Асессоров

Номер патента: 1679922

Опубликовано: 27.07.1996

Авторы: Асессоров, Булгаков, Инкерманлы, Кочетков, Петров

МПК: H01L 29/72

Метки: вчи, мощный, свч-транзистор

Мощный ВЧ- и СВЧ-транзистор, содержащий диэлектрическое основание с расположенными на нем металлическими выводами, полупроводниковый кристалл со сформированными на нем транзисторными ячейками, напаянный нижним основанием на коллекторную площадку, соединенную одним из своих краев с металлическими выводом, причем между каждой транзисторной ячейкой и соответствующей ей эмиттерной металлизацией расположен балластный резистор, сужающийся от центра транзисторного кристалла к периферии, отличающийся тем, что, с целью увеличения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и КПД за счет повышения равномерности распределения тепла, выделяемого при протекании тока через транзистор, каждая транзисторная ячейка имеет трапециевидную форму,...

Номер патента: 1630564

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Асессоров, Велигура

МПК: H01L 21/18

Метки: балластными, многоэмиттерных, мощных, резисторами, свч-транзисторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНЫХ МНОГОЭМИТТЕРНЫХ СВЧ-ТРАНЗИСТОРОВ С БАЛЛАСТНЫМИ РЕЗИСТОРАМИ, включающий создание в многокристаллической кремниевой пластине диффузионных областей баз и эмиттеров, формирование покрытия из диоксида кремния, нанесение на покрытие тонкопленочного резистивного слоя, создание резистивных элементов, вскрытие контактных окон к областям базы и эмиттера, формирование металлизации, наращивание защитного диэлектрического покрытия, травление окон в защитном диэлектрическом покрытии в области контактных площадок металлизации, отличающийся тем, что, с целью улучшения энергетических характеристик транзисторов, одновременно с созданием резистивных элементов изготавливают тестовый резистор, измеряют его сопротивление, по значению...

Номер патента: 598468

Опубликовано: 07.03.1986

Авторы: Асессоров, Булгаков, Горохов

МПК: H01L 29/70

Метки: мощного, свч-планарного, транзистора, транзисторная, ячейка

...транзисторов при высоких КСВН), посколькупри этом неизбежно уменьшение выходной мощности насыщения и КПД из-завозрастания последовательного интегрального сопротивления слоя коллектора.Таким образом вариант прототипапри суммарной толщине двух слоев вмкм не может обеспечить надежную(безотказную работу) транзисторов вусловиях рассогласования при большихКСВН. Лучшее, что может обеспечитьтакая структура - это устойчивуюработу при КСВН=1,5-3.Целью изобретения является обеспечение полной устойчивости транзистора ко вторичному прибою.Укаэанная цель достигается тем,что верхний эпитаксиальный коллекторный слой, прилегающий к базовой598468 4 мер,йд= 2,0 0 см З, что соответствует-2,5 Ом см) . При этомоказывается, что транзистор неспособен...