H01L 23/02 — корпуса; уплотнения

Номер патента: 159202

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: H01L 23/02, H01L 23/08

Метки: 159202

...корпуса 1, опорной изолирующей шайбы 2, внутреннего проводника 3 с контактной пружиной 4 и полупроводникового элемента 5, укрепленного в крцсталлодержателе о.Опорная шайба выполнена из пеностекла, имеет спаи с посеребренным внутренним проводником 3 и втулкой, сделанными цз ковара. Закрепление опор ой ш;йбы в корпусе 1 производится путем пайки мягГим припоем, что обеспечивает полную герметичность диода со стороны выВОДа. ГЕРМЕтИЗаЦИЯ СО СТОРОНЫ и 01 СтасчЛОДЕРжатЕЛЯ ПРОИЗВОДИТСЯ ВПайкОЙ посерсОреннОГО лат 1 нного диска 7 также мягюм припОСМ.В качестве контактцоц пары в диоде применены металлургический кремний р- типа, легцровацный алюминием, и вольфрамовая контактная пружина 4.Опорная шайба из пецостекла, обладая малым коэффициентом ;1...

Номер патента: 168800

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Всг, Гьх, Невежин, Онуприенко, Поспелов

МПК: H01L 23/02, H01L 23/04, H01L 23/08 ...

Метки: корпус, металло-стеклянный, полупроводниковых, приборов

...с проходным стеклянным изолятором и с тремя электрическими выводами, фланец которой имеет тарельчатую форму, и баллона, герметично соединенного с фланцем ножки, отличающийся тем, что, с целью повышения герметичности корпуса и надежности металло- стеклянного спая, сплошное отверстие для выводов прибора во фланце ножки имеет форму треугольника со скругленными углами. одписная группа М 97 Известны металло-стеклянные корпуса для полупроводниковых приборов, состоящие из ножки с проходным стеклянным изолятором и с тремя электрическими выводами, фланец которой имеет тарельчатую форму, и баллона, герметично соединенного с фланцем ножки.Предложенный металло-стеклянный корпус для полупроводниковых приборов отличается от извесвных тем, что...

Номер патента: 186567

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Дроздов, Зотов, Ленин

МПК: H01L 23/02, H01L 23/04

Метки: полупроводниковых, фланец, элементов

...фланец для полупроводниковых элементов имеет меньший вес и позволяет локализовать нагрузки, возникающие при холодной сварке, Нижняя поверхность разгрузочной канавки и нижняя поверхность буртика параллельны одна другой и расположены на расстоянии не более 0,1 толщины буртикаНа чертеже изображен предлагаемый фланец,Монтаж полупроводниковых переходов осуществляется на плоскости 1 фланца. Фланец имеет разгрузочную канавку 2 и сварочный буртик 3. Поверхность 4 разгрузочной кана ки и поверхность 5 сварочного буртика и раллельны одна другой, и расстояние межд ними не превышает 0,1 толщины буртика. Предмет изобретенияФланец для полупроводниковых элементовс плоскостью для монтажа полупроводниковых переходов, содержащий разгрузочную ка навку...

Номер патента: 357626

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Дунаев, Сидоров

МПК: H01L 23/02, H01L 23/14

Метки: крепления, полупроводпикового, прибора

...Причиной этого являет ся различие в коэффициентах объемного расширения материалов, используемых для крепления. При нагреве полупроводникового прибора под ним образуется излишек вязкого вещества, который выбивается из контактной 20 зоны и не возвращается обратно при восстановлении первоначальной температуры, в результате чего возникают полости, заполненные воздухом. Дальнейшее понижение рабочей температуры влечет за собой увеличение этих 25 воздушных полостей.Цель изобретения - расширение рабочего диапазона температур.Цель достигается тем, что по предлагаемому способу электроизолирующую перфориро ванную прокладку выполняют из упругого материала, например резины.При заполнении ячеек прокладки вязким теплопроводящим веществом...

Номер патента: 371637

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Павлынив, Романовский, Туцкий

МПК: H01L 23/02, H01L 23/16

Метки: 53uiv"jt, a^lfsofii, f-lha, гг, контак11швуг, прокладка, сr-^b, союзная, тепловых, электрических

...в устзо ройствях, раоотающих в режиме цикличеСки,3изменяющихся тепловых или электрических нагрузок, например в силовых управляемых полупроводниковых вентилях.На чертеже изображена контактная прокладка для разъемного контакта с механическим прижимом применительно к силовому полупроводниковому вентилю на выпрямленный ток 200 а.Внутренний слой 1 выполнен из сплава висмута, олова, свинца, кадмия (сплав Гутри), имеющего температуру плавления 45 С, т. е. ниже рабочей температуры вентиля, работающего в режиме номинальной токовой нагрузки (80 - 100 С).Герметизирующая оболочка 2 выполнена из меди или других металлов с хорошими тепло- и электропроводностью и с коэффициентом теплового расширения, согласованным со значениями этого коэффициента...

Номер патента: 427425

Опубликовано: 05.05.1974

Авторы: Клименский, Ромашов

МПК: H01L 23/02, H01L 23/06

Метки: интегральных, керамических, корпусов, оснований, схем

...по известной толстопленочнойтонкопленочной технологии. Изобретение относится к раной технике.Известен способ изготовлениских оснований корпусов интегрс вакуумплотными проходнымииспользованием металлизациипоследующей их пайки.,Предлагаемый способ отличазаготовки керамических корпусформы подвергают обжигу, нанометаллизированные выводы, сообожженными керамическимиподвергают совместному обжигуобожженной керамики. Это позввакуумплотные выводы в основа оби- пооэлект о ллия керамиче альных схе выводами с отверстий необож- кольца оожига утренний бы полул) после ется тем, что ов дисковой сят по торцу бирают с не- кольцами и в режиме неоляет создать нии. га- чаных или На фиг. 1 изображ с металлизацией и нео фиг. 2 представлена п...

Номер патента: 475691

Опубликовано: 30.06.1975

Автор: Коротков

МПК: H01B 5/14, H01L 23/02

Метки: диода, патрон, туннельного

...генерации достигается выполнением контактных элементов в виде колпачков с винтовой нарезкой, установленных ца металлических вкладышах, между которыми размещена токопроводящая шайба, отделенная от одного из вкладышей диэлектрической прокладкой.На чертеже изображен описываемый патдиода в схему, вып3 с винтовой нарезкталлических вкладыудерживаются в обоконтакт между вклада обеспечивается вшами размещена швкладыша 4 диэлекОбкладками кондедиод, служат шайбаАналогично можедля диода, которыйной генерации шунтсопротивлением. тзоб ет Предметр енияПатрон для туннельного диода, выполненный в виде цилиндрической обоймы, с противоположных сторон которого размещены коц- О тактные элементы, служащие для включениядиода, о т л и ч а ю щ и й с я...

Номер патента: 836708

Опубликовано: 07.06.1981

Авторы: Иванов, Куликов, Молчанов

МПК: H01L 23/02

Метки: корпус, прибора

...на крышке корпуса через изолятор и образующим совместно с изолированным электродом разрядник.На чертеже изображен корпус прибор аеОн состоит из металлического основания 1, металлической крышки 2, Внутри корпуса расположены два электрода 3 разрядника, которые проходят через диэлектрические изоляторы в крышке. Крышка 2 выполнена так, что обеспечивает герметизацию корпуса.Устройство работает следующим образом. К разряднику, образованному электро дами 3, находящемуся вместе с полу проводниковым кристаллом в общей полости, ограниченной корпусом, подают испытатепьное напряжение и фиксируют напряжение начала ионизации с помощью известной аппаратуры. Это значение напряжения сравнивается с первоначальным которое получается в процессе...

Номер патента: 978235

Опубликовано: 30.11.1982

Авторы: Горюнов, Дулов, Мулев, Сергеев, Широков

МПК: H01L 23/02

Метки: гребенчатой, мощный, структурой, транзистор

...основания эмиттерных дорожек к их концу, причем угол наклона верхней плоскости прокладки к основанию определяется из соотношения,Х Хлогично, поэтому функцию Их) =-- , ап. я,йЭ с Т(о )81 и о =0,58л л ,л где 3 о - предельно допустимый или номинальный ток для данного .типатранзисторов; ным отклонением Х"Г хпрямой Х = 1+Б ) где Т(о) - температура в точках х = 0;ДТ(х) - величина превышения температуры перехода в точках с координатой х над температурой Т (о ) .Условие 3(х):сопв 1 означает, что уве личение падения напряжения на сопротивлении металлизации с ростом х компенсируется возрастанием температуры полностью, так что выражение под знаком ехр в формуле (1) не зависит от х, т.е. 15 20где С - некоторая константа,откуда после некоторых...

Номер патента: 971046

Опубликовано: 23.05.1983

Авторы: Бовкун, Метелкин, Павлова, Парилова

МПК: H01L 23/02

Метки: корпусов, транзисторов

...рисунок металлиэации наносят толщиной 1-3 мкм, ваигают ее при 1300-1350 С, а пайкуведут под давлением 0,5-1,5 кгс/ммн течение 1-5 мин.Тонкая металлизация 1-3 мкм обеспечивает снижение теплового сопро"тивления (хороший теплоотвод) и высокую точность геометрических размеров, а такае малые величины паразитных параметров. Ваиганием обеспечивается хорошее, механически прочное,соединение слоя металлиэации, в пре делах от 1300 до 1350 С обеспечивает ся необходимая адгеэия слоя к керамическому основанию беэ изменения свойств керамики, что могло бы иметь место при более высокой температуре, При нагреве до 1300 С адгеэия недостаточна. Осуществление пайки под действием сжимающего усилия 0;5- 1,5 кгс/ммопределяется тем что при давлении меньше...

Номер патента: 1007547

Опубликовано: 15.05.1985

Авторы: Байкова, Земцов, Кулагин, Лукашкин, Рассохин

МПК: H01L 23/02

Метки: полупроводниковый, прибор

...тю р и 3 Я11 я и с н иж Р ц и е Б с с:1 ц р и б 0 р;1 при сохГ)днРнии еО элРктричских и с)Отоетрических Гдряметрс 3 и 01)ь: - шеции тсзхнс)еогичности конг трукциц.ПОстд е)лРннля цРль Ос. ти ЯР тс 5 тем, что н полупрси)одиковом;рибс - РЕ, СОДЕРжаЩЕМ ПОс:КИЕ ЦЛПРЫЦЕ)РЦЦЬЬС В Одну с тороу Выводы рамо:101 Р ти - па, полупроводниковый крис.тдзл, закрепленный на одном из ныно;он,проволс.чцые перемычки между кристдц -лом и другими ньнс)дяыи и плстмдгг" 115) вый корпус, концы нь 30 ое, цлходяЬих - ся в пластмассовом корпусе, цьп)ц - ны в виде площадок различной конььцгурации, образующих н сое)осупс)с п диск с прорезями н ниде ломлцых линий. При этом любой угол, образов)в ныЙ Вых Од н 1 ем а с тк Ом и р 0 р Р:3 и с ц 51- правлением выводов не...

Номер патента: 1167674

Опубликовано: 15.07.1985

Автор: Домбровский

МПК: H01L 23/02

Метки: корпус, полупроводниковых, преимущественно, приборов

...сборку крышки с электродом, а затем осуществить конечную герметизацию (самогерметизацию) корпуса прибора (перфорированной прокладкой и прокладкой, расположенной на наружном диаметре кольцевого буртика электрода) при определенной температуре. Сборку корпуса полупроводникового прибора по первому варианту (фиг. 1) осуществляют следующим образом.На площадку 13 электрода 1 крепят полупроводниковую структуру 14 с выводом 15. Затем в кольцевой паз 1 электрода 1 помещают охлажденное до температуры близкой к температуре жидкого азота нижнюю перфорированную прокладку 8 кольцеобразного держателя 5. После этого крышку 3 перетяжкой 10 помещают в кольцевой паз 11 электрода 1, в образовавшийся кольцевой зазор между наружным диаметром...

Номер патента: 1220145

Опубликовано: 23.03.1986

Автор: Левицкий

МПК: H01L 23/02, H05K 7/20

Метки: полупроводниковых, преимущественно, приборов, радиатор

...стороны и выполненными Я. -образного сечения, лепестки образованыпрорезями 3, выполненными в среднейчасти пружинного разрезного кольца 1.Расстояние между торцами 4 и 5 Н,причем профилированные лепестки 2имеют внешнюю 6 и внутреннюю 7 поверхность. Кольцо 1 устанавливаетсясвоей внутренней поверхность б Е накорпусе 9 полупроводникового прибора35и соединяется с ним теплопроводящим связующим слоем 10, например,в виде клея, припоя с возмсжностьюобразования между корпусом 9 и внутренними поверхностями 7 лепестков 24 Озазоров 11.Устройство работает следующимобразом,В процессе работы полупроводникового прибора выделяется тепло что приводит к конвективному теплообмену. Полупроводниковый прибор с установленным на нем радиатором...

Номер патента: 1368933

Опубликовано: 23.01.1988

Авторы: Клубкова, Молчанов, Никитин, Олехнович

МПК: H01L 23/02

Метки: корпусов, микросхем, оснований

...оснований,Режим второй стадии спекания подобрантаким образом, что окисная пленка наметаЛлической арматуре оснований, полученная на режиме выжигания связки 45при температуре Т=620 С, восстанавливается частично в г ервой, второй и третьей зонах, и оставшаяся тонкая окисная пленка надежно спаивается со стеклом без снижения прочности 25 Использование предлагаемого способапозволит повысить качество и надеж ность корпусов микросхем и сэкономитьдефицитные химические материалы (азотную, серную, соляную, лимонную кислоты). Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии изготовления корпусов микросхем.Цель изобретения - повышение качества и надежности корпусов микросхем, экономия дефицитных химических матеспая,П р и м е р,...

Номер патента: 1040983

Опубликовано: 23.05.1989

Авторы: Базжин, Фридман

МПК: H01L 23/02

Метки: гибридная, интегральная, микросхема

...а элементы межслойной коммутации выполнены в виДе слоевприпоя, расположенных на контактных площадках. рическое основание, слои пассивныхэлементов, разделяющие их слои диэлектрика, элементы межслойной коммутации и навесные активные элементы.Недостатком известной конструкцииявляется низкая надежность схемЫ,обусловленная высокими значениями-температурных коэффициентов сопротивления (ТКС) и плохой временнойстабильностью пассивных элементов,а также нарушением элементов межслойной коммутации в виде молибденовыхстолбиков из-за коробления и усадкикерамических подложек в процессетермических операций,Цель изобретения - повышение надежности гибридных интегральных микросхем,Цель достигается тем, что в гибвключающей диэлектрическ ое осн ов ание,...

Номер патента: 1499418

Опубликовано: 07.08.1989

Авторы: Знаменский, Мещанинов, Ремизов, Фролов, Язовцев

МПК: H01L 23/02

Метки: герметичный, корпус, микросхемы

...именно к микроэлектронной радиоаппаратуре, и может бытьиспользовано для размещения интегральных или гибридных микросхем изащиты их от проникновения влаги иагрессивных сред из окружающей средыЦелью изобретения является повышение надежности в условиях воздействия циклических температур.На фиг. 1 показан герметичныйкорпус, вид со стороны окна; нафиг2 - то же, поперечный разрез; 15на фиг. 3 - схема действия растягивающих сил на диэлектрический материал в окне.Герметичный корпус микросхемысодержит алюминиевое основание 1 20с алюминиевой крышкой 2, припаяннойк основанию 1, В стенках основанияс четырех сторон сформированы окна 3прямоугольного сечения, стенки 4которых выступают снаружи основаниякорпуса 1. В окна заведены электрические выводы 5....

Номер патента: 1559383

Опубликовано: 23.04.1990

Автор: Маланкин

МПК: H01L 23/02

Метки: интегральной, корпус, микросхемы

...конструкцию корпуса от появления трещин, 3 ил, 1 табл. ВК, с припаянным к металлокерами ческому спаю 2 с образованием герме тицного шва металлическим ободком 3 из материала 29 НК или 12 Н и крышку 4 из того же материала. Между ободком 3 и основанием 1 по всему периметру ободка со стороны внешней бо" ковой поверхности имеется зазор 5. Кристалл 6 с микросхемой расположен на диэлектрическом основании 1 корп са и соединен с выводами 7 проволоч ными перемычками 81559383 Величина воздушного зазора для материала ободка, ммЙ 2 Н 29 НК 5 10 3 х 10 0,60 0,38 Корпус используется следующим образом,При выполнении в ободке корпуса зазора по его внешнему периметру гер" метизацию производят сваркой крышки к ободку корпуса, При этом возникает...

Номер патента: 1812581

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Зак, Лепешкин

МПК: H01L 23/02

Метки: герметичный, корпус, микроэлектронного, прибора

...5 микроэлектронного прибора имеет значиосуществляется следующим образом, тельные преимущества, так как с успехомКрышку корпуса (в перевернутом виде) уста- применим для широкого класса микроэлек .навливают в оправку, закрь 1 вающую окна тронных приборов различного функцио. крыаки и изготовленную из материала, не нальйого назначения и конструктивногообладающего адгезией к используемому 10 выполнения, в том числе, что особенно важгерметику. Полость, образОванйую крыш-: но, и микроэлектронных устройств с полокой и ограничителем, заполняют порошка- сковыми выводами.образным диэлектриком (герметиком)на Заявлейная конструкция обусловливаеткрышку устанавливают основание корпуса максимальное упрощение процесса герме(плату), после чего собранный...

Номер патента: 1457744

Опубликовано: 30.11.1993

Автор: Флегонтов

МПК: H01L 23/02

Метки: корпус, металлокерамический, микросхемы

...с подслоем никеля. Возможны и другие покрытия.Рамка 2 имеет фаску, что ограничивает паяный шов между рамками, Возможно расположение фаски на рамке 3, при агом рамка 2 не имеет фаски.Положительный эффект от использования изобретения достигается благодаря тому, что выступающая кромка нижней рамки, соединенная с металлизацией платы, обеспечивает существенное уменьшение термомеханических напряжений от сварки в наиболее опасном месте - под наружным краем паяного соединения нижней рамки с металлизацией. Термомеханические напряжения уменьшаются благодаря перераспре делению напряжений, передающихся отверхней рамки, на сравнительно большуюплощадь соединения нижней рамки ободкас металлизацией платы, Наличие фаски5 между наружной кромкой...

Номер патента: 713426

Опубликовано: 27.06.1995

Автор: Белов

МПК: H01L 23/02

Метки: полупроводниковый, прибор

1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР штыревого типа с прижимными контактами, содержащий выпрямительный элемент, расположенный в корпусе, состоящем из изолятора верхнего вывода и соединенного с основанием цилиндрического стакана, выполненного с буртиком, которым посредством прижимной системы выпрямительный элемент прижат к основанию, являющемуся нижним выводом, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, изолятор верхнего вывода в нижней части имеет выступ, между внешней поверхностью которого и внутренней поверхностью верхней части стакана, выполненного из металла, размещен пластический уплотнитель, а внутренняя поверхность выступа изолятора контактирует с прижимной системой, при этом к верхней части изолятора герметично присоединен...

Номер патента: 1192553

Опубликовано: 27.11.1995

Авторы: Лобач, Нагаев, Филиппов, Чуков

МПК: H01L 23/02

Метки: входного, окна, оптического

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОПТИЧЕСКОГО ВХОДНОГО ОКНА, включающий изготовление стеклянного штабика и держателя линзы, установку штабика на горизонтально расположенную кольцевую поверхность уступа отверстия держателя линзы, изготовление линзы термообработкой штабика, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости и стоимости процесса изготовления входного окна, термообработку штабика проводят в течение 40 60 мин при температуре, на 220 240oС выше температуры, определяемой началом горизонтального участка дилатометрической кривой удлинения стекла, причем время нагрева и охлаждения на участке от верхней границы зоны отжига стекла и температурой термообработки выбирают меньшим половины времени выдержки термообработки.

Номер патента: 758972

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Диковский, Митин, Онуприенко, Поспелов, Сидоров, Шалимович

МПК: H01L 23/02

Метки: корпус, полупроводникового, прибора

Корпус полупроводникового прибора, содержащий керамическое основание с последовательно размещенными на нем слоями из тугоплавкого материала и молибдена, отличающийся тем, что, с целью снижения теплового сопротивления и повышения надежности, в качестве тугоплавкого материала используют твердый раствор молибдена в титане со следующим соотношением компонентов, мас.Mo 12,5 16,6Ti 83,4 87,5

Номер патента: 1153765

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Конюхов, Кузнецов, Синицын

МПК: H01L 23/02

Метки: контактами, полупроводниковый, прибор, прижимными, силовой

Силовой полупроводниковый прибор с прижимными контактами, содержащий выпрямительный элемент с массивными основаниями, в одном из которых расположены изоляционная втулка, через которую проходит управляющий вывод, и пружина, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности прибора и снижения трудоемкости его сборки, втулка имеет центральную полость, в которой расположена пружина, причем втулка изолирована от основания направляющим фторопластовым стаканом, а со стороны выпрямительного элемента втулка имеет конусообразный торец для самоустановки вывода.

Номер патента: 1584670

Опубликовано: 20.11.2005

Автор: Фарченков

МПК: H01L 23/02

Метки: корпусов, металлокерамических

Способ изготовления металлокерамических корпусов, включающий нанесение на керамическую подложку проводникового и изоляционного слоев, формирование контактных площадок и внутренней коммутации, отличающийся тем, что, с целью обеспечения надежности герметизации и ремонтопригодности сборок, на изоляционный слой по всему периметру платы наносят слой металла, на слой металла накладывают металлическую рамку U-образного сечения полостью к плате с заложенным припоем внутрь полости рамки и проводят пайку, затем соединяют две платы путем расплавления припоя на внешних поверхностях рамки обеих плат.