H01L 21/445 — из жидкости, например электролитическим осаждением

Номер патента: 1335062

Опубликовано: 10.08.1996

Авторы: Анисимова, Лазарев, Филипченко, Якорев

МПК: H01L 21/445

Метки: aiiibv, палладирования, поверхности, полупроводниковых, соединений, типа

Способ палладирования поверхности полупроводниковых соединений типа AIIIBV, включающий очистку поверхности, осаждение палладия из водного раствора двуххлористого палладия, отмывку и сушку поверхности, отличающийся тем, что, с целью повышения качества метал- лизации и снижения расхода палладия, осаждение пленки палладия ведут из раствора с концентрацией двуххлористого палладия от 0,005 до 0,01 мас. содержащего 1-1000 кг/м3 соляной кислоты, при температуре 293-298 К.