Уверская

Сплав для омических контактов кремниевых структур

Номер патента: 1746846

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Зенцов, Козлов, Кузьмин, Уверская

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, кремниевых, омических, сплав, структур

Сплав для омических контактов кремниевых структур, содержащий кремний, никель, фосфор, алюминий, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода выпрямительных элементов на основе кремниевых структур на операции сплавления путем повышения технологической пластичности при одновременном снижении максимальной величины локального отклонения пиков вплавления относительно плоскости фронта вплавления силумина в кремний, он содержит указанные компоненты в следующем соотношении, мас.%:Кремний - 15 - 22Никель - 0,025 - 0,2Фосфор - 0,0022 - 0,02Алюминий - Остальное

Силовой быстровосстанавливающийся диод

Номер патента: 1101098

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Асина, Белоногова, Дерменжи, Кузьмин, Рухамкин, Уверская, Юдицкий

МПК: H01L 29/36, H01L 29/86

Метки: быстровосстанавливающийся, диод, силовой

Силовой быстровосстанавливающийся диод, содержащий в базовой области рекомбинационную примесь, концентрация которой уменьшается от эмиттера вглубь базы, отличающийся тем, что, с целью уменьшения коммутационного перенапряжения и обратного тока утечки при сохранении нагрузочных характеристик в проводящем состоянии, в качестве рекомбинационной примеси вводят платину, распределение концентрации которой удовлетворяет следующим условиям:;0,3 NB Npt(xj) ...

Способ изготовления силовых быстровосстанавливающихся диодов

Номер патента: 1595274

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Абросимова, Асина, Ковешников, Сурма, Уверская, Чернякин

МПК: H01L 21/26

Метки: быстровосстанавливающихся, диодов, силовых

Способ изготовления силовых быстровосстанавливающихся диодов, включающий облучение диодных структур ускоренными электронами с энергией 1 - 3 МэВ, дозой 5 1013 - 5 1014 см2 и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности труда, отжиг проводят в нестационарном режиме импульсом некогерентного света от галогенных ламп накаливания, причем нагрев проводят со скоростью 1,7 - 1,9oC/с в течение импульса засветки 170 - 190 с от 20

Способ получения силумина для полупроводниковой техники

Номер патента: 1782053

Опубликовано: 10.03.1996

Авторы: Зенцов, Козлов, Кузьмин, Уверская

МПК: C22C 1/02

Метки: полупроводниковой, силумина, техники

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СИЛУМИНА ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ТЕХНИКИ, включающий приготовление расплава алюминия, нагрев до 800 - 900oС, введение в расплав кремния и модифицирование никелированием кремнием, выдержку расплава в течение 10 - 20 мин и охлаждение, отличающийся тем, что, с целью повышения механических свойств силумина, никелированный кремний вводят в количестве 10 - 50% от общей массы вводимого кремния, причем соотношение массы никеля к массе кремния в никелированном кремнии составляет 1/50 - 1/80.

Способ получения модификаторов для силуминов

Загрузка...

Номер патента: 1793742

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Зенцов, Козлов, Кузьмин, Уверская

МПК: C22C 1/06

Метки: модификаторов, силуминов

...расплав алюминия, образуетйА 1 з. Указанная фаза повышает прочностьсплава, увеличивая его технологичность иявляется модификатором, способствующимсовместно с фосфором измельчению частицкрем.ния,Никель в указанных количествах не приводит к снижению электрических свойстввыпрямительных элементов из-эа своихфизико-химических свойств. При этом модифицирующий эФФект Фазы ВАз превосходит неблагоприятное влияние никеля вСПЛаВЕ В кОЛИЧЕСтаак, ДОПУСТИМЫХ ЕгО СОдержанием,При отношении массы осажденного наповерхности кремниевых пластин никельфосфорного сплава в массе кремния более1/50 эффект модифицирования практически не увеличивается, однако повышаетсяколичество нйкеля в сплаве, что приводит кего охрупчиванию и снижению электрических свойств...