Патенты с меткой «электрофизических»

Номер патента: 305426

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Лукина, Лукь

МПК: G01R 27/22

Метки: датчик, константжидкостей, электрофизических

...изображен предлагаемый датчик.Датчик содерхкит корпус 1 и соосные конические электроды 2 и 3. Наружный потенццальный электрод 2 закреплен в корпусе датчика неподвиж 11 о, электрод 3 с нулевым потенциалом кинематически соединен с наружным стаканом датчика 4, который перемещается по винтовой резьбе, нанесенной ца корпусе. Сильфон 5 смонтирован герметично на корпусе датчика и полом штоке 6 электрода с пулевым потенциалом.Датчик работает следующим образом.5 Через канал в штоке электрода с нулевымпотенциалом датчик заполняется исследуемой жидкостью. Вращением нар ж 1 юго стакана подвижный электрод устанавливается в верхнем положении ц с помощью токоотводов сое дццяют электроды датчика с измерителемемкости или электропроводности...

Номер патента: 313180

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Аболтинь, Стикут

МПК: H01L 21/66

Метки: измеритель, полупроводниковых, свойств, слоев, электрофизических

...изменений зазоровконтакта образцов с металличесволновода и повышение чувствмерений с регулировкой ее в блах,левым излучателем (концом волновода). Наличие диэлектрических стерженьков позволяет исключить омический контакт образца с механическими частями волновода. Образец мо жет иметь любую форму, а в результате выбора определенного зазора между образцом и волноводом создается возможность увеличения чувствительности измерений на несколько порядков, что объясняется трансформацией 0 точки вносимого импеданса в удобную для измерения область.Сущность изобретения поясняется чертежом, на котором приведена схема описываемого устройства, содержащего СВЧ-генератор 5 1, индикаторный блок 2, волноводный щелевой излучатель 3, к которому...

Номер патента: 348942

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Афанасов, Волчков, Горбатов, Молочной, Московский, Рогов, Туринский, Федоров

МПК: G01N 33/02

Метки: исследования, кювета, пищевыхпродуктов, приборам, свойств, физических, электрофизических

...емкость 1, заполняемую исследуемым продуктом 2. Емкость плотно вставлена в гильзу 3 из нержавеющей стали с буртиком 4 при помощи гайки-крышки б, В гильге 3 имеются два паза, служащих для вывода измерительных электродов 6. Гильза с емкостью надета на донышко 7, закрепленное в обойме 8. Последняя укреплена на диэлектрической подставке 9.Для полной герметизации исследуемого продукта между гильзой и обоймой имеется прокладка 10 из пищевой резины.В верхней части емкости расположен поршень 11, прикрепленный к полому штоку 12, соединенному с тягой 13 при помощи коромысла 14. Коромысло связано планкой 15 с индикатором 16 часового типа. Индикатор жестко укреплен на диэлектрической подставке 9 стойкой 17.грева по центру донышка 7 и электрода 19...

Номер патента: 394711

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Авторы, Лукина, Лукь, Усиков

МПК: G01N 27/22

Метки: бесконтактная, емкостная, жидкостей, свойств, электрофизических, ячейка

...из титацатабария (в=1200), посерсбрециые с вцутреции.,20 сторон меточом вжигация и впрсссоваицые вофтороптастовые цОк 1 и гайку 9. 11 а иеподижцый электрод В, кроме того, цацссецо охраиОс кольцо, заземляемое (как и все други(металлические детали) ири изхереииях ио25 трехточсчОй схеме (например, ца мости(еЕ 8-2) .Таким образом, рабочий объем ячейки выполцец из химически стойких материалов (фто,ропласт и керамика),зО Припаянные к электродам и охраццому3Кльцу В 1 ВОды с пОхощью кс 1 бслсеЙ с разъе 12. МИ (ПОКЯЗсн 1 ТОЛЬКО НИЖНИЙ 1 с) ООЕСПЕЧИВЯ 10 Т контакт я 1 еЙи с изм(.ри 1(лыим нриоором.На фИГ. с) При(сдсц( бщерния(яя ЭКВИ. валентцяя сх(1(1 э.ктрнческя мод(ль)-, гдеб( СКнЧКТцся с ЧКГ)Н(1 51(ИКР1 су) х (1 рн;1 1 (м к(сь из)1 н 1...

Номер патента: 394735

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Липовка, Перчик, Шалабутов

МПК: G01R 27/26

Метки: исследования, параметров, электрофизических

...В против ом случае имеет место обратная связь компенсирующего источника с токовой цепью, что приводит к ошибочным результатам. В то же время ца практике размеры образцов часто ограничены, в связи с чем 30казапнос требование обеспечить очень труд394(35 Гипографси, ир. Гапнуова, 2 П О. ПОЭТОМ У В П Р И Н Ц И П П (1( Ь Н М Ю С Х ( М " ,с т Р;) ПСТВс 1 ВВЕДЕНЫ ДОНО:НИ СГГЬНЫС ",)с 13 Б 5 ЭЫБЯ(0 - щие резисторьс 12 и 1), величины когрх ДО;РИНЫ ОЫТЬ ООЛЬШС СОПРОТИВЛЕПР 5 Т Е(1 Я 00- РВЗЦЯ. ОД 3 П ПЗ ЭТИХСЗИСТОРО 3 С,1 УЖИ) ОЧПОВ Р ЕМ С и 10,(Л 51 П 3 )ГС с 1(П 5 П Р С.,1(.,1 О и П. 5 М С Р С 1 5 тока прис)ором 9.Для персклн)чсния уст;)ойсгвя с одпог р,- жима работы ня дрсгс) Грс;с с)О(репГ ком - мутация элекгромстров, псгочнпкя иитиИ...

Номер патента: 452793

Опубликовано: 05.12.1974

Авторы: Матвеев, Сурин

МПК: H01L 21/66

Метки: бесконтактный, двухслойных, параметров, полупроводниковых, структур, электрофизических

...исследуемой ие структуры.Поставленная цельтому, что измеряют веструктуры, соответстви минимальным потеряпри синфазном и протиях осевой компонентынитного поля, затем рп игается бл агодаряия ичину смеше юшую максимм, последовате льным н офазном напр апряженности ределяют иско влепи мамый И плос параметр шения стСушно ется черОбраз казыва руктуры, сть предложе тежо м. тству инфаз соотО(при ясняго спосо в 1, 2,аторагполеесостоя ший из с такс помешаюми 3,4ными вбольшой Т МЕЖДУ СООСНЬэлектромагнит иде плоских спплотностью вит тми конце ного поля,гдем иральных к ков в центр е ум го зависимости от величины смеисимости от смешения структурычто величина смешения Кмаксюшая максимальным потерямном включении), равна:412 Ф 2 (2 бД+б 1 2452793...

Номер патента: 466084

Опубликовано: 05.04.1975

Автор: Гуткин

МПК: B23P 1/00

Метки: гравюра, разрешающей, способности, станков, электрофизических

...фиг. 3 - профиль рисок нарабочем торце электрода-инструмента, в разрезе,В качестве эталонного электрода-инструмента для определения разрешающей способности прошивочного станка применяют цилиндрический электрод (фиг. 1). Торцовая по 10 верхность (фиг. 2) электрода-инструмента выполнена в виде конуса, на которую наносятриски (фиг. 3), проходящие через центр в видечетырех пучков по семь рисок, расположенных через пять градусов. Благодаря конусу на15 торцовой поверхности риски, каждая из которых сделана за один проход на делительнойголовке фрезерного станка, получаются разной глубины. К центру глубина уменьшается,что необходимо для того, чтобы риски не сли 20 лись,Эталонным электродом-инструментом на испытываемом прошивочном станке...

Номер патента: 477339

Опубликовано: 15.07.1975

Авторы: Никитин, Серебрякова, Хороводнов

МПК: G01N 27/22

Метки: нитей, характеристик, электрофизических, ячейка

...нити,Описываемая ячейка отличается тем, что в зазоре между пластинами конденсатора установлена изоляционная шайба для намотки измеряемой нити. Это повышает точность измерения электрофизических характеристик,На чертеже показана описываемая ячейка, Две круглые металлические пластины 1 и 2 измерительного конденсатора насажены на болт 3 из диэлектрика, Между пластинами 1 и 2 находится шайба 4 из диэлектрика с малыми потерями. С помощью болта 3 и гайки 5 пластины 1 и 2 конденсатора прижимаются к 2шайбе 4 и образуют зазор, равный толщине шайбы, на которую намотана нить 6.Для измерения Е и 1 дб нить 6 наматывают на шайбу 4 специальным намоточным уст ройством с необходимым натяжением, заполняя объем между пластинами 1 и 2 ячейки до...

Номер патента: 600482

Опубликовано: 30.03.1978

Автор: Головко

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводников, свойств, электрофизических

...производится следующим обра.зом,Путем металлизации участка поверхности ис следуемого полупроводника изготовляют барьерШоттки, который подключают к клеммам 6 и по.мещают в криостат 3, Через барьер пропускают от источника 4 постоянного, тока через нагрузочный резистор 5 прямой постоянный ток, величина кото, рого примерно в два раза превышает ток насьпщения. Изменяя температуру в криостате 3 регистрируют температуру, и измеряемую при помощи термопары 2 и милливольтметра 1, и уровень флук.туаций напряжения по индикатору 7. Затем строят 15 график зависимости логарифма величины, флуктуаций от обратной величины температуры и по графику находят точку перегиба падающего с повышением температуры линейного участка графика.Температура,...

Номер патента: 661437

Опубликовано: 05.05.1979

Автор: Рагаускас

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводника, характеристик, электрофизических

...гранях образца находит.применение способ 21.Измерения электрофизических характеристик полупроводниказаключаютсяв том, что полупроводниковый образец помещают в скрещенные магнитное иэлектрическое поля, измеряют их велйчину и регистрируют электрический.сигнал на поверхности полупроводника.Однако, в известном способе из-за воздействия на образец стационарных сил Лоренца в процессе измерения имеет место определенное изменение отношения величины поверхностных электростатических потенциалов во и авэо наа противоположных гранях образца. В результате этого изменяются и скорости поверхностной рекомбийации на этих гранях. Следовательно имеет место зависимость между результатами и режимом измерения, которая приводит к грубым погрешностям....

Номер патента: 673943

Опубликовано: 15.07.1979

Авторы: Латышев, Стельмах, Точицкий, Уренев

МПК: G01R 33/12

Метки: магнитном, металлов, поле, полупроводников, характеристик, электрофизических

...магнитной цепи с рабочей поая цель достигается тем, что в для измерения электрофизичесристик металлов и полупроводнитном поле, содержащем криощенными в нем электромагнитом роводом и перемычку магнитной топровод электромагнита выползной формы и закреплен в крпором относительно перемычки маг , при этом перемычка магнитной ена в виде двух башмаков.673943 Формула изобретения Со ставитель Ф. Тернов ехред О. Луговая ираж 1089 дарственного коми изобретений и отЖ - 35, Раушскаянт, г, Ужгород, у льскаяКорректор Г.Подписноеета СССРкрытийнаб., д. 4/5л. Проектная, 4 Редактор Н. КоЗаказ 406541 ИИПИ Госу по делам5, Москва, ППП Пате 113 илиалНа чертеже изображено устройство, в продольном разрезе.Устройство состоит из соединяемого с вакуумной...

Номер патента: 685973

Опубликовано: 15.09.1979

Авторы: Горбатов, Косой, Свинцов

МПК: G01N 27/22

Метки: молочных, мясных, порошкообразных, продуктов, свойств, электрофизических

...частиц. Пластинчатые электроды 3 включены в мостовую измерительную схему 4, при помощи которой определяются электрофизические параметры анализируемых частиц в результате анализа параметров импульса сигнала при соответствующей частоте питающего напряжения., ь х ную зон. образованную" пластинчатыми электрода и 1, расположенными с зазором, соизмеримым с размерами частиц и имеющим ширину и длину, составляющую не менее четырех диаметров анализируемых частиц. Прохождение каждой частицей измерительной зоны однородного электрического поля приводит к возникновению вторичного поля частицы в результате ее поляризации под влиянием первичного поля конденсаторов и появлению импульса сигнала в мостовой измерительной схеме 4. Анализ параметров...

Номер патента: 737884

Опубликовано: 30.05.1980

Авторы: Парфенов, Тимошенко

МПК: G01R 29/22

Метки: пьезокерамических, резонаторов, характеристик, электрофизических

...время на своейрезонансной частоте. Амплитуда свободных колебаний затухает по экспонейте соответственно его добротности,Датчик 3 амплитуды деформации вырабатывает напряжение, пропорциональноевеличине деформации, Для измерения 45амплитуды колебаний поверхности резонатора чувствительный элемент датЧика 3 может быть связан с колеблющимися поверхностями резонатораакустически, оптически, электромагнит-рным, емкостным или другим образомчерез жидкую, газообразную или твердую среду, В качестве датчика 3 могут быть использованы датчики виброМетроц типа УБВ, типа УБВС(ин-дуктивнйе датчики), Могут быть использованы пьезоэлектрические датчики, например, из кваоца или из пьезокерамики, работающие на принципепрямого пьезоэффекта.Напряжение датчика...

Номер патента: 788039

Опубликовано: 15.12.1980

Авторы: Берзин, Катанухин, Медведев, Петров

МПК: G01R 27/26

Метки: датчик, образцов, параметров, цилиндрических, электрофизических

...части внутреннего проводника 2.Датчик работает следующим образом.Исследуемый цилиндрический образец 4 вводят внутрь внутреннего проводника 2 и измеряют уход собственной частоты и добротность коаксиального резонатора 1. По величине ухода частоты коаксиального резонатора 1 определяют диэлектрическую проницаемость, а по изменению добротности вычисляют тангенс угла потерь с 9 У или удельное сопротивление )з по формуламо 0Я и ( . - добротность коаксиального резонатора 1 безцилиндрического образца4 и с ним;Е - диэлектрическая проницае"омость цилиндрическогообразца 4;К собственная частота коаксиального резонатора 1Величина коэффициента включения К определяется распределением элен" трического поля в области цилиндри788039 Формула...

Номер патента: 873166

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Рагаускас, Шлитерис

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводников, характеристик, электрофизических

...9, 1 д - граничная частота полевого гальваномагниторекомбинационного эффекта.При этом поверхностные электростатические потенциалы и скорость поверхностной рекомбинации на гранях исследуемого образца 2 под полевыми пластинами 3 изменяются по синусоидальному закону противофаэно и обеспечивается линейность функции 1(Ц 4)=сопвс О . Частота о связана с измеряемой величиной эффективного времени живинка носителей тока в образце 2 формулойГзф= 1/2 )Игде То - период. Причем частота Г определяется как частота выходного переменного напряжения исследуемого образца 2, при котором фаза этого напряжения отстает на )Г/4 относи" тельно фазы переменного напряжения с частотой Гс на полевых пластинах 3.Частота выходного напряжения исследуемого образца 2...

Номер патента: 891305

Опубликовано: 23.12.1981

Авторы: Ковган, Мигунов, Павленко, Пшеничный

МПК: B23P 1/10

Метки: методов, станок, электрофизических, электрохимических

...от привода 7. Ч разгрузка массы головки происх2 о зо помощью противовеса 8, присоединенногок ней гибким тросом 9,Шпиндель 4 головки соединенчерезременную передачу 10 с двигателем 11,который закреплен на каретке 12, установленной на станине через теда 13 качения таким образом, что направлениеперемецения каретки перпендикулярно осивращения двигателя. Кроме того, кареткагибким тросом 14 соединена с противовесом 15.Подвод технологического тока к металлоапмазному кругу 5 осуществлен гибкимкабелем 16 от источника 17, второй кабель 18 подсоединен к детали 6 (фиг. 2).Рабочая жидкость в зону обработки подается от насосной станции 19.При работе станка инструментальнаяголовка 3 перемещается вниз, при этоммежцентровое расстояние между...

Номер патента: 905885

Опубликовано: 15.02.1982

Авторы: Мартяшин, Мельников, Рыжов, Светлов, Цыпин, Чайковский

МПК: H01L 21/66

Метки: мдп, параметров, структур, электрофизических

...регулируемое сопротивление 15, первый, второй и третий дополнительные ключи 16 - 18, дополнительный запоминающий блок 19, ключ 20, вычитатель напряжений 21, блок измерения постоянной времени 22, схема деления напряжений 23, коммутатор 24, самописец 25.Устройство работает следующим образом. В начальный момент времени д по команде блока управления 1 размыкаются ключи 8, 10 и 18, сбрасывается в исходное состояние запоминающий блок 11, источником 2 опорного напряжения вырабатывается прямоугольное напряжение амплитуды Бчастоты повторения йои скважности, равной двум, к исследуемому объекту 4 прикладывается через первый сумматор 3 сумма прямоугольного напряжения П от источника 2 и линейно изменяюцегося напряжения смещения от программируемого...

Номер патента: 908560

Опубликовано: 28.02.1982

Авторы: Кацнельсон, Лебедев, Скрипко

МПК: B23P 1/02

Метки: источник, методов, питания, электрофизических

...ток течет по цепи, образованной элементами 5, 14,13, 6, 4 и 3, Кроме того, в результате включения тиристора 15 образуется другая параллельная источнику 1 питания цепь и токтечет через тиристоры 5 и 15 и межэлектродный зазор 17. В результате к МЭЗ 17через открытые тиристоры 5 и 15 прикладывается постоянное напряжение. Затем, приколебательном перезаряде емкости 14 коле.бательный ток инвертора меняет свое на.правление и течет через индуктивность 13,емкость 14, открытый тиристор 5 (диод 10заперт), емкость 3 и индуктивность 4. Тириотор 5 не может погаснуть, так как в пря.мом направлении через него течет ток нагрузки 17. Только в момент времени, когдаобратный колебательный ток превысит вели.чину тока, текущего через межэлектродныйзазор,...

Номер патента: 920582

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Мартяшин, Рыжов, Рябинин, Цыпин

МПК: H01L 21/66

Метки: мдп, параметров, структур, электрофизических

...(1) имеет вид: где ф ь 1 и Й 11 Из выражения (2) следует, что постоянная составляющая напряжения О навыхоце операционного усилителя б пропорциональна емкости С . Первый сум матор 10 сравнивает постоянную составляющую напряжения Об на выходе операционного усилителя б с постоянной составляющей напряжения О,(. на выходе управляемого делителя напряжения 4. Напряжение О рав но;О = О 0 К 1 + ОбК,где О 0 - значение найряжения на выходе второго выпрямителя 18,К 1 - коэффициент Передачи управляемого делителя напряжения 4.Напряжение О 2 на выходе первого сумматора 10 равно://тупает на информ Чап ционны азо аженивходы чпос ерво й н етсяПр вого о и второго 16 управляющие вхо напряжение Оьс этом напряжение фазоразделитедя Ф р зделител ды которых...

Номер патента: 890831

Опубликовано: 30.04.1982

Авторы: Агранат, Бендицкий, Гандельман, Кондратенко, Макшанцев, Рукман, Степанов, Шелемин

МПК: G01J 5/50

Метки: параметров, электропроводящих, электрофизических

...импульса излученияРазвертку фотохронографа 7 запускают цепью синхронизации одновременно с началом генерации источника 1. Полученную на экране электронно-оптического регистратора (ЭОПа) картину свечения развертывают во времени и фиксируют на регистрирующей среде 8 (фотопленке). Таким образом, фиксируют и измеряют оптические спектральные характеристики пмпульса видимого излучения - свечения поверхности материала 4 под действием зондирующего импульса. Фильтр 6 выбирают не пропускающим длину волны источника зондирующего излучения.Использование данного способа позволяет, кроме определения электрофизических характеристик электропроводящих материалов, измерять длительность импульсов ИК-излучения (т 10 -+ +10 - "- с), определять форму...

Номер патента: 924635

Опубликовано: 30.04.1982

Авторы: Мартяшин, Светлов, Цыпин, Чайковский

МПК: G01R 31/26, G01R 31/28, H01L 21/66 ...

Метки: измеритель, мдп-структур, характеристик, электрофизических

...ко велик туры пра ктрика. едол струк диэле Слтельно, в ре а напряж онного усили емени д 1имсмещся Р+йаТаким образом достигается компенсация емкости диэлектрика С 1.Аналогично компенсируется емкость диэлектрика и для интервала времени Ь, ,е. выходное напряжение операционного усилителя 7 не зависит от параметра С при подаче на ИДПструктуру 6 воздействия любого вида.После того, как емкость диэлектри. ка С,1 скомпенсирована, начинается процесс снятия С-С-Ч-характеристик.Обеспечение компенсации влияния напряжения смещения О ена режим работы операционного усилителя 7 по постоянному току достигается при помощи блока 19 компенсации напряжения смещения, состоящего из интервала 20, регулируемого сопротивления 21 и ключа 22.На регулируемое...

Номер патента: 949540

Опубликовано: 07.08.1982

Авторы: Ахманаев, Медведев, Петров, Туркин, Ураевский

МПК: G01R 27/26

Метки: датчик, параметров, полупроводниковых, электрофизических

...к внутренней поверхноститорцовой стенки, при этом ось индуктивного штыря 4 смещена относительноцентра отверстия 3.Датчик работает следующим образом.Исследуеьый полупроводник 5 располагается над отверстием 3 и тем самым осуществляется ее включение вкраевое сверхвысокочастотное (СВЧ)электрическое поле резонатора 1.Пространственное разрешение датчикаопределяется геометрическими размерами области локализации СВЧ элекЗаказ 5740/33 Тираж 717 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д.4/5 ефилиал ППП "Патент", г.ужгород, ул.Проектная,4 трического поля резонатора 1. Смещение центра торца штыря 4 относительно центра отверстия 3 приводит к тому, что СВЧ поле...

Номер патента: 906325

Опубликовано: 23.01.1983

Авторы: Антонов, Батенин, Васильев, Исэров, Ковбасюк, Пищиков

МПК: H02K 44/08

Метки: генератора, магнитогидродинамического, параметров, электрофизических

...и ЭДС генератора, что расширяет функциональные возможности системы и позволяет сократить время на исследование влияния таких факторов, как вид присадки, способ ее введения в канал генератора, соотношение топливо-окислитель и др., на внутренние параметры МГД - генератора. фор мула изобретения Система измерения электрофизичвскихпараметров магнитогидродика ми вского 3 906325 фт.е. также содержит постоянную составляющую И и переменную составляющую О.На выходах измерительных преобразователей средних значений тока и напряжения, будут сигналы, равные Э 0 и Оо, так какпеременные составляющие отфильтровываются, На выходе блока умножения будетсигнал, равный Р = О,ЭНедостатком известной системы измерения электрофизических параметров МГД1...

Номер патента: 1026095

Опубликовано: 30.06.1983

Авторы: Гаевский, Мартяшин, Светлов, Цыпин, Чайковский

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: измеритель, мдп-структур, параметров, электрофизических

...соединенс регулирующим входом источника управляющего напряжения, выход которогосоединен с управляющим входом первогоуправляемого делителя напряжения,третий выход блока управления соединен с управляющим входом .источника управлящвщего напряжения,четвертый выход блока управлениясоединен с управляющими входамипервого и второго пиковых детекторов, а пятый выход блока управлениясоединен с управляющим входом блокаизмерения установившегося значениянапряжения, выход блока измеренияпостоянной времени соединен с управляюшим входом .ключа, выход первогопикового детектора соединен с третьим входом коммутатора.На чертеже изображена структурная схема устройства.Измеритель электрофизических параметров МДП-структур, содержит блок1 управления,...

Номер патента: 1028519

Опубликовано: 15.07.1983

Авторы: Амбросов, Всеволожский, Двинятин, Малин, Садова, Смирнов, Федоров, Юшко

МПК: B29D 27/00

Метки: винипора, датчик, параметров, процесса, электрофизических

...и измерительный электроды, в верхней части корпуса над стаканом установлен очиститель охранных и измерительного электродов, а дно корпуса выполненос угловыми канавками и пазами, причем оси симметрии пазов смещены относительно оси симметрии мешалки.На фиг. 1 изображена функциональная схема устройства; на фиг. 2 - схема устройства очистителя поверхности лопастей мешалки датчика электрофизических параметров.Установленная в реакторе 1 мешалка 2 соединена с помощью коробки 5 передач с электродвигателем 4. В цепи питания электродвигателя 4 установлен датчик 5 мощности, потребляемой электродвигателем 4 мешалки 2, выход которого подключен через фильтр б помех к первому входу логического блока 7.Второй вход и первый выход логического блока...

Номер патента: 1045310

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Ахманаев, Данилов, Детинко, Медведев, Петров

МПК: H01L 21/66

Метки: датчик, параметров, полупроводников, электрофизических

...20свободным торцом штыря и широкойстенкой волнонода. Основным достоинством этих датчиков является высокое пространственное разрешение,которое определяется диаметром свобод, ного торца штыря 1 ),Недостатками известных датчиковявляются необходимость приготовления полулроводниковых пластин определенной толщины, трудоемкая операция размещения исследуемого образца внутри волновода под свободнымторцом штыря и узкий диапазон измерения удельного сопротивления(= 10 - 10 Ом см) .Наиболее близким по техническойсущности и достигаемым результатамк предлагаемому является датчик,содержащий СВЧ-резонатор кваэистатического типа с первым и вторым элементами сняаи и измерительным отверстием связи в торцовой стенке,в котороЕ введен индуктивный...

Номер патента: 1051624

Опубликовано: 30.10.1983

Авторы: Гусев, Малинин, Мочалин, Родионов, Смирнов, Хрычев, Щипунов, Юшкин

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводниковых, слитков, электрофизических

...пружиной 13В ручке 9 установлен микровыключатель 14 для включения измерительногоблока 3, Для фиксации каретки 7 вцентре направляющей 5 предусмотренфиксатор 15, а для фиксации положения тарели 4 относительно корпуса1 - фиксатор 16,.Механизм фиксации корпуса 1 относительно слитка 17 выполнен в видерычагов 18 и 19, попарно установленЗ 0 ных на поворотных осях 20, размещенных на корпусе 1, Рычаги 18 установлены на осях 20 шарнирно и кинематически связаны с ними пружинами21. На концах рычагов 18 шарнирно 35 закреплены угловые упоры 22, имеющие корпусный выступ 23. Рычаги 19жестко закреплены на осях 20 и снаб.жены упругими прижимами 24, шарнирно закрепленными на концах рычагов 40 19 и выполненных в виде упругихэластичных шайб 25....

Номер патента: 1057887

Опубликовано: 30.11.1983

Авторы: Панасюк, Смирнов

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводников, электрофизических

...повышения разрешения начального участка зависимости тока генерации от времени измеряют зависимость емкости С от длительности воздействия основного импульса 1, т;е. от длительности протекания генерационных токов. Поскольку длительность основного импульсаР, не ограничена снизу длительностью измерения емкостиТщ, то она может быть уменьшена. Новое ограничение снизу на длительность основного импульса 1 связано с конкретными условиями измерения и определяется временем образования неравновесной области пространственного заряда То которое, в частности, может быть наличием последовательного сопротивления тела полупроводника МДП-структуры Ч и неидеальностью используемого источника напряжения, т,е.Тъ"- ь = Ск ц+ ИЦлибо экспериментально...

Номер патента: 1069034

Опубликовано: 23.01.1984

Авторы: Божевольнов, Горлин, Николаев, Романов, Соколов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: границы, межфазной, параметров, электролит-полупроводник, электрофизических

...(К ), 19 - сопротивление межфазной границы (й,), 20 - емкость межфазной границы (С 1). 45 50 Для сохранения линейной зависимости между приращением 3 напряжения и величиной измеряемой емкости 20 длительность импульса тока должна быть не более 10 мкс пульса 1 на границе остается приращение 4 напряжения, которое измеряется в течение времени 5, между основным 1 и дополнитель.ным 2 импульсами. Если суммарный заряд, внесенный основным и дополнительными импульсами тока, не равен нулю, возникает ошибка измерения 6.Образец полупроводника (д г. 2) помешается в электрохимическую ячейку 7, основным электродом 8 которой является образец полупроводникового материала, и которая содержит электрод 9 сравнения, электрод 10 внешней поляризации,...

Номер патента: 1083103

Опубликовано: 30.03.1984

Авторы: Бычков, Дерун

МПК: G01N 27/90

Метки: вихретоковое, объектов, параметров, электропроводящих, электрофизических

...усиливается с макси 50 10831Изобретение относится к контроль.но-измерительной технике и можетбыть использовано в авиационной,машиностроительной и судостроительной промышленностях для неразрушаюпего контроля свойств материалов и изделий.Известно устройство для электромагнитного контроля изделий, содержащее соединенные последовательно ге 1 Онератор, измерительный преобразователь, фильтры первой и третьей гармоник, детектор, блок отношений ииндикатор 41 .Недостатком известного устройства 15является зависимость показателейиндикатора от зазора между преобразователем и контролируемым изделием.Наиболее близким по техническойсущности является вихретоковое устройство для контроля электрофизических параметров электропроводящих. объектов,...