Патенты с меткой «полупроводниковым»

Номер патента: 117428

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Витовский, Коган, Малеев, Рейнов, Рыбкин, Соколов

МПК: G01T 1/24

Метки: заряженных, отдельных, полупроводниковым, счета, счетчиком, частиц

...применения прибора в ряде исследований.Отличительная особенность описываемого способа зи отсутствии источников питания. В качестве детектора испольтодиод, который включается в схему в режиме вентильного фотНа чертеже приведена блок-схема способа счета отдельных заряженных частиц.Схема содержит полупроводниковый фотодиод 1, нагрузочное сопротивление 2, усилитель 3, регистрирующий прибор 4, например, осциллограф. (Б - направление излучения заряженных частиц).Возможность счета отдельных заряженных частиц фотодиодами без применения источников питания детектора следует из рассмотрения их вольт-амперных характеристик, которое показывает, что амплитуда импульсов должна увеличиваться с понижением температуры. Понижение температуры...

Номер патента: 121877

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Сакович, Юдицкий

МПК: H01L 29/74, H02M 1/08

Метки: вентилем, полупроводниковым, силовым, управляемым

...обмотку 3 трансформатора ТУ, вызывая, в свою очередь, прохождение в цепи обмотки 2 и управляющего электрода вентиля УВ тока, пропорционального главному току. При надлежащем выборе коэффициента трансформации ток в цепи. управляющего электрода создает достаточную проводимость вентиля; с окончанием прохождения главного тока в цепи управления ток также прекращается,го устроймбинацию121877 Для пропуска импульсов тока полярности, обратной полярности управляющего тока, и снятия перенапряжений, вторичная обмотка 2 трансформатора ТУ шунтирована контуром, содержащим вспомогательный вентиль ВВ и сопротивление ДС. Это же устройство может быть применено для управления четырехэлектродным управляемым вентилем, а также для управления вентилем,...

Номер патента: 125975

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Зобов, Опарин

МПК: F02P 1/08

Метки: батарейной, зажигания, первичной, полупроводниковым, системы, схема, триодом, цепи

...принципиальная схема системы зажнгак от аккумуляторнои батареи А поступ тор кристаллического триода Тр в перв й катушки и затем через контакты К п нденсатором Ск массовому выводу риода через сопротивление Я связана с е в первичной цепи, в момент размыка ряжения трансформируются во вторич распределительное устройство Р посту запальных свечей 3. Выключатель П с миттер - коллектор триода, с целью по ния на пусковых режимах. Предмет изобре 1, Схема батарейной системы зажигани одом в первичной цепи, отличающаясяени с полупроводниковым три ем, что, с целью улучшени ния.То коллек ционно ные ко База т кающи сы нап и через тродам цепи э пряже ает через цепь эмиттеричную обмотку К, индукрерывателя, шунтированаккумуляторной батареи, массой...

Номер патента: 130965

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Мантров

МПК: H02M 1/02

Метки: возбуждения, дуги, зажигания, зажигателем, полупроводниковым, экзитроне

...чертеже изображена схема предлагаемого устройства.Устройство имеет трансформатор возбуждения Т, с первичной оомоткой Г и двумя вторичными обмотками 1 Гв и Уз. Обмотка Рв питает аноды возоуждения экзитрона В, а обмотка 1 з служит для зажигания и подключена через нормально замкнутые контакты К 1 реле Р, к полупроводниковому зажигателю, При таком включении ток, поступающий на полупроводниковый зажигатель экзитрона, проходит через катодный реактор Р в цепи возбуждения, вследствие чего значительно увеличивается энергия, накапливаемая после зажигания катодного пятна. Эта энергия может быть сделана достаточно большой независимо от напряжения на вторичной обмотке Рз, чем обеспечивается надежное зажигание катодного пятна в начале положительного...

Номер патента: 131923

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Юдин

МПК: G01K 7/24

Метки: датчиком, моста, полупроводниковым, схема, температуры

...плоскостных триодов 1 и 2. Изменение тока, в свою очередь, вызовет разбаланс131923моста.Величина азбаланса зависит от изменения величины сопротивления термистора, то есть, в конечном счете, от температуры, которая и отмечается измерительным прибором.С целью расширения температурного диапазона работы схемы между точками 11 и 12, а также 13 и 14, целесообразно включить активное сопротивление (для большего расширения температурного диапазона возможно включение между этими токами термистора с отрицательным коэффициентом в сочетании с активным сопротивлением). При этом необходимо иметь ввиду, что включение слишком большого сопротивления не улучшит температурной стабилизации, а слишком малого - уменьшит чувствительность схемы. Для...

Номер патента: 151398

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Зубков, Ляшок, Ратнек, Чалов

МПК: B23K 11/26, B23K 37/00

Метки: автоматическое, выводов, полупроводниковым, приборам, приварки

...блоки связаны с копиром штифтами 1 б и путевым кулачком 17 отрезки вывода. От кулачка 18 включения сварочного импульса срабатывает микропереключатель 19 и сварочный импульс подается через контакты б на первичную обмотку сварочного трансформатора и далее на электроды свароч151398ных блоков. За время одного оборота ротора осуществляется прижим ротора к верхнему электроду 20, подача его до упора В загрукенну 1 О в нижний элек 1 род 21 чашку полупроводниковых диодов, сжатие пружины 22 до заданного усилия сварки, приварка провода, отвод верхнего электрола 20 и отрезка выводя необходимого размера с помощью ножниц 23 механизма отрезки 24. Лля того, чтобы при отсутствии в нижнем электроде 21 загруженной чашки илн выступающего коны...

Номер патента: 192297

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Алымов, Баканов, Дроздов

МПК: H01L 21/40

Метки: заготовки, кристаллом, металлической, полупроводниковым, соединения

...МЕТАЛЛИЧЕСКОЙ ЗАГОТОВ С ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ КРИСТАЛЛОМ2 тескои заготовки систаллом вплавлением нного способую заготовкЭто позволяруда путемций.об заключае а состоит в изготавлиет повысить сокращения ся в следу го металла вырубаю равна массе требуемогна кристалл, предвари кассету. Для отлипания Соединение металл лупроводниковым к известно. Новизна предложе том, что металлическ вают в форме диска. производительность т промежуточных опера Предлагаемый спос ющем. Из фольги заданно диск, масса которого шарика. Диск кладут тельно вложенный вдиска от пуансона кристалл предварительно смачивают канифолью со спиртом,При последующем вплавлении диск, расплавившись, под воздействием сил поверхностного натяжения превращается в шар, При более...

Номер патента: 208134

Опубликовано: 01.01.1968

МПК: B21D 39/00, C25D 5/00, C25D 7/12 ...

Метки: выводов, полупроводниковым, приборам, присоединения

...присоединения вывода, безприменения нагрева,г) возможность присоединения вывода кр-тг-переходам сравнительно малой площ5 д) возможность нагрева места соединдо сравнительно высоких температур без ухудшения прочностных характеристик, благодарятому, что проводят гальванические осажденияслоя металла из электролита, содержащего10 соль этого металла, одновременно на металлизированную поверхность электрода полупроводникового прибора и на вывод, приведенный в электрический контакт (соприкосновение) с ним путем подачи на вывод отрицатель 15 ного потенциала относительно электролита.Способ, осуществляемый согласно данномуизобретению, состоит в следующем:На пленке 510 в над р-п-переходом, получают отверстие (площадью примерно 500 лкз),20 через...

Номер патента: 368679

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Дергачев, Постников

МПК: H01L 21/60

Метки: выводов, полупроводниковым, приборам, присоединения

...проводника составляет 4 - 8 кг/мм и при сварке золотого проводника 10 - 14 кг/мм. Минимальная температура, при которой получают удовлетворительное соединение, должна быть не менее 280 С.Цель изобретения - снижение температуры нагрева соединяемых элементов (не выше 240 С), что позволит создавать новые типы полупроводниковых приборов, упростит многие технологические задачи при создании полупроводниковых элементов, повысит выход годных приборов, упростит монтаж приборов с проволочными и консольными выводами в интегральные схемы.Согласно изобретению, поставленная цель достигается тем, что на контактную точку любым существующим способом на подслой олова толщиной 0,1 - 0,3 мкм наносят слой золота 0,3 - 1,0 мкм, После этого подводят...

Номер патента: 522540

Опубликовано: 25.07.1976

Авторы: Феоктистов, Чаусов

МПК: H02P 13/16

Метки: вентилем, полупроводниковым

...10сов, а вторичные обмотки подключены к управляю.щим электродам тиристоров 11 1, 522540,щимн электролами тнристопов 3 - 6.Магнитопроводы импульсных трансформаторов8-11 охватываютсоедннительныесиловые шинытирнсторов 3-6 таким образом, что в каждом нзши магнитные патоки, создаваемые управляющимсигналом и силовым током тиристоров, направленывстречно,Устройстьо раюаутаат следующим образом.Генератор одищелярных унршляющнх импуль 1 Есов 7 генерирует чправляющий импульс тока, котоалый проходит по первичным обмоткам 12 импульсНых трансформазауов 8 - 11, трансформируется вох вторичные Обьазтки и поступает на уп 1 авляюпшемектроды тнристоров 3-6, прн этом магнитопроводы 1 аимпульсных трансформаторов 8 - 11 намагничиваютсяВ ОднОм из двух...

Номер патента: 527791

Опубликовано: 05.09.1976

Авторы: Антонов, Хабенко, Шулико

МПК: H03K 5/007

Метки: короткозамыкателем, моторным, полупроводниковым

...оперативный ток подается на резистор Е При этом заряжается опорный .конденсатор 2. и через резисторы 3, 4 и стабилитрон 5 конденсатор управления 6. Транзистор 7 заперт, так как к его баэо-эмиттерному переходу приложено положи. тельное смещение, и, следовательно, на тиристоре 8 сигнала управления нет.При запусках электродвигателей наводки в жилах управления силового кабеля вызывают крат. ковременные снижения или исчезновения оперативного тока, В этом случае конденсатор 2 начинает разряжаться на резистор 1, а конденсатор 6 не разряжается до тех пор, пока разность напряжений на конденсаторах 2 и 6 не достигнет напряжения пробоя стабн)титрона 5, Таким образом происходит задержка на срабатывание устройства при снижении или кратковременном...

Номер патента: 525381

Опубликовано: 05.03.1977

Авторы: Волос, Кузьмичев, Мазаник, Твердов

МПК: H01L 21/60

Метки: контактных, кристаллам, полупроводниковым, присоединения, рамок

...головку.Такая конструкция позволяет проводить совмещение кристалла с контактной рамкой и цх дальнейшее совместно фиксированное совмещение со свароцьп 1 инструментом, т. е. проводить последовательное перемещение сварцвясмых объектов под сварочным ццструмен- ТОМ.Ня 1)1 г.пзоб)Яжец конструктивная схема предлагаемой установки; ца фцг. 2 - схема з;жима кристалла,Установка для присоединения контактных ЭМОК и ГОЛУП)ОВОЦ 11 ОВЫМ КЭПСТЯЛЛЯс СО- держит сварочную головк 1 (фцг. 1), рабочий столик 2, мцкромаццпулятор э, механизм псемещения кассет с опта,тцыми эямкмп 4, мехяцпзх 5 питания 1;)цст)л;аи, ст)ойство 6 зяи;цмя . ор Снтяши рцсталля.Устройство 6 зажима ц орпецтяц;" Содержит з 1 жцмцые губки 7, переменающпеся параллельно плоскостп...

Номер патента: 576083

Опубликовано: 05.10.1977

Авторы: Карл-Фридрих, Якоб

МПК: H02M 1/08

Метки: вентилем, полупроводниковым

...7, 9),При подаче прямоугольного импульса от внешнего источники запуска 4 транзистор 3 совместно состабилитроцом 5 и стабилизирующим сопротив.лецием 6 работает не как ключевой элемент, а какнелинейное сопротивление, стабилизирующее токимпульса управления тиристора 1 при колебанияхнапряжения источника питания 2 и при измененияхсоцрогцвлеция нагрузки, которой является управляющий переход тиристора 1. Благодаря этомуможно максимально уменьшить ток управления довеличины, обеспечивающей надежное включениетцрцсторов, снизить потребление мощности отисточзшка щггация (что особенно важно, когда вкачестве исв цика питания применяется отбормощности от силовой цепи тиристора) и тем самымумецыцить цогери ца формирование управляющегосигнала...

Номер патента: 587527

Опубликовано: 05.01.1978

Авторы: Антохин, Воробьев

МПК: H01J 13/54

Метки: долговечности, катодом, повышения, поджигателем, полупроводниковым, приборов, ртутным

...тока выбираетсяпропорционально коммутируемому току в диапазоне 0,5-50 А.25 ормула изобретени Изобретение относится к мощнымртутным выпрямителям, игннтронам нигнитронным разрядникам,Известно,.что мощные ртутные приборы с полупроводниковым поджигателем имеют ограниченный срок службыиэ-эа напыления на поджигатель иуменьшения сопротивления поджигателькатод.Известен способ защиты поджигателяот напыления с помощью защитных экранов, но этот способ неэффективен.Ближайшим техническим решениемк:предложеннойу является способ повышениядолговечности приборов сртутным катодом и полупроводниковымподжигателем путем пропускания черезподжигатель переменного тока 121Ток пропускают через цепь поджиГапериодически, в течение. несколькихчасов, с...

Номер патента: 600677

Опубликовано: 30.03.1978

Авторы: Галанчук, Смольников, Шаров

МПК: H02M 7/537

Метки: инвертором, полупроводниковым, стабилизированным

...соответствующий транзистор находится в области отсечки и данная вспомогательная ячейка обеспечивает рекупе"рацию энергии из первичной цепи соответствующего трансформатора в источник ,Й питания, либо равны нулю, когда шунтйрующий транзистор находится в области насыщения.Очевидно, что амплитуда переменногопрямоугольного напряжения на первичнойобмотке 21 л выходного трансформатораравна разности между напряжением в диагонали моста и напряжениями на первич.ных обмотках 5, 61, 7, 8 трансформаторов вспомогательных ячеек.Основным узлом уйтройства управления является узел сравнения, состоящий из обмоток 222 - 227 измерительного трансформатора, первичная обмоткакоторого 221 включена в диагональ моста 4 (т.е. подключена к выходу основной...

Номер патента: 637211

Опубликовано: 15.12.1978

Авторы: Горлов, Закс, Краснобаев, Недорезов, Рывкин, Яшунский

МПК: B23K 9/10

Метки: полупроводниковым, преобразователем, сварочным, схема

...коммутатором, определяющим фазу включения тиристора, на управляющий электрод которого подано с выпрямителя положительное напряжение.6372 П 3 Формула изобретения Г. Чайковскийуговая Корректор СПодиисноеа Совета Мнкисгров ССй н открытийшская иао., д. 4/5ород, ул. Проектная, 4 гавител ред О. Л Сос жен кона тир Госуда рс гневного по делам из Зб, Москва, Ж ППП Пагентэсима ком итеретени 5, Рау г. Уж зо ФилиалНа чертеже показана предлагаемая схема управления.Усилительнцй элемент выполнен на двух транзиторах 1 и 2, К усилителю поданы напряжение питания +Е, -Ез, смещения +Е см и управления У. На выход уси. 5 лительного элемента подключен дополнительный транзистор 3, эмиттер-коллекторный переход которого и включенный с ним последовательно...

Номер патента: 664244

Опубликовано: 25.05.1979

Авторы: Зигберт, Ханс-Иоахим, Хартвин

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, полупроводниковым, приборам, создания

...границ р-областей, посколькУ 45в электролите создается такое Распределение зарядов, что ионы, отти-гиваются от непосредственной граыоцир-И-переходов в р-область.Способ позволяет создавать контак., щты одновременно к ббльшому количест-ву приборов, когда, например," ООООэлементов расположены на Одной пблу-"проводниковой пластине.)а фиг 1 изображен разреЗ крйсталлической пластины; на Фиг.2 данапринципиальная схема для осуществления способа; на Фиг.3-7 - отраженспособ создания контактов при изготовлении транзисторов на Фиг.8 .- раз-рез готовой полупроводниковой пласти-,40ны, вид сверхуП р и м е р 1. Кристаллическая .: .пластина 1 (см.фиг.1),снабжена обцимоснованием (контактом), 2. Всю поверхность пластины покрывают слоем 44окисла...

Номер патента: 677048

Опубликовано: 30.07.1979

Авторы: Васильев, Егоров

МПК: H02K 29/02

Метки: блок, демпферной, коммутатором, обмотки, полупроводниковым, электрической

...управляемой демпферной обмотки с полу.проводниковым коммутатором,Встречно-параллельно включенные тиристоры 1 и 2 подключены к выводам 3 и 4секций демпферной обмотки,25 Анод 5 тиристора 1 подключен черезбалластный резистор б к пластине 7 дополнительного коллектора 8. Управляющийэлектрод 9 тиристора 1 через диод 10 и резистор 11 подключен к коллекторной пластине 12. Катод 13 тиристора 1 соединен спластине 12, щетки 15 и 1 б на дополнительном коллекторе замыкают коллекторные пластины 7 и 12 через диод 17,При работе коллекторной электрической машины в зоне коммутации полярность на выводах демпферных секций меняется через сто восемьдесят электрических градусов.Работает устройство следующим образом.Предположим, что на выводе 3 +, а на...

Номер патента: 531401

Опубликовано: 05.10.1979

Авторы: Анатычук, Жуковский, Кушнирук, Мейер, Мельник, Пономарев, Субботин, Харитонов

МПК: G01N 23/223

Метки: анализатора, датчик, детектором, полупроводниковым, рентгенорадиометрического

...15 разветвления 4, 5 и нижний каскад 6. На разветвлении 4 устагговлеч полупроводниковый детек. тор 7, а на разветвлении 5 - полевой транзистор 8 На нижнем гсаскаде 6. термоэлектричес. кого холодильника размегцеп адсорбент 9. Пи1 такие термоэлектрического холодильника и связь с внешними устройствами осуществляет. ся через герметизированные электрические вво. ды 10. Откачка объема капсулы производитсячерез цгтенгель 11.Снаружи в корпусе капсулы 1 в коллимато. рах 12, 13 установлены радиоизотопные источники 14, 15, Для дополнительной защиты от прямого излучения источигков 14, 15 внутри капсулы 1 установлены. защитное кольцо 16 и пластина 17.Капсула 1 помещается в корпус 18 скважин. ного снаряда и герметично закрывается бериллиевым...

Номер патента: 746831

Опубликовано: 05.07.1980

Авторы: Беленький, Заверюха, Смирнов

МПК: H02M 1/08

Метки: ключом, полупроводниковым, силовым

...содержащее источникпостоянного напряженияР связанный через вспомогательный ключевой элемент с управляющим перехо-.дом силового ключа, й генератор стробимпульсов запуска и запирания, выходкоторого включен между управляющимэлектродом вспомогательного ключе"вого элемента и силовым электродомсилового ключа, снабжено дополнительным источником постоянного напряже ния и диодом, подключенным в проводящем направлении к выходу дополни"тельного источника и в обратном нап-равлении к управляющему переходу силового ключа.На чертеже представлена принципиальная схема предлагаемого устройства.Устройство содержит источник 1 постоянного напряжения, подключенный через вспомогательный ключевой элемент 2, в качестве которого применен запирающий тиристор, к...

Номер патента: 767628

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Анатычук, Жуковский, Мейер, Мельник, Пономарев, Скакодуб, Соколов

МПК: G01N 23/223

Метки: анализатора, датчик, детектором, полупроводниковым, рентгенорадиометрического

...разветвлении 5 - полевой транзистор 9. Нанижнем каскаде 7 термоэлектрического 2 Охолодильника размещен адсорбент 10.Питание термоэлектрического холодильника и связь с внешними устройствамиосуществляется через герметизированные электрические вводы 11. Откачкаобъема капсулы производится черезштенгель 12.Снаружи в корпусе капсулы 1 установлены коллиматоры 13 радиоизотопныхисточников 14.Для дополнительной защиты от пря- ЗОмого излучения источников 14 внутрикапсулы 1 установлены защитное кольцо15 и пластина 16. Капсула 1 помещает"ся в корпусе 17 скважинного снарядаи герметично закрывается бериллиевым 35цилиндром 18. Герметизация осуществляется с помощью резиновых колец 19.Датчик работает следующим образом.При подаче напряжения питания...

Номер патента: 792463

Опубликовано: 30.12.1980

Авторы: Кузьмин, Хабенко

МПК: H02H 5/00, H02H 7/10, H03K 5/00 ...

Метки: короткозамыкателем, моторным, полупроводниковым

...в момент аварии короткозамыквтеля не вызывает закорвчиввния силовой сети, и, следовательно, срабатывания максимально3 7 924токовой зашиты с поспедуюшим действиемфидерного автомата. Поэтому, если во время ремонтных работ или. во время паузыв работе электродвигателя произойдет нарушение исправности жил управления сило 5вого кабеля или блока питания, то возможно включение электродвигателя с неработаюшим короткозамыкатепем, что недопусти-мо, так как может повлечь за собой взрыврудничной атмосферы при повреждении си 1 Олового кабеля.Целью изобретения является повышениебезопасности путем обеспечения контроляисправьости жип управления силового кабеля и блока питания при неработаюшем эпектродвигатепе,Этр достигается тем, что в...

Номер патента: 902165

Опубликовано: 30.01.1982

Авторы: Гиенко, Лохов

МПК: H02M 1/08

Метки: вентилем, полупроводниковым

...между )Систочником постоянного напряжения и блоком управления.На чертеже представлена принципиальная схема устройства.Устройство содержит общий првод 1,блок 2 управлеция, источник 3 постоянно -го напряжения, подклк)ченцый к управляющему переходу тиристора 1 ерез основнойбиполярный транзистор 5 и токостабилизирую(цее сопротивление 6 в це;и эмиттера. Блок управления подключен к базе 16биполярного транзистора через резистор 7,а между базой этого транзистора и общимроводо вклк)ч(ь доно,нито,)нныйзистор 8 с резистором,1Н.1 э)иттера,база коп)рого подключена к делителю 1 Онапряжения.ф с т л О и с т в О 1) я О О т 1 е т с г(;1 1 0 1 ц 1 м О б р яЗОМ,",ри ц; евс),1 яц 1)янции ) пт)яв сци 5которое Н)с гуцает а )яз) тлязистора 5через резистор 7 о...

Номер патента: 966822

Опубликовано: 15.10.1982

Авторы: Бендер, Домашенко, Охотников, Фомичев

МПК: H02M 1/08

Метки: переключающим, полупроводниковым, элементом

...5 и конденсатора 6, при" чем параллельно конденсатору 6 под- ключен резистор 7. При этом катод ди р ода 4, резистор 7, конденсатор 6 .и .второй выходной вывод переключающего элемента 2 подключены к общей шине.Устройство работает следующим образом. 2При включении переключающего элемента 2 на выводе импульсного трансформатора 1, соединенном с катодом .первого диода 3, появляется отрица" тельный потенциал. При этом первый :в диод открывается и начинается этапнакопления заряда в базе диода 3 см.фиг. 2). Характер нарастания тока, протекающего через диод 3 в начале этапа накопления заряда, определяется только индуктивностью 5. Далеепо мере заряда конденсатора 6 на резисторе 7 нарастает напряжение. Величина тока церез диод 3 в этот...

Номер патента: 1001355

Опубликовано: 28.02.1983

Автор: Гительсон

МПК: H02M 1/08

Метки: вентилем, полупроводниковым

...для его дзащиты от пробоя следует включить стабилитрон 8, в остальных случаях онне нужен,В цепи управляющего электрода вентиля 1 (фиг. 2) включен транзистор 9типа р-п-р, параллельно его переходубаза-эмиттер вклюцена цепочка из стабилитрона 3 и резистора , средняяточка этой цепочки подключена к источнику 1 О импульсов управления (в от.- 35личие от фиг, 1 где применен источник 5 постоянного напряжения) . Вцепь базы транзистора 9 последовательно включены транзистор 6 и резистор11. Затвор транзистора б через резис 40тор"7 подключен к аноду вентиляСтабилитрон 8 необходим только в томслучае, если применен полевой транзистор 6 с изолированным затвором длязащиты его от пробоя. Ограничиваю 45щий резистор 11 не нужен, если невелик разброс тока...

Номер патента: 1064460

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Кобзев, Кощевец

МПК: H03K 17/00

Метки: ключом, полупроводниковым

...формирователя длительностии соединен через второйрезистор с входом инвертора, выходкоторого подключен к первому входу компаратора, второй вход которого соединен с нулевой шиной,а выход подключен к первому входувторого элемента И, второй входкоторого подключен к выходу второго элемента НЕ, а выход его является выходом формирователя длительности и через инвертор и третийрезистор соединен с входом интегратора,Импульсные трансформаторы формирователей импульсов выполнены наодном сердечнике,На фиг, 1 приведена принципиальная схема устройства; на Фиг, 2 диаграммы напряжений на контрольных точках.Устройство для управления полупроводниковым ключом, содержитформирователи 1 и 2 импульсов, состоящие из основного транзистора 3, импульсного...

Номер патента: 1173505

Опубликовано: 15.08.1985

Авторы: Маренич, Пархоменко, Пименов, Сидоренко

МПК: H02M 7/00

Метки: коммутатором, полупроводниковым, силовым, трехфазным

...к входу узла силовых тиристоров 1, первая вторичная обмотка соединена с входом формирователя 3 10 синхронизирующих импульсов, делитель 4 частоты синхронизирующих импульсов, шестиканальный кольцевой распределитель 5 импульсов, усилительно-развязывающий узел 6, подключенный выходами к управляющим цепям тиристоров 1 силовой части. Ко второй вторичной обмотке трансформатора 2 подключен фазовый анализатор 7, а к третьей - переключатель 8, выход которого подключен к входу нуль- органа 9, а выход последнего - к входу триггера 10, устанавливаемого в. нулевое состояние при включении питания. Прямой выход триггера 10 подключен к разрешающему входу К делителя 4 частоты синхронизированных импульсов, а выход фазбвого анализатора 7 - к входу...

Номер патента: 1182597

Опубликовано: 30.09.1985

Автор: Родионов

МПК: H02H 7/06

Метки: асинхронном, возбудителем, возбуждения, защиты, перенапряжений, полупроводниковым, синхронной, ходе, цепи

...с уп ектродом тиристора й шиной выпрямител да - с катодом тиристора клминусовой шиной обмотки вои Составитель Т.ЩегольвоваРедактор И.Ковальчук Техред А.Кикемезей Корректор М.П 6115/52 ВНИИПИ Гос по дела 13035, Москва619 ого ний Подомитета СССРоткрытийя наб., д, 4 ак Тиражударстве м иэобре сное ауш Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная,1 1182Изобретение относится к устройствам защиты электрических цепей от внутренних перенапряжений при переходных режимах.Целью изобретения является повышение надежности устройства.На фиг. 1 и 2 приведены схемы устройства варианты,На схеме показаны управляемый выпрямитель 1,к минусовой шине которо О го подключен резистор 2 и токоограничивающий шунтирующий резистор 3 шунтируюцие диоды 4,...

Номер патента: 1248735

Опубликовано: 07.08.1986

Авторы: Капустин, Минеев

МПК: B23K 9/10

Метки: полупроводниковым, преобразователем, сварочным, схема

...из силового выпрямительиого блока 1, датчика 2 обратнойсвязи для создания замкнутой системыуправления, блока 3 формирования уп,равляюаих сигналов, управляющего фазами открывания силовых тиристоров изадающего величину сварочного тока.Кроме того, между датчиком 2 обратной связи и блоком 3 формированияуправляющих сигналов включен фазосдвигающий блок 4, на другой входкоторого включен задающий блок 5,Схема фазосдвигающего блока 4(фиг. 2) состоит иэ цепочки последо-.вательно соединенных стабилитрона идополнительного транзистора 6, включенных в базовую цепь выходноготранзистора 7,.управляющего фазойоткрывания тиристоров (не показаны),Напряжение Б на цепочку стабилитрон - транзистор снимается с сопротивления 8, служащего нагрузкой датчика 2...

Номер патента: 1257584

Опубликовано: 15.09.1986

Авторы: Вдовико, Овчинкин

МПК: G01R 31/02, G01R 31/12

Метки: изоляции, испытаний, качества, конструкций, покрытых, полупроводниковым, протяженных, слоем

...12, второй вывод источника 9 высокого напряжения соединенс вторим выводом сграничительного4 Орезистора 10, первый вывод которого соединен с третьим выводом блока 5регистрации частичных разрядов и тс" копроводящей шиной 1 испытуемого образца, которая соединена с общей шиной, Вторые выводы регистратора 7 и измерительного элемента 6 соединены с вторым выводом блока 5 регистрации частичных разрядов, первый вывод которого соединен с первыми выводами измерительного элемента 6, регистратора 7 и соединительного конденсатора 8, второй вывод которого соединен с третьим выводом блока 5 регистрации частичных разрядов.Устройство работает жчедующим образом.Подают радиоимпульс от генератора 11 прямоугольных импульсов через градуировочный...