стока и истока втоpого типа пpоводимости, электpод затвоpа, pасположенный на слое диэлектpика, пеpекpывающий область канала и частично области стока и истока, отличающийся тем, что, с целью уменьшения минимального напpяжения на стоке, обеспечивающего pаботу тpанзистоpа пpи кpиогенных темпеpатуpах, концентpация легиpующей пpимеси в частях областей стока и истока на гpанице пеpекpытия их затвоpом не ниже значения, соответствующего выpождению полупpоводниковой подложки.

Номер патента: 1101098

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Асина, Белоногова, Дерменжи, Кузьмин, Рухамкин, Уверская, Юдицкий

МПК: H01L 29/36, H01L 29/86

Метки: быстровосстанавливающийся, диод, силовой

Силовой быстровосстанавливающийся диод, содержащий в базовой области рекомбинационную примесь, концентрация которой уменьшается от эмиттера вглубь базы, отличающийся тем, что, с целью уменьшения коммутационного перенапряжения и обратного тока утечки при сохранении нагрузочных характеристик в проводящем состоянии, в качестве рекомбинационной примеси вводят платину, распределение концентрации которой удовлетворяет следующим условиям:;0,3 NB Npt(xj) ...