Патенты с меткой «многоуровневой»

Номер патента: 559416

Опубликовано: 25.05.1977

Автор: Бакеев

МПК: H04L 3/00

Метки: кодоимпульсной, многоуровневой, модуляции

...передаваемому коду, который подается на вход блока2 изменения полярности импульсного сигнала, Одновременно с поступлением каждого значения передаваемого кода от источника информации поступает импульс синхронизации, который подается на входыэлементов И 8 и 9, а также на вход элемента задержки 15,60 В случае, когда накапливающий сумматор 6 содержит положительный код, т, е.знаковый разряд находится в нулевом состоянии, импульс синхронизации, проходячерез элемент И 9, устанавливает триггер10 в нулевое состояние.Сигнал с нулевого выхода триггера 10поступает на блок 2 изменения полярности импульсного сигнала, который устанавливает отрицательную полярность импульсного сигнала на выходной шине 16. Одновременно сигнал с нулевого выхода триггера...

Номер патента: 598458

Опубликовано: 25.07.1979

Автор: Колешко

МПК: H01L 21/28

Метки: больших, интегральных, металлизации, многоуровневой, схем

...пленках алюминия о 1 снивастся из того, что данная примесь должна сконцентрироваться по границам зерен. Исходя из этого было установлено, что минимальная величина концентрации примесей, которую можно использовать для понижения электромиграции алюминия составляет, вес."/о. 5 с 1,66;0,003; гп 0,06;1.а 0,0001; Еп 1 О ; ТЬ, 1.у, Но, Ег Тгп,Ь 0,06; 1.п 0,07. Поэтому был определен средний нижний предел для всех РЗЭ 0,05 вес. о/,.М 1 кспмальная концентрация оценивается исходя из следующих соображений. Вопервых, рассматривается влияние процентного содержания легируюшего компонента на электропроводность пленки алюминия. Во-вторых, рассматривается поверхностная активность примеси и образование антикоррозионных поверхностных слоев, препятствуюп 1...

Номер патента: 767837

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Гуленков, Лапшин, Плющев

МПК: G11C 11/06

Метки: записи, информации, многоуровневой

...сердечников.2. Способ по п.1, о т л и ч аю щ и й с я тем, что соотношениеполных токов перемагничивания сердечников не должно превышать 1,5"2,Источники информации,принятые во внимание при экспертизеПатент С 9)А 9 3631412, кл.340174, 1972.2. Патент С)А Р 3913080, кл.340174, 1975 (прототип) . На фиг, 2 представлена временная"дйиграмма" записи и считывания многоуровневой информации на Фиг. 3 -характеристики выходного сигналазацоминающего элемента,Способ записи осуществляются сле"дующим образом.При записи многоуровневой инфбрмации в предлагаемый запоминающийэлемейт по числовой обмотке 4 подаютимпульс числового тока записи,равный среднеарифметическому значению полных токов йеремагничивания1 Ь+12сердечников 1 и 2Фа по разрядной...

Номер патента: 879804

Опубликовано: 07.11.1981

Авторы: Залуцкий, Корбут, Терещатов

МПК: H04L 11/08

Метки: генератора, импульсов, многоуровневой, последовательности

...поступивших в, блок 3 сравнения из регистра 12 или из блока 14 умножения, соответствующее устройство сравнения блока 3 сравнения выработает сигнал, который посылается в соответствующий счетчик совпадений блока 15 счетчиков или, если совпадение кодов произошло в устройстве 3.1 сравнения, сразу в третий элемент ИЛИ 7. Сигнал из блока 3 сравнения поступает также на второй вход одного из триггеров блока 19 управления ключами, если совпадение кодов произошло не в устройстве 3,1 сравнения, и поступает в первый элемент ИЛИ 4. С приходом такого сигнала первый элемент ИЛИ 4 закроет тактовый ключ 18, блокируя этим дальнейшую работу генератора 1 последовательности импульсов, пошлет сигнал на первый управляющий вход решающего блока 16, во...

Номер патента: 1213474

Опубликовано: 23.02.1986

Автор: Березкин

МПК: G06F 13/00, G06F 15/16

Метки: блоков, коммутации, многоуровневой, памяти, процессоров

...в устройстве3 пути передачи информации удерживаются при наличии на соответствующемвходе единичного сигнала запроса,после снятия которого элементы устройства 3 освобождаются для постро=ения очередного пути для связи про -цессора с блоком памяти,Матричные коммутаторы -го уровня (группы) коммутации модулей коммутации запросов и модулей коммутацииданных связаны своими выходами с вхо"дами матричных коммутаторов (К )-гоуровня (группы) коммутации того же модуля по прпщипу двоичного дерева, При этом обеспечивается полнодоступная связь на первом уровне коммутации между парой входов (четным и нечетнымвходами) и парой выходов каждого матричного коммутатора первого уровня.На втором уровне между четверкой10 входов и четверкой выходов двух мат -ричных...

Номер патента: 1494210

Опубликовано: 15.07.1989

Авторы: Погрибной, Тимченко

МПК: H03H 17/06, H03M 3/04

Метки: дельта-модуляцией, многоуровневой, фильтр, цифровой

...14 считывается сигнал нулевого уровня, соответствующий знаку+" коэффициента с индексом шо и по заднему фронту сигнала (Фиг. 2 в) значение шага Б 1 записыва(юЪ ется в накапливающий сумматор 6, на выходе которого формируется произведение1Через К С К 1 тактов на втором выходе блока 14 памяти формируется единичное значение сигнала (фиг. 2 в), соответствующее изменению знака коэффициентов. Это не изменяет состояния сумматора 6 и поэтому в момент 1: , соответствующий30 считыванию из блока памяти 14 первого индекса второй группы коэффициентов. (3=2), по заднему Фронту сити ла (Фиг. 2 в) производится суммирование. ранее записанного в сумматоре б сиг нала с выходным сигналом модулятора 1. В результате этого на выходах сумматоров формируется...

Номер патента: 1587624

Опубликовано: 23.08.1990

Автор: Тимченко

МПК: H03H 17/06, H03M 3/04

Метки: дельта-модуляцией, многоуровневой, фильтр, цифровой

...с момента времени когда на выходе дешифратора 7 появляется импульс (фиг.Зб). Пусть в этом п-м периоде дискретизации состояние счетчика 3 равно р 1=п шос 1(И+Ь),(йкр =О, И+1,-2. Тогда значение шага(а фБзаписывается в р 11 -ю ячейку блока 12 памяти, а ца информационные входы сумматора 23 подаются в циклическом порядке К ,1 значений нагов квантова 2410ния, записанных в блоке 12 по адресам 1 К носа(И+Ь)=р +с 1,Р +/заднему Фронту тактового сигнала(фиг.За) эти шаги суммируются в сумматоре 23 и после поступления К 1 ф 1тактовых импульсов ца втором выходеблока 9 памяти генерируется импульс(фиг,З), поступающий ца первый входэлемента И 27. Из этого импульса навыходе блока 27 Формируется импульс(фиг.Зг), по переднему Фронту которого накопленное...

Номер патента: 1661968

Опубликовано: 07.07.1991

Автор: Тимченко

МПК: H03H 17/06, H03M 3/04

Метки: дельта-модуляцией, многоуровневой, фильтр, цифровой

...=1, поступают на входы суммато 30 ра 7 и отсчеты, умножаемые на значениекоэффициента В 1=2, - на входы сумматора 8.На входах сумматоров 5 - 8 формируютсясуммы указанных отсчетов входного сигнала, которые одновременно на их выходах35 преобразуются (при необходимости) в своедополнение для выполнения операции вычитания - на выходах сумматоров 5 и 6. Врезультате этого на выходах сумматоров 5 -8 формируются частичные суммы В 1 Х40,Лх , х,г, поступающие на входы седьмого сумг=1матора 11, Умножение на число 2 учитывается при формировании частичных сумм45 путем сдвига их двоичного представленияна единицу в сторону старших, разрядов,На выходах седьмого сумматора 11 иззначений сигналов на выходах первого -шестого сумматоров 5 - 10 формируется пе...

Номер патента: 1661969

Опубликовано: 07.07.1991

Автор: Тимченко

МПК: H03H 17/06, H03M 3/04

Метки: дельта-модуляцией, многоуровневой, фильтр, цифровой

...последовательности,Одновременно на управляющие входы 10подаются управляющие сигналы, в результате чего устанавливаются связи)-го выходаблока 1 задержки 0=ГМ) с одним из входов1-го комбинационного сумматора 3,1, 1=1, 1 5 В последнем случае исключено нулевое зна-,чение,Проведем группирование шагов квантования входного сигнала по одинаковым значениям коэффициентов, Число шагов10 квантования импульсной характеристики вкаждой группе К), а М К 1, Тогда вы=1ражение (2) можно переписать в виде157 у=РНх з)группы. Связи устанавливаются таким образом, что все отсчеты входного сигнала (хп-гп, щй(1,М, умножаемые согласно формуле цифровой свертки (2) на одинаковое значение коэффициента, поступают на входы )-го сумматора 3. группы.Затем...

Номер патента: 1674377

Опубликовано: 30.08.1991

Автор: Тимченко

МПК: H03M 3/04

Метки: дельта, многоуровневой, модуляции

...формируется некоторая случайная последовательность (К), имеющая заданный по входам 10 закон распределения и нулевое среднее, Двоичный сумматор 3 выполняет суммирование значе 10 ний с выходов квантователя 2 и преобразователя 7 Я 1 ) = Р )+ Кь в результате чего на(х)выходах 11 формируется дельта-модулированный сигнал, равный указанной сумме,Одновременно значение Ь поступает на входы накапливающего сумматора 5, где суммируется при поступлении очередного тактового импульса с содержимым накапливающего сумматора 5, выходной сигнал которого, преобразованный ЦАП 4 в 15 20 Таким образом, в устройстве производится разрушение регулярной структуры шума квантования разностного сигнала, выаналоговую форму, является сигналом аппроксимации Я(1)...

Номер патента: 1683172

Опубликовано: 07.10.1991

Автор: Тимченко

МПК: H03H 17/06, H03H 3/04

Метки: дельта-модуляцией, многоуровневой, фильтр, цифровой

...содерх(а(цая в одном периоде "дискретиаации р 1 импул ( Импул( сы (ьэлемента 9, врсменное положение которыхс точностью до времени аадержки В элементе ЗАПРЕТ 9 соответствует импульсам с деЛИТЕЛя 7 фИГ.Эб), Постгпают На ВХОДформирователя Э, За счет рваного числа имПУЛЬ( ОВ В ПОСЛЕйовате) ЬНОг" (Ях С ВЬ)Хогг)а г)глителя 7 и алемен 3 ЗА"Е Г 9 33 период ",.дЭДАСКРВТИБ) (с)И ) , 0(у )8(ГГВЛ 8) ВСЯ )РСЦ")0)У"ляция адресов блока 14 памяти относ)ительно значений сигнала на первых Вьходахформирователя 2 - В кяхк)дом следуюгцемп 8 риОД 8 Гд адреса яч 88)к блока 14 смегдаЯТСЯ На ЕДИНИЦУ В Сто)")ОНУ ОГСГ 333 НИЯ О( СПстояния формирователя 2, Таким ОбрЯБои,Отсчеты Входного сигнала (Хп) иО)ИГ,38 33 ПУСЬ КОТОРЫХ ПРОИЗВОДИ ГСЯ БблОк 14 памяти ВсВГД 8...

Номер патента: 1716607

Опубликовано: 28.02.1992

Автор: Тимченко

МПК: H03H 17/06, H03M 3/04

Метки: дельта-модуляцией, многоуровневой, фильтр, цифровой

...на вторые входывсех перемножителей 6,1,= 1,М. На первыйвход перемножителя 6. с входа 11,1 поданозначение весового коэффициента ИХ вформате ИКМ: Ьмч. На выходе перемножителя 6, формируется произведение УпЬм,которое складывается в сумматоре 5созначением 3-+(м-(-1, вычисленным в(1-1)блоке 5.(1-1) в (М)-ом такте времени Тп= цТд,п=1 ц,С учетом того, что на первые входы двоичного сумматора 5.1 подан сигнал нулевогозначения с источника 7 кода, на выходе буферного регистра 4. формируется значениесигналаДля 1-М-го регистра 4 число слагаемыхэтой суммы равно М, а значение Ь = 7 уг,(м)м - 1где уК = МУп-п - первая разность,в=оформируемая на выходе блока 4,М из последовательности произведений УпЬмч, Учитывая выражение для (Уп), можно записатьМ -...

Номер патента: 1499604

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Газизов, Иванковский, Красин, Луцкий, Стасюк

МПК: H01L 21/82

Метки: диэлектрической, изоляции, интегральных, многоуровневой, разводкой, рельефа, сглаживания, схем

...с планарных участков .структуры нелегированного поликремния, в 25 результате чего образуются сглаженныепристеночные области ЯО 7 элементов первого уровня разводки (фиг,4). Далее стравливают окисел с поверхности подложки и с поверхности элементов первого уров ня разводки. При этом между легированнымполикремнием и нелегированным поли- кремнием пристеночных областей остается окисел 8 (фиг.5). Формируют на поверхности подложки и поликремниевых элементов 35 первого уровня разводки изолирующийслой 9 (фиг.6). Наносят на поверхность подложки слои 10 проводящего материала, затем маску 11 с рисунком второго уровня разводки, травят проводящий материал в 40 областях, не защищенных маской (фиг.7).Примеры реализации способа.П р и м е р 1. На...

Номер патента: 1814434

Опубликовано: 27.09.1996

Авторы: Бычок, Макарова, Нижникова, Становский, Терехов

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, многоуровневой, разводки, схем

...контактных окон. Использование в качестве плазмообразующего газа СНРз или СР 4 + Н 2 порождает трудности, связанные с низкой скоростью травления диэлектрика и наличием полимерной пленки на дне контактного окна, Нижняя граница времени травления выбрана с учетом необходимости вытравливания максимальной толщины межуровневого диэлектрика. Верхняя граница выбрана с целью предотвращения образования полимерной пленки на дне контактного окна. Экспериментально установлено, что при перетраве диэлектрика, находящегося на поверхности пленки на основе алюминия, в1814434 ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ течение времени более 75;4 от времени травления пленки происходит образование полимера на дне контактных окон, для удаления которого требуются спецобработки. Выбор...

Номер патента: 1736304

Опубликовано: 20.03.1998

Авторы: Валеев, Волк, Воротилов, Петровский

МПК: H01L 21/324

Метки: диэлектрического, изолирующего, интегральных, металлизации, многоуровневой, планаризации, слоя, схемах

Способ планаризации изолирующего диэлектрического слоя многоуровневой металлизации в интегральных схемах, включающий нанесение плазмохимическим методом на поверхность интегральной схемы с металлизацией первого слоя диоксида кремния, последующее нанесение пленкообразующего спиртового раствора тетраэтоксисилана, отжиг при 100-150oC при нагревании со стороны подложки с образованием планаризующего слоя диоксида кремния, плазмохимическое травление этого слоя, нанесение второго слоя диоксида кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения качества планаризации за счет устранения растрескивания и отслаивания слоев диоксида кремния, нанесение пленкообразующего раствора производят при температуре подложки 40-60oC, а отжиг...

Номер патента: 1373140

Опубликовано: 20.04.2000

Автор: Ким

МПК: G01N 24/00

Метки: времен, многоуровневой, поперечной, релаксации, спин-системе

Способ измерения времен поперечной релаксации в многоуровневой спин-системе, включающий периодическое, с периодом T0, двухчастотное возбуждение двух соседних переходов многоуровневой спин-системы парами РЧ-импульсов, разделенных временным интервалом между ними, регистрацию сигналов спинового эха и определение времен поперечной релаксации на обоих переходах, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности и упрощения способа, период следования пар РЧ-импульсов уменьшают, регистрируя в процессе уменьшения сигналы спинового эха до моментов регистрации максимумов амплитуд сигналов спинового эха на обоих переходах, по временам проявления максимумов на каждом из переходов...

Номер патента: 1655252

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Лесникова, Малышев, Попов, Солодуха, Турцевич

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, микросхем, многоуровневой, разводки

Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных микросхем, включающий формирование нижнего уровня разводки нанесением слоя алюминия или его сплавов на подложку со сформированными активными и пассивными элементами, создание микрорисунка в нижнем уровне разводки, проведение имплантации, формирование межуровневой изоляции, вскрытие контактных окон и формирование верхнего уровня разводки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и надежности разводки за счет уменьшения вероятности короткого замыкания между элементами разводки, имплантацию проводят ионами меди перед созданием микрорисунка в нижнем уровне разводки с энергией 30-100 кэВ и дозой...

Номер патента: 1491266

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Домбровский, Кисель, Красницкий, Смаль, Турцевич

МПК: H01L 21/28

Метки: мдп, многоуровневой, разводки

Способ изготовления многоуровневой разводки МДП ИС, включающий последовательное нанесение слоев нитрида кремния и нелегированного поликристаллического кремния на окисленную кремниевую пластину со сформированной активной структурой, легирование слоя поликристаллического кремния примесью, формирование на нем маски, соответствующей рисунку нижнего уровня разводки, стравливание участков слоя нитрида кремния, незащищенного маской, удаление маски, формирование межслойного диэлектрика и верхнего уровня разводки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества разводки путем уменьшения количества закороток между элементами разводки, маску формируют после нанесения слоя нелегированного...

Номер патента: 1563516

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Ковалевский, Коваленко, Семенов, Турцевич

МПК: H01L 21/316

Метки: интегральных, многоуровневой, разводки, схем

Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных схем, включающий нанесение слоя алюминия на кремниевую подложку со сформированными активными и пассивными элементами, формирование рисунка нижнего уровня разводки, создание межуровневой изоляции последовательным нанесением первого слоя двуокиси кремния при 250-300°С и второго слоя двуокиси кремния, вскрытие контактных окон к нижнему уровню разводки и формирование верхнего уровня разводки из алюминия, термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных и надежности разводки интегральных схем за счет уменьшения механических напряжений, первый слой двуокиси кремния наносят толщиной 0,15-0,25 мкм в плазме...

Номер патента: 1575832

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Белицкий, Казачонок, Колешко, Красницкий, Солодуха, Таратын, Турцевич

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, микросхем, многоуровневой, разводки

Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных микросхем, включающий формирование нижнего уровня разводки нанесением слоя сплава алюминия с кремнием на кремниевую подложку со сформированными активными и пассивными элементами, проведение ионной имплантации в этот слой, создание микрорисунка в нижнем уровне разводки, термообработку полученной структуры, формирование межуровневой изоляции, вскрытие контактных окон в ней к нижнему уровню разводки и формирование верхнего уровня разводки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и надежности разводки за счет уменьшения вероятности короткого замыкания между ее элементами, имплантацию в слой сплава алюминия с кремнием проводят...

Номер патента: 1694015

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Воронин, Малышев, Мамедов, Солодуха, Турцевич

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, многоуровневой, разводки, схем

Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных схем, включающий формирование на полупроводниковой подложке с активными и пассивными элементами слоя алюминия или его сплавов с микрорисунком нижнего уровня разводки, формирование межуровневой изоляции с контактными окнами к нижнему уровню, формирование слоя проводящего материала с микрорисунком верхнего уровня разводки, имплантацию ионов металлов в слой материала уровня с энергией 30-150 кэВ, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных и увеличения надежности интегральных схем за счет уменьшения деградации параметров разводки, имплантацию в слой материала нижнего и/или верхнего уровня разводки проводят ионами металлов...