Патенты с меткой «однополярным»

Номер патента: 177182

Опубликовано: 01.01.1965

Автор: Ивашенцев

МПК: H03C 1/36, H03C 1/62

Метки: коллекторномупереходам, модулятор, однополярным, транзисторный, управлениел1, эмиттерному

...амплитуду выбросов при коммутации и температурный дрейф.На чертеже изображен описываемый модулятор.Дополнительное сопротивление 1, включенное между базой основного транзистора 2 ц выводом коммутирующего трансформатора 3, создает возможность для шунтирования управляющего сигнала с помощью дополгштельного транзисторного ключа 4 в полупериод, когда основной транзистор заперт. Запирание последнего потенциалом, близким к нулю (порядка 8 - 10 ,цв), приводит к заметному уменьшению остаточного тока (в 4 -- 5 раз) и амплитуды выбросов (в 10 - 15 раз),вызванных процессами перезарядки емкостеи переходов при коммутации.В следующий полупериод транзистор 2 отпирается, а транзистор типа проводимости, 5 противоположного основному,...

Номер патента: 238017

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Думаневич, Евсеев

МПК: H01L 29/74

Метки: однополярным, симметричный, тиристор, управлением

...же типом проводимости.Основу тиристора составляет монокристаллическая пластина электронного типа проводимости с удельным сопротивлением порядка 40 оги сзг и,диффузионной длиной 0,3 л,и, в которой методом последовательной диффузии создана структура, сечение которой изображено иа фиг. 1; на фиг. 2 и 3 - то же, соответственно вид сверху и вид снизу; на фиг. 4 - вольт-амперная характеристика тиристора.На фиг. 1 обозначены: 1 - слой исходного кремния с электронным типом проводимости;2, 3 - слои кремния с дырочной проводимостью, полученные методом диффузии и образующие на глубине 70 - 80 як р - гг-переходы 4, 5; 6, 7, 8 - слои с электронным типом проводимости, полученные методом диффузии и образующие на глубине 10 - 12 лк р - гг-переходы гг,...

Номер патента: 2004070

Опубликовано: 30.11.1993

Автор: Алексеев

МПК: H03K 5/153, H03K 5/24

Метки: компаратор, однополярным, питанием

...подкл(оченный аодом к общей шине, а катодом к базе эмиттерцогоповторителя, выход которого через резистор соединен с базой выходного транзистора,На чертеже представлена электрическая схема компаратора с однополярнымпитанием, где 1 - дифференциальный усилитель с динамической нагрузкой, состав ленный из транзисторов 2-7 и генератора 8 тока, 9 - второй каскад, 10 - генератор тока, 11 - стабилитрон, 12 - эмиттерный повторитель, 13 - 15 - делитель напряжения, 16 - выходной транзистор,Компаратор работает следующим образом,При увеличении напряжения на одном из входов дифференциального усилителя, например на базе транзистора 2, происходит увеличение тока через транзистор 6 и 51.0 уменьшение тока через транзистор 3, что приводит к...

Номер патента: 755107

Опубликовано: 27.08.1996

Авторы: Думаневич, Евсеев, Иванова

МПК: H01L 29/74

Метки: однополярным, симистор, управлением

Симистор с однополярным управлением, выполненный на основе многослойной структуры, например, n-р-n-р-n-типа, содержащий контакты основного токосъема на основных поверхностях структуры, под которыми расположены внешние слои n- и р-типа проводимости, и на одной из основных поверхностей расположен управляющий электрод, присоединенный к области р-типа проводимости с дополнительными областями n-типа проводимости и контактами, выполненными в виде полуколец и расположенными между управляющим электродом и контактом основного токосъема на одной поверхности структуры и внешним слоем n-типа проводимости и проекцией области управления, свободной от металла, на другой поверхности структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения крутизны фронтов...