H01L 21/308 — с использованием масок

Номер патента: 361413

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: G01N 1/32, H01L 21/308

Метки: послойного, стравливания

...острой кромкой, упругого прижимаемой к поверхности образца.Стакан выполнен, например, из полимерного фтороорганического соединения, химически стойкого к агрессивным средам и сохраняющего упругость в широком интервале температур. Профиль стакана задается контуром травления поверхности.На чертеже показано предложенное устройство.Устройство состоит из расположенных соосно реакционного сосуда 1 и корпуса 2, предметного столика 8, на котором размещен образец 4, и резиновой подушки 5, Реакционный сосуд имеет профиль, сечение которого в точности соответствует контуру травления.Нижняя кромка реакционного сосуда скошена так, что в сечении образуется зуб с углом50 - б 0.5 Гермстичный прижим реакционного сосудак образцу осуществляют при...

Номер патента: 853707

Опубликовано: 07.08.1981

Автор: Черный

МПК: H01L 21/308

Метки: маски, совмешения, сподложкой

...из маски 1 с рабочими отверстиями 2 и выступами 3, на торце которых укреплены базовые элементы 4, выполненные в виде гибких пластин, края которых симметрично выступают по обе стороны торца выступов, подложки 5 с канавками 6,Структура маски может быть получена, например, если известными методами гальванопластики сформировать на поверхности маски базовые элементы из тонкого слоя металла, обладающего маскирующими свойствами при травлении материала маски и протравить ее на глубину, равную тре - буемой высоте выступов, вследствие чего края базовых элементов будут выступать эа пределы торца выступов на величину бокового подтравливания материала маски под базовыми элементами. При этом для масок, изготавливаемых, например, из медной илиО...

Номер патента: 1304668

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Максименко, Ткаченко, Ярандин

МПК: H01L 21/308

Метки: микроструктур, полупроводниковых

...,"Опонируют ультрафиолетовым излучениемПо заданному рисунку и проявляют.Образцы помещают в ВЧ-диодный реактор и травят А 1 или Я 1.0 . Режимытрявленл и результаты исследований, полученные на растровом электронном микроскопе, приведены в таблице,Ограниченная плотность высокочастотной мощности в начальных стадиях Ятравления не вызывает чрезмерногоразогрева подложек, приводящего к текучести Фоторезиста. В то же времяпроисходит эадубливание слоя Фоторезиста с поверхности вглубь пример- З 5нр со скоростью 0,1-0,15 мкм/мин. Впоследней сгадии травления с наиболеевысоким уровнем плотности мощности итемпературы эадубленный слой Фотореэиста препятствует деформации края 40маски. Угол на краю маски сохраняет-.ся близким к 90 что соответг...

Номер патента: 1218857

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Осинов, Стратиенко

МПК: H01L 21/308

Метки: пластине, полупроводниковой, рельефа, формирования

...рельефа на полупроводниковой подложке, включающем операции нанесения фоторезиста на подложку, сутпку, экспонирование, нроянление, плазменную обработку фоторезиста н ВЧ-диодной системе н инертной среде при давлении 0,1-100 Па и температуре подложки 20-80 С и плазменное травление, плазменную обработку фоторезиста и травление проводят в одном вакуумном цикле, причем плазменную обработку фоторезиста проводят в три стадии, дпительность каждой из которых составляет 1-5 мин,. при удельной мощности 0,2+0,02;0,5+0,05 и 1,0 ф 0, 1 Вт/см .Изобретение позволяет сократить технологический процесс формирования рельефа на полупроводниковой подложке в сравнении с прототипом на время проведения высокотемпературной сушки и связа.1 ных с ней...

Номер патента: 1421189

Опубликовано: 23.12.1990

Авторы: Айвазов, Немой

МПК: H01L 21/308

Метки: кремния, поликремний-окисел, структур, травления

...37,5 Па.Выключают генератор и устанавливаютанодное напряжение, соответствующееЯудельной мощности разряда 0,12 Вт/см .Эту стадию процесса ведут в течениевремеиир определенного из аиалитйческого выражения, исходя иэ заданногоухода размера элементов относительномаски. В табл. 1 и 2 приведены даи"иые, обосновывающие выбор режимовтравления на каждой из стадий про"цесса,Определение коэффициентов Ы ипроизводят следующим образом.Поскольку зависимость Ч, от Бтр в режимах второй стадии определяетсявыражением Чр то графике Б+Ъзависимости 1/7(Б) представляет собой прямую линию, Из наклона прямой, построенной по экспериментальным данным для режима второй стадии, вычисляют величину ос, а значение 1 Ь - путем экстраполяции к значению Б.=...

Номер патента: 1115630

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Громов, Данцев, Хочинов, Черный

МПК: H01L 21/308

Метки: изолированных, монокристаллических, областей

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗОЛИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ОБЛАСТЕЙ, включающий нанесение маскирующего слоя на пластину монокристаллического кремния, травление через маску разделительных каналов, окисление рельефной поверхности, нанесение на окисленную поверхность материала подложки, удаление электрохимическим травлением монокристалла, отличающийся тем, что, с целью упрощения и повышения качества процесса вскрытия монокристаллических областей для кремния любой степени легирования и любого типа проводимости, положительный потенциал подводят к монокристаллу снизу через проводящий материал подложки, причем окно в окисном слое, обеспечивающее омический контакт, создают перед наращиванием материала подложки.

Номер патента: 1814446

Опубликовано: 10.11.1995

Авторы: Либо, Пригода, Пухляков

МПК: H01L 21/308

Метки: галлия, локального, травления, фосфида

...топологии на пластине в направ лениях 100 или ЙО Вб/Вг составляет0,08-0,15 и свидетельствует о том, что приглубоком (40-50 мкм) травлении можно безискажений перенести на пластину рисунок,заданный фотошаблоном, т.е, сохранить то-30 пологие. При Изменении направления110 до 100 расположения элементов топологии на пластине боковое подтравливание (Вб/Вг) увеличивается до 1.Температурный диапазон травителя О 30 С. Уменьшение температуры травителяниже О С приводит к кристаллизации раствора, а следовательно, к прекращениютравления, Увеличение температуры трави-теля выше 30 С вызывает селективный ха рактер травления и снижает качествотравления.Уменьшение частоты вращения при перемешивании менее 30 об/мин приводит к, ухудшению полирующих свойств...

Номер патента: 1662294

Опубликовано: 27.01.1996

Авторы: Алейникова, Белых, Малахов, Сутырин

МПК: H01L 21/308

Метки: пассивации, полупроводниковых, примесных, структурах, центров

...5 10 15 20 25 30 35 Использование алюминиевого слоя способствует устранению распыления и образования нарушен ного слоя полупроводниковой структуры, а также приводит к повышению плазмостойкости резистов, что очень важно при формировании субмикронной топологии в процессе пассивации примесных центров в субмикронных областях.П р и м е р. При изготовлении структур полевых транзисторов на арсениде галлия, согласно изобретению, необходимо было пассивировать электрически активные центры в эпитаксиальном слое на глубине 0,1 мкм, На пластине арсенида галлия с зпитаксиальным слоем 0,15 мкм с концентрацией и 1,2 10 см создали рисунок методом + . 1 В 1электронолитографии на установке ЕВА. Размер подзатворной области 0,8 мкм. В качестве маски...

Номер патента: 1814445

Опубликовано: 10.09.1996

Авторы: Балбуцкий, Гайдук, Сасновский, Чаусов

МПК: H01L 21/308

Метки: кремния, островков, поликристаллического, полупроводниковых, профилем, структур, ступенчатым

...следующее ограничение на ширину уступа:уст. - крит.раза, (8)где Ьу - ширина уступа фоторезистивной маски относительно края островков поликристаллического кремния,Добавив в правую часть соотношения (8) величину (Ь-Ь,), которая всегда больше нуля, ибо в противном случае проблем с обрывами межкомпонентной разводки на островках поликристаллического кремния не возникало бы, мы еще более уменьшим вероятность появления несплошной пленки межкомпонентной разводки на ступеньке:уст, - крит.раза. ("пкк. раза,) з (9)Перепишем (9) следующим образом:пкк. раза. крит.раза. - 1 уст. (1 О)Сравнивая (10) и левую часть (7), получаем, что глубина несквозного травления слоя поликристаллического кремния и ширина уступа фоторезистивной маски относительно края...

Номер патента: 1829776

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Баянов, Довнар, Красницкий, Наливайко, Родин, Турцевич

МПК: H01L 21/308

Метки: конденсатора, кремния, обкладки, поликристаллического

...КДБ 12 (100) со сформированной активной структурой ДОЗУ информационной емкости 256 к и созданным на ее поверхности диэлектрическим слоем (2 фиг.1) двуокиси кремния толщиной 0,3+0,03 мкм, нанесли защитное покрытие (3 фиг.1), состоящее из 81 зХ 4 толщиной 20-50 нм и двуокиси кремния толщиной 20-50 нм. Затем с помощью проекционной фотолитографии в нанесенных слоях сформировали контактное окно (4 фиг.1) к стоковой области МДП- транзистора. После этого методом 1.РСЪР на поверхность пластины осадили слой поликристаллического кремния (5 фиг,1) толщиной 0,1+0,01 мкм легированного фосфором в процессе роста и травлением через фоторезистивную маску осажденного слоя на установке "Лада" в плазмообразующей смеси гексафторида серы и кислорода при...

Номер патента: 1200778

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Бротиковский, Зайцев, Курцин, Рыбак

МПК: H01L 21/308

Метки: защищены, которых, кремниевых, никелирования, поверхности, полупроводниковых, свинцово-силикатными, стеклами, структур, участки

Способ никелирования кремниевых полупроводниковых структур, участки поверхности которых защищены свинцово-силикатными стеклами, включающий селективное травление поверхности структур через защитную маску, промывку в деионизированной воде, активацию поверхности в золотосодержащем растворе и химическое осаждение никеля, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов, после селективного травления структуру подвергают дополнительной ультразвуковой отмывке в 10 - 30%-ном водном растворе уксусной кислоты и все процессы отмывки и активации структуры проводят при сохранении на ее поверхности защитной маски.