Серяпина
Способ окисления кремния с p-n-переходом
Номер патента: 376029
Опубликовано: 20.06.2000
Авторы: Ободников, Серяпин, Серяпина
МПК: H01L 21/316
Метки: p-n-переходом, кремния, окисления
Способ окисления кремния с р-n-переходами в электролите при подаче на пластину кремния анодного напряжения, отличающийся тем, что, с целью селективного окисления n-области, пластину кремния предварительно обрабатывают в химическом травителе и при окислении анодное напряжение подают на n-область.
Способ изготовления полупроводниковой структуры
Номер патента: 385536
Опубликовано: 20.06.2000
Авторы: Романов, Серяпин, Серяпина, Смирнов
МПК: H01L 21/26
Метки: полупроводниковой, структуры
Способ изготовления полупроводниковой структуры путем легирования полупроводника примесями с последующим облучением его потоком быстрых электронов, отличающийся тем, что, с целью локального направленного перераспределения примесей, выбранные участки полупроводника облучают потоком электронов, энергия которых по крайней мере в два раза больше пороговой энергии образования радиационных дефектов полупроводниковой структуры.