Мощный транзистор

Номер патента: 1725321

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Иванов, Шедейкис, Юодвалькис

МПК: H02K 7/10

Метки: защиты, мощного, токовой, транзистора

...шине, базы транзисторов обоих источников тока объе50 55 динены и соединены с базой и коллектором токозадающего транзистора, коллектор которого через токозадающий резистор соединен с общей шиной, эмиттеры транзистора второго источника тока и токо- задающего транзистора предназначены для подключения к коллектору мощного транзистора, а эмиттер транзистора первого источника тока через третий резистор- к коллектору мощного транзистора, при этом другой вывод нагрузочного резистора подключен к общей шине.На чертеже приведена принципиальная схема токовой защиты мощного транзистора.Она содержит два транзистора 2 и 3 одной полярности с коллекторными резисторами 4 и 5, транзистор б противоположной полярности с резистором 7 нагрузки, первый...

Номер патента: 279783

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Синенко, Широков

МПК: H02H 7/10

Метки: защиты, мощного, транзистора

...Выходы блоков 8и 4 через суммирующий блок 5, состоящий из 20суммирующих сопротивлений 6 и 7 и сопротивления 8, присоединены входным к дискриаинатору 9 уровня. Сопротивление 8 является входным для дискриминатора уровня. Выход последнего подклочен,на,вход исполнительного органа 10, с силовым входом кото.рого соединен выпрямитель 11, Выход исполнительного органа подсоединен ко входной.цепи защищаемого транзистора,Сигналы, пропорциональные току и напря женгпо, преобразуются олоками формирования таким образом, чтобы,их величины были равны при максимальном значении тока и напряжения транзистора 1. Когда суммарное напряжение сигналов на блоке 5 превышает порог срабатывания дискриминатора 9 уровня, выходным сигналом его отпирается...

Номер патента: 519656

Опубликовано: 30.06.1976

Авторы: Бунин, Рыскин

МПК: G01R 31/26

Метки: границе, коэффициента, мощных, насыщения, транзисторов, усиления

...и со счетчиком.Известные устройства имеют низкую скорость измерения, что обусловлено ручной установкой равенства напряжения на коллекторе и базе испытуемого транзистора, и невысокую точность измерения вследствие дрейфа измеряемого параметра, вызванного прогревом транзистора на время измерения.Цель изобретения - повышение точности и производительности измерений.Поставленная цель достигается тем, что в устройство введены дифференциальный усилитель постоянного тока и амплитудно-временной преобразователь, причем один из входов дифференциального усилителя постоянного тока соединен с клеммой для подключения коллектора испытуемого транзистора, клемма для подключения базы соединена с базовым сопротивлением, с входом амплитудно-временного...

Номер патента: 746346

Опубликовано: 05.07.1980

Авторы: Кернер, Нечаев, Рубаха, Синкевич

МПК: G01R 31/26

Метки: максимальной, мощных, структуре, температуры, транзисторов

...в структуре прибора происходят необратимые изменения (измерения проводят с помощью инфракрасногомикроскопа или используя малые приращения температуры окружающей среды исохраняя при этом неизменный электрический режим работы транзистора),Экспериментально установлено, чточисленное значение К практически независит от величины 1 фф и для разныхтипов мощных транзисторов колеблетсяот 0,8 мВ/ С до 1 мВ "/С.Определив значение К, измеряют величину А УЦ 1 соответствующую заданнымзначениям Уко =1 и 1 = 1, и по формуле (2) определяют максимальную тем-пературу в структуре.Многочисленные эксперйментальныеданные показали, что погрешность измерения максимальной температуры по данному. способу не превышает 1504, в товремя как использование известного...

Номер патента: 873310

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Иманов, Фомин

МПК: H01L 23/34

Метки: мощных, охлаждения, радиатор, транзисторов

...при этом геометрические параметры удовлетворяют указан- Я 1ным соотношениям. С целью уменьшенияперекоса температур корпусов охлаждаемых элементов с разными тепловыделениями при групповом их охлажде-.нии, охлаждаемые транзисторы размещают в шахматном порядке на единойс обеих сторон оребренной пластинеи расположены по ходу движения хлад 40 3 8733 ного сечения расположенными не менее чем в два ряда, ребра в каждом ряде расположены таким образом, что расстояние между осями разрядов не болЕе половины шага ребер, а ширина ребер не менее толщины пластины, при этом теплофиэические и геометрические параметры радиатора удовлетворяют следующему соотношениюсД Ь Д.,1-4,1 -ф 1 Ооя Г 0 4агента с учетом уменьшения тепловыделения. Выполнением...