Патенты с меткой «сбис»

Номер патента: 1483627

Опубликовано: 30.05.1989

Авторы: Заболотный, Максимов, Петричкович

МПК: H03K 19/00, H03K 19/092

Метки: интегральная, сбис, сверхбольшая, схема

...с несекционированной линией. Изобретение относится к микроэлектронике, вычислитеЛьной и импульснойтехнике и может быть использовано припроектировании линий связи и цепейсинхронизации СВИС, в том числе наКМДП-структурах.Цель изобретения - повышение быстродействия СВИС при одновременномрасширении функциональных возможностей.На чертеже представлена схема парафазного секционированиялиний связиКМДП СБИС.СБИС содержит первый 1 и второй 2 15двухтактные инвертирующие каскады(прямую) 4 и вторую (инверсную) 5линии связи, разделенные соответст ф о р м у л авенно на секции 44 г4;,+1,,4 и 51 ф 5 г, ,5;,5;,ф,5 к причем выходы первого 1 и второго 2двухтактных инвертирующих каскадовкаждой СПЗ 3 (3,3 3;,3; ,, 25,) соединены с входами соответствующих...

Номер патента: 1559975

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Артамонов, Ахинько, Гольдберг, Емельянов, Зыбин, Ильичев, Инкин, Кравченко, Липшиц, Полторацкий, Родионов, Шелюхин

МПК: H01L 21/283

Метки: арсениде, галлия, затвором, полевых, сбис, создания, транзисторов, шоттки

1. Способ создания полевых транзисторов с затвором Шоттки для СБИС ЗУ на арсениде галлия, включающий формирование истоковых и стоковых областей, нанесение защитного слоя, вскрытие в нем окон с помощью фотолитографии, локальное окисление подзатворной области, удаление оксида, формирование металлизации затвора, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных схем путем увеличения точности задания пороговых напряжений транзисторов посредством влияния на степень нестехиометрии поверхностного слоя арсенида галлия, локальное окисление проводят методом термического окисления в атмосфере сухого кислорода при 400 600oС в течение 5 90 мин, а удаление оксида проводят методом термического отжига в атмосфере водорода при 600...

Номер патента: 1814435

Опубликовано: 27.07.1996

Авторы: Корешков, Родин, Сасновский, Турцевич, Цыбулько

МПК: H01L 21/28

Метки: алюминия, изготовлении, плазмообразующая, плазмохимической, разводки, сбис, смесь, сплавов

...алюминия и его сплавов происходит уменьшение вероятности коррозии разводки и затрава в межслойный диэлектрик,Верхний предел содержания кислорода в смеси, равный 55 об,; обусловлен увеличением радиационных повреждений и разбавлением смеси, это приводит к увеличению вероятности коррозии разводки алюминия и его сплавов.Нижний предел содержания кислорода в смеси, равный 45 об,о обусловлен снижением скорости травления фоторезиста и уменьшением толщины защитной пленки на боковой поверхности разводки, что приводит к увеличению вероятности коррозии разводки алюминия и его сплавов,Верхний предел содержания гексафторида серы в смеси, равный 25 об, обусловлен увеличением скорости травления двуокиси кремния, что приводит к увеличению затрава...