Способ получения эпитаксиальных слоев полупроводников

Номер патента: 525380

Авторы: Болховитянов, Мельников, Строителев

Описание

Способ получения эпитаксиальных слоев полупроводников из раствора-расплава при постоянной температуре роста, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности эпитаксиальных слоев, раствор через определенные промежутки времени (1 - 100 с) вводят в контакт попеременно с источником и подложкой, причем температуру раствора при контакте с подложкой поддерживают на 0,5 - 10oC ниже, чем при контакте с источником.

Заявка

2075604/25, 13.11.1974

Институт физики полупроводников СО АН СССР

Строителев С. А, Болховитянов Ю. Б, Мельников П. Л

МПК / Метки

МПК: H01L 21/368

Метки: полупроводников, слоев, эпитаксиальных

Опубликовано: 20.06.2000

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-525380-sposob-polucheniya-ehpitaksialnykh-sloev-poluprovodnikov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения эпитаксиальных слоев полупроводников</a>

Похожие патенты