Способ получения эпитаксиальных слоев полупроводников
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 525380
Авторы: Болховитянов, Мельников, Строителев
Описание
Заявка
2075604/25, 13.11.1974
Институт физики полупроводников СО АН СССР
Строителев С. А, Болховитянов Ю. Б, Мельников П. Л
МПК / Метки
МПК: H01L 21/368
Метки: полупроводников, слоев, эпитаксиальных
Опубликовано: 20.06.2000
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-525380-sposob-polucheniya-ehpitaksialnykh-sloev-poluprovodnikov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения эпитаксиальных слоев полупроводников</a>
Предыдущий патент: Силовой полупроводниковый прибор с прижимными контактами
Следующий патент: Пожарный извещатель
Случайный патент: Устройство для исследования электронных пусков