Колмакова

Номер патента: 1593513

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Башевская, Колмакова, Пащенко, Тюнькова

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, пластин, предэпитаксиальной

Способ предэпитаксиальной очистки пластин арсенида галлия, включающий обработку в травителе, содержащем перекись водорода и воду, промывку в деионизованной воде, промывку в концентрированном водном аммиаке, повторную промывку в деионизованной воде и сушку, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества поверхности пластин за счет снижения уровня загрязнения углеродом, обработку проводят в травителе, дополнительно содержащем хлористый натрий и водный аммиак, при следующем количественном соотношении ингредиентов, мас.ч.Водный аммиак (25%) 1Перекись водорода (30%) 1,5 2,18Вода 1,09 5,45Соль щелочного металла 0,0218 0,0981при этом обработку проводят в течение 15 20 мин.

Номер патента: 1582921

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Колмакова, Пащенко, Сарманов

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, консервации, межоперационной, пластин

Способ межоперационной консервации пластин арсенида галлия, включающий очистку поверхности пластин от углеродосодержащих загрязнений, обработку в концентрированной перекиси водорода, отмывку в деионизованной воде, сушку в потоке инертного газа, отличающийся тем, что, с целью увеличения времени консервации уровня углеродосодержащих загрязнений, обработку в концентрированной перекиси водорода проводят в течение не менее 5 мин, а после сушки в потоке инертного газа половину пластин дополнительно обрабатывают в концентрированном растворе водного аммиака в течение не менее 3 мин, сушат в потоке инертного газа и не более чем через 12 мин приводят в контакт попарно рабочие поверхности пластин, обработанных только в концентрированной перекиси...

Номер патента: 1559980

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Башевская, Колмакова, Пащенко, Сарнацкий, Тюнькова

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, поверхности

Способ очистки поверхности арсенида галлия, включающий химико-механическую полировку поверхности арсенида галлия, окисление поверхности путем химической обработки в концентрированном растворе перекиси водорода при одновременном воздействии ультразвука, удаление окисла с поверхности, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества очистки за счет снижения уровня углеродных загрязнений, окисление поверхности проводят не более чем через 10 мин после химико-механической полировки в растворе, дополнительно содержащем соль щелочного металла, при следующем соотношении ингредиентов, мас.Соль щелочного металла 2 7,4Перекись водорода (30%-ная) Остальноев течение 7 15 мин.

Номер патента: 1725704

Опубликовано: 20.09.1996

Авторы: Башевская, Белов, Заказнова, Колмакова, Рогов, Тюнькова

МПК: H01L 21/302

Метки: пластин, полирования, полупроводниковых

Способ полирования полупроводниковых пластин, включающий наклейку на каждый спутник трех пластин, размещение спутников в гнездах кассеты на полировальнике, воздействие на пластины вращающегося полировальника и абразивного состава при нагружении пластины, отличающийся тем, что, с целью повышения точности обработки, обработку пластин ведут при линейной скорости точки полировальника, совпадающей с положением центра кассеты, от 1,4 до 2,4 м/с и давлении от 5 до 7 кПа, причем используют абразивный состав динамической вязкостью 4 8 сП.

Номер патента: 1544111

Опубликовано: 27.02.1996

Авторы: Захаров, Колмакова, Матвеев, Тимир-Булатов

МПК: H01L 21/306

Метки: ga1-xalxas, гетероструктурах, многослойных, слоев, толщин

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОЛЩИН СЛОЕВ GaAs И Ga1-xAlxAs В МНОГОСЛОЙНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ, включающий локальную обработку слоя GaAs в травителе на основе концентрированной перекиси водорода и концентрированного водного раствора аммиака при комнатной температуре и локальную обработку слоя Ga1-xAlxAs в концентрированном водном растворе галогеноводорода, замер толщины образовавшихся ступенек интерференционным методом, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения толщины в слоях GaAs и Ga1-xAlxAs, где x 0,1, локальную обработку слоя GaAs...

Номер патента: 1542332

Опубликовано: 20.02.1996

Авторы: Авдеев, Колмакова, Матвеев, Мкртчан

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, поверхности, полупроводниковых, структур

СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ, включающий обработку в травителе на основе перекиси водорода и удаление кислородсодержащих примесей с поверхности химической обработкой, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества полупроводниковых структур арсенида галлия за счет снижения уровня загрязнения поверхности углеродом и сохранения геометрических размеров структур, в качестве травителя на основе перекиси водорода используют концентрированный водный раствор перекиси водорода и обработку в нем проводят в течение 5 - 10 мин, затем промывают структуры деионизованной водой в течение 10 - 15 мин, а кислородсодержащие примеси удаляют химической обработкой в концентрированном водном растворе аммиака в...

Номер патента: 1373232

Опубликовано: 10.01.1996

Авторы: Авдеев, Колмакова, Матвеев, Пащенко

МПК: H01L 21/20

Метки: индия, локальных, структур, фосфида, эпитаксиальных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛОКАЛЬНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР ФОСФИДА ИНДИЯ, включающий создание защитной маски, формирование углублений в подложке, удаление защитной маски и эпитаксиальное заращивание углублений в подложке, отличающийся тем, что, с целью улучщения качества локальных эпитаксиальных структур за счет устранения высокоомного слоя в переходной области подложка - эпитаксиальный слой, перед эпитаксиальным заращиванием углублений подложку обрабатывают в плавиковой кислоте при 80 - 106oС в течение 5 - 15 мин.

Номер патента: 1335056

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Авдеев, Зотов, Колмакова, Матвеев

МПК: H01L 21/28

Метки: барьером, индия, полупроводниковых, приборов, фосфиде, шоттки

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ НА ФОСФИДЕ ИНДИЯ, включающий химическую обработку поверхности пластин фосфида индия, включающий химическую обработку поверхности пластин фосфида индия, включающий химическую обработку поверхности пластин фосфида индия, включающий химическую обработку поверхности пластин фосфида индия, напыление в вакууме неактивного металла и формирование контактов, отличающийся тем, что, с целью увеличения пробивных напряжений за счет увеличения высоты барьера Шоттки, химическую обработку пластин фосфида индия осуществляют в плавиковой кислоте при температуре от 80 до 106oС в течение не менее 5 мин, а испытание неактивного металла производят через время, не превышающее 60 мин на...

Номер патента: 1316488

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Авдеев, Гантман, Колмакова, Матвеев, Пащенко

МПК: H01L 21/26

Метки: локальных, структур, эпитаксиальных

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЛОКАЛЬНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР в хлоридном газотранспортном процессе, включающий заращивание углублений в подложке от боковых граней при подаче входного давления треххлористого мышьяка, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества локальных эпитаксиальных структур GaAs за счет уменьшения толщины переходного слоя, перед заращиванием углублений подложки облучают протонами дозой 6 12 мКл/см2 и проводят заращивание при входном давлении треххлористого мышьяка 20 66 Па.

Номер патента: 1715133

Опубликовано: 20.08.1995

Авторы: Башевская, Заказнова, Колмакова, Рогов, Тюнькова

МПК: H01L 21/302

Метки: арсенида, галлия, пластин, полирования, химико-механического

СПОСОБ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОГО ПОЛИРОВАНИЯ ПЛАСТИН АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ, включающий обработку пластины вращающимся полировальником и полирующим составом, содержащим абразив, сульфаминовую кислоту, пероксид водорода, поверхностно активное вещество и воду, отличающийся тем, что, с целью улучщения плоскостности пластин при сохранении качества поверхности, химико - механическое полирование проводят в два этапа на одном полировальнике, причем на первом этапе удаляют 80 95% припуска полирующим составом, содержащим в качестве абразива натриевый цеолит, а на втором этапе удаляют 5 20% припуска полирующим составом, содержащим в качестве абразива силиказоль, а в качестве поверхностно активного вещества используют сульфанол при следующем содержании...

Номер патента: 1580873

Опубликовано: 30.11.1994

Авторы: Колмакова, Сарнацкий

МПК: C23C 16/00

Метки: газовой, осаждения, слоев, фазы

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОСАЖДЕНИЯ СЛОЕВ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ, содержащее герметичную камеру с внешним нагревателем, подложкодержатель с горизонтальными дисками для размещения подложек и газовый ввод, расположенный по оси подложкодержателя, отличающееся тем, что, с целью повышения качества осаждаемых слоев за счет равномерности распределения газового потока, оно снабжено дополнительным подложкодержателем с приводом вращения и диском обтекателем, установленным на конце газового ввода, при этом дополнительный подложкодержатель выполнен в виде замкнутого стакана с дисками, смонтированными на внутренней поверхности стакана между дисками основного подложкодержателя с возможностью регулирования зазора между плоскостями смежных дисков, причем диски...

Номер патента: 1467932

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Гелюк, Колмакова, Никольская, Росоловский, Титова

МПК: C01B 15/055

Метки: калия, пероксогидрата, фторида

...в сухом продукте; Нг 02 36,8%, К 42,6%, Вычглслено для КРН 202: Н 20 36,9%, К 42,4%. Степень разложения (а)за 360 мин при 8 ООС составляет 0,7 , константа скорости распада (К 10, минэ80) равна 0,13, за 35 суток продук(разлагается на 1,7%П р и м е р 2. К 94 г твердого дигидрата. Фторида калия добавляют 4,7 г КНР 2 (5% КНР от КГ 2 Н 20) и сухуго смесь добавляют к 170 г 20%-ного водного раствора перекиси водорода. Образовавшийся раствор выдерживагот в вакууме при 40 - 45 С до получения. сухого вещества, Получают 98 г твердогопродукта, Содержание в.продукте; Н 202 36,8%, К 42,3%, Степень разложения (а 1 за ость. образцов устав изотермических условиях ( егося кислорода, Вычисляют с ысляю онстату скорос овиях, приближенных к естес вых...

Номер патента: 1550832

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Колмакова, Лурик, Никольская, Росоловский, Титова

МПК: C01B 13/02, C01B 15/055

Метки: активного, кислорода, состав

...скорости распада при . 80 С равна К 0,11 О- мин(для ами: методом измереспада в иэотермнческих оС (измеряют объем выорода и рассчитывают ти реакции распада) я скорости разложения лиженных к естественродукт хранят в заопри 50 С и через оп-, жутки времени провоналиэ и вычисляют ия).К 00 г ЗЗХ-ного и водорода добанляют слоты (1 Х) и 0,9 1 г м добавляют 91,2 г бразовавшцддся раствор1550832 металл, полимеры, что приводит к снижению материальных затрат.Широкий ассортимент добавок в пред- лагаемом составедает возможность их выбора при различном назначении состава, что приводит к улучшению качества, например качества кислорода (отсутствие в нем посторонних газов), отбеливания, дезинфекции и т.д. ф о р м у л а и,з о б р е т е н и я...

Номер патента: 1780965

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Грибанов, Дунаевская, Егоров, Зубова, Игнатов, Исхаков, Карзов, Козлов, Колмакова, Королев, Красник, Кружков, Павлов, Ходасевич, Щербинина

МПК: B23K 35/30, C22C 38/50

Метки: сварочного, состав

...наплав- счет отсутствия сигматиэации после термиленный металл. При введении К более 25. ческой обработки. При этом относительное0,03стабильность горения дуги нарушает- удлинение составляет 30 - 32, относителься ное сужение - 60-65%, а значения ударной:Для подтверждения сказанного были вязкости - 120-180 Дж/см,изготовлены (см. табл, 1) 3 плавки предлага-Сопротивление хрупкому разрушениюемой сварочной ленты (1 Ф 1 - 3) и 2 плавки с 30 зоны сплавления при использовании предзапредельным содержанием элементов (М, лагаемой ленты также выше,.чем при ис 4-5). .пользовании известных материаловза счетКрометого,длясравнениябылаисполь- более йиэкого содержания углерода в назована известная лента марки СаХ 25 Н 13 плавленном металле(табл. 3) при...

Номер патента: 1776692

Опубликовано: 23.11.1992

Авторы: Афонина, Булдаева, Загребельный, Ким, Колмакова, Курбатова, Кускова, Пупкова, Стальная, Старостина, Тигранян, Чимитова, Яцентюк

МПК: C12Q 1/28, G01N 33/48, G01N 33/573 ...

Метки: глюкозы, концентрации, крови, реагент, сыворотке

...0,019 мг/мл и больше 0,056 мг/мл глюкоза определяется неправильно (Ь 8, 9).П р и м е р 3. Проведение анализа аналогично примеру 1, концентрации компонентов и результаты анализа представлены в табл, 3.Как видно из табл. 3, наборы правильно определяют глюкозу при концентрации фенола от 0,27 до 1,29 мг/мл (М 1 - 3), и при концентрациях ЛСА от 0,1 до 10 мг/мл (В 6 - 12). При меньшем содержании фенола - 0,20 мг/мл (В 4) и большем содержании фенола - 1,42 мг/мл (М 5) и ЛСА - 111776692 0,25 - 2,0 Ед Таблица 1еюа вееватевеюи июи втвеютвиаиивиттиНаименование и концентрация компонентов Определеноглюкозы,ммоль/л Отношение ГОД к пероксидазее 1 В 1 мл 0,1 моль/л фосфатного буферного раствора рН 7,0+0,5; ГОД 4,5 ед.акт./мл; пероксидазы 0,25...

Номер патента: 1756452

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Колмакова, Малофеев, Папакин, Смирнов, Филимендиков

МПК: E01C 23/07

Метки: дорожных, несущей, одежд, способности

...рычага, падающее колесо выполнено сплошным из эластичного материала с модулем упругости 150 - 300 МПа, регистрирующее приспособление выполнено в виде обгонной муфты вращения двуплечего рычага и измерителем угла его отскока, а падающее колесо закреплено с возможностью вращения на конце двуплечего рычага, причем двуплечий рычаг снабжен противовесом с возможностью его закрепления в любой точке двуплечего рычага, а падающее колесо выполнено шарообразной формы.На чертеже показано устройство, общий вид.Устройство содержит транспортное средство 1, сцепным приспособлением 2 связанное с тягачом 3. Посредством обгон ной муфты 4 на транспортном средстве 1 закреплен двуплечий рычаг 5, снабженный противовесом б и падающим колесом 7, выполненным...

Номер патента: 1742869

Опубликовано: 23.06.1992

Авторы: Гайданский, Колмакова, Милов, Неделько

МПК: H01F 5/02

Метки: магнит, поперечный

...0 ий найдено.с помощью оптимизационной,процедуры из условия максимальной ве"личины поля при заданной площади сечения обмотки .Величина зазора й также должнабыть оптимальной. Ири малом зазоре.возрастает превышение величины маг"нитного поля в точках перехода рабочей зоны в зону зазора над полем в.центральной точке и увеличиваетсякрутизна криволинейного участка. При,большом зазоре падает величина поляв рабочей зоне и сильно ухудшаетсяоднородность поля в рабочей зоне. Величины й, Е, М, и коэффициенты а в Формуле для функции й(х), представленной в виде стандартного разло",жения в ряд по косинусам, йайдены с помощью оптимизационной процедуры из . условия, минимума Функционала, являюще" гася характеристикой степени одно" родности магнитного...

Номер патента: 1705888

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Довидович, Ковалев, Колмакова, Милов, Неделько, Синицын

МПК: H01F 5/02

Метки: соленоид

...кривой, описывающей волнообразную форму каркаса соленоида в виде ряда по косинусам (1) и нахождение коэффициентов ряда из условия минимума функционала неоднородности (2) позволяет предложить форму идеальной кривой, теоретически обеспечивающей однородность до 10 на половине длины соленоидавэоне-8центральной оси. Однако, относительно большая крутизна кривой, описывающей форму каркаса, может затруднять намотку соленоида, Оказывается, что достаточно высокая однородность поля 10 на половине длины соленоида достигается и при значительно меньшей крутизне кривой, описывающей форму каркаса, что позволяет существенно упростить технологию изготовления соленоида.Коэффициенты ак в (1) зависят от толщины обмотки. Определение этих...

Номер патента: 1639912

Опубликовано: 07.04.1991

Авторы: Колмакова, Янченко

МПК: B23K 11/10

Метки: контактной, сварки

...автономного узла. Дпя регулирования расходов воздуха и водыпредусмотрены вентили 11 и 12.Устройство работает следующим образом.В начале сварочного цикла давлениевоздуха в пневмоприводе 9 сварочной машины повышают (процесс сжатия стержней), что вызывает перемещение золотникареле 7, При этом в реле канал подачи сжатого воздуха в насадок 1 из магистральныхвоздухопровода 5 открывает"я, а канал подачи в насадок воды перекрывается. На выходе из насадка 1 формируется поток воздуха, который увлекает вредные вещества,образующиеся в зоне сварки, в приемноеустройство 4. Процесс локализации вредных веществ прекращается в конце сварочного цикла при снятии усилия сжатия, таккак давление воздуха в пневомприводе 9падает и золотник реле 7 возвращается...

Номер патента: 1571076

Опубликовано: 15.06.1990

Авторы: Колмакова, Соболев, Холуев, Щека

МПК: C21B 7/24

Метки: доменной, печи, программного, распределением, шихты

...+270 по отношению к исходному,Коммутацию цепей задания углов поворота распределителя к шинам реле угловвыполняют в соответствии с заранее подготовленной технологической расчетной таблицей схемы поворота распределителя сучетом смещений к заданному исходномууглу данного положения программь дляпорций шихты одной подачи, а также с учетом компенсации углов рассогласованияобъемных гребней, изменяющихся в процессе эксплуатации при замене засыпныхаппаратов в период капитальных ремонтов.Несимметричная подача порций шихтыв воронку засыпного аппарата вызывает образование одностороннего объемного "максимума" ("гребня") каждой порции,положение которого характеризуется горизонтальным углом с вершиной на оси печимежду направлением на гребень и...

Номер патента: 1566159

Опубликовано: 23.05.1990

Авторы: Алиев, Иткин, Колмакова, Кузьмин, Хожметов, Хромова

МПК: F16L 21/08, F16L 47/06

Метки: пластмассовых, соединение, трубопроводов

...кольцевых канавок, причем одна в центре, а две другие - симметрично по краям (фиг, 1). В канавки установлены поджимающие уплотнительные кольца 3. Внутренняя поверхность муфты 2 между канавками снабжена кольцевыми выступами 4. Концевые участки пластмассовых труб 1 выполнены с фигурными пазами 5, куда устанавливается упругий уплотнительный элемент 6, например пружина в резиновой оболочке, Соответственно кольцевым канавкам 7 муфты 2 на внешней поверхности пластмассовых труб 1 выполнены выступы-фиксаторы 8. На фиг. 2 показан вариант раструбного соединения с самокомпенсацией, обеспечивающей сейсмостойкость соединения путем введения выступов-фиксаторов 8, упругого уплотнительного элемента 6 соосных пластмассовых труб 1 с фигурными пазами 5 и...

Номер патента: 1498598

Опубликовано: 07.08.1989

Авторы: Ельцов, Колмакова

МПК: B23P 6/00

Метки: ремонта, сваркой

...8Изделие вынимают из печи.П р и м е р. Проводят сварку отверстия на изделии типа полая спица эллиптического сечения иэ магниевого .сплава МЛ 10. С одного из торцов спица имеет заглушку. Размеры спицы: по большой оси 40 мм, по малой оси 25 мм. толщина стенок 4 мм, общая длина 250 мм, диаметр свариваемого отверстия 15 мм. отверстие изделия 1 уст глушку 2, из тигля зали98 3 14985 сплавленное олово 3 (с т.пл. 232 С) в открытое отверстие спицы до уровня вьше расположения дефекта на 80 мм.Подготовленное изделие .устанавливают на сварочный стол дефектным участком5 кверху, После кристаллизации олова 3 удаляют заглушку 2 из отверстия. Сварку осуществляют трехфазной аргонно-дуговой сваркой с помощью горелки 4 типа 10 РГТот источника питания...

Номер патента: 1411620

Опубликовано: 23.07.1988

Авторы: Винниченко, Журавлевич, Колмакова, Сторожев, Чернов

МПК: G01N 1/38

Метки: капелей, смесь, сырьевая

...Плохая 80 20 98,11 99,51 97,48 Хорошая 70 30 60 40 Извести 97,1 ная Составитель М. БондаренкоРедактор Н. Тупица Техред И. Верее Корректор В. ГирнякЗаказ 364688 Тираж 847 ПодписноеВИИИПИ Государственного комитета СССР и делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж 35, Рнуьиская наб., д. 4/511 роизводствснно.полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Гросктная. 4 Изобретение относится к пробирному анализу благородных металлов, а именно к сырьевым смесям для изготовления капелей,и может быть использовано в аналитической химии благородных металлов.Цель изобретения - уменьшение потерь благородных металлов.Пример. Для изготовления капелей по-бочный продукт периклазового производства - уловленный в циклонах периклазовый порошок смешивают в...

Номер патента: 1312526

Опубликовано: 23.05.1987

Авторы: Касаткин, Колмакова, Щека

МПК: G05B 19/02

Метки: доменных, загрузки, механизмами, печей, программного, системы

...контактов 4 и 41 включается реле 5, замыкается цепь отклкчающей обмотки (4 )", реле 4 з отключается. В выходной цепи реле по;ожени 1 замкнута цепь контактов 46, 4 т и4;, 3-го положения программы. Реле 1 вновь отключается после размыкания контакта 5;1. Под действием отключающей обмотки 3" отключается реле 3, подготавливая цепь включающей обмотки 2 к последующему включению реле 2 при переходе на 4-е полокение программы. Последующие переключения реле при переходе на каждое следуюцее положсчие про 1 раммы выполняются ань логично описанному. Г 1 ри этом замыкакший контакт 2, подключает четные реле положений программы, а размыкаощий контакт 21 - нечетные реле положений программы. После и-го положения программа переходит снова на 1-с...

Номер патента: 1127938

Опубликовано: 07.12.1984

Авторы: Колмакова, Любота, Малофеев, Папакин

МПК: E01C 23/07

Метки: дорожных, одежд, прочности

...измерительного стерж(ня 8 индикатора 7 равно вертикальному перемещению шарнирной опоры 4 относительно шарнирных опор 2 рамы 1 О устройства. Изменение положения инди"катора 7 при деформации покрытия неотражается на точности измерений,так как устройство изготовлено конструктивно так, чтобы шарнирная опора4 измерительного рычага 3 располагалась по одной линии с шарнирными опорами 2 Ш-образной рамы 1 и на равномрасстоянии от них (посредине). Изобретение относится к эксплуатации автомобильных дорог, а именно к методам испытаний дорожныходежд нежесткого типа.Наиболее близким к изобретениюявляется устройство для определенияпрочности дорожных одежд, содержащеераму на шарнирных опорах, на которойустановлены измерительный рычаг...

Номер патента: 1126979

Опубликовано: 30.11.1984

Авторы: Колмакова, Фролов

МПК: G06K 5/02

Метки: механизмов, печатающих

...формировате.ля импульсов является входом устройства, введены второй элемент И, элемент ИЛИ и 55 сдвигающий регистр, управляющий вход которого соединен с выходом второго элемента И, установочный вход - с выходом первого эле. мента И, а выход - с первым входом элемента ИЛИ.; первый вход второго элемента Исоединен с выходом фотоприемника, а второйвход соединен с входом формирователя импульсов и с вторым входом элемента ИЛИ,выход элемента ИЛИ соединен с входом эле.мента НЕ,На чертеже показана блок-схема предлагаемого устройства.Устройство содер)кит фотоприемник 1, пер.вый элемент И 2, триггер 3, элемент НЕ 4,формирователь 5 импульсов, элемент ИЛИ 6,второй элемент И 7, а также сдвигающийрегистр 8.Выход фотоприемника 1 соединен с первымвходом...

Номер патента: 1125228

Опубликовано: 23.11.1984

Авторы: Колмакова, Комов, Строганова

МПК: C09K 9/00

Метки: изделиях, излучением, лазерным, покрытий, светопоглощающих, создания, состав, упрочняемых

...основе окисныхпроизводных молибдена и воду 2 .Недостатками известного составаявляются невозможность полученияравномерного покрытия, его большаятолщина, при этом у покрытия низкая микротвердость и небольшая глубина закаленной зоны.Целью изобретения является повы-,шение глубины закаленной зоны покрытия, повышение его микротвердости и5 равномерности при одновременномуменьшении толщины,Поставленная цель достигаетсятем, что состав для создания светопоглощающих покрытий на иэделиях,10 упрочняемых лазерным. излучением сдлиной волны 0,69-10,6 мкм, включающий молибденсодержащее веществои воду, в качестве молибденсодержащего вещества он содержит и -молиб 15 денат-аммония при следующем соотношении компонентов, мас,Ъ:-Молибденат аммонияВода П р и...

Номер патента: 1096236

Опубликовано: 07.06.1984

Авторы: Колмакова, Круглова, Петрова, Прохоренко, Щемер

МПК: C02F 1/58

Метки: аммиак, вод, содержащих, сточных, фториды

...повторная обработка известью карбонизация; удаление осадка СаСО и Са Г, доведение РН Фильтрата щелочью до 12,0-12,5; отгонка аммиака отдувкой его воздухом; нейтрализация очищенной воды до РН 6,5"8,0.Сточную воду, содержащую фториды и аммиак обрабатывают предлагаемым способом по схеме; обработка очищаемой воды 10 Ъ-ным раствором извести при соотношении концентрации Г :Са =1:2; удаление осадка ( Са Г, 51 О 2 и др,); отгонка аммиака отдувкой его воздухом; вторичная обработка воды 10-ным раствором извести; карбонизация раствора током углекислого газа до РН 6,5-8,0; удаление осадка (СаСО и Са Г. ,Результаты очистки промышленнойвоцы от фторидов по ээестной схемепредставлены в табл,1.1096236 Таблица 1 Вода после первичной обработки раствором...

Номер патента: 1072103

Опубликовано: 07.02.1984

Авторы: Ващенко, Зайцев, Колмакова, Решетников, Черных

МПК: H01B 1/02

Метки: композиционный, материал, электропроводный

...электро- проводного материала состоят в высокой стоимости и зависимости электрического сопротивления от влажности воздуха.Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является электропроводный композиционный материал, содержащий порошок металла с покрытием из серебра и органическое связующее 23.Недостатки известного электропроводного материала заключаются в высокой стоимости и низкой влагостойкости. Относительное изменение электрического сопротивления в течение 96 ч при 40 фС и относительной влажности воздуха 96-98 составляет 7-9.Цель изобретения - повышение влагостойкости и уменьшение стоимости.Поставленная цель достигается тем, что электропроводный композиционный материал преимущественно для изготовления контактов...

Номер патента: 998332

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Колмакова, Круглова, Кузнецова, Прохоренко

МПК: C01B 21/00

Метки: азота, аммонийного, веществах, твердых

...раствором серной кислоты, в которые опущены электроды от рН-метра и импеллеры от магнитных мешалок, двухпоэиционный переключатель 10, позволяющий попеременно одним и тем же рН-метром (П) измерять величины рН. поглоти- тельных растворов в ячейках 8 и 9, рН-метр 11 типа рН. П р и м е р,На аналитических весах берут точные навески нитроаммофоски не более,чем 0,2000 г. Одну навеску в равномерно смешивают с одним граммом гидроокиси бария (Ва(ОН)ьН О), другуюв - с полграммом окиси кальцйя и помещают в кварцевые лодочки, Лолочка с навеской ш и гидроокисью бария вносится в кварцевую трубку, пред- В 998варительно нагретую до 500 фС в нагревательной печи 6, а лодочка с навеской в и окисью кальция - в кварцевуютрубку, нагретую до 900 С в...