Зумберов

Номер патента: 1618211

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Асина, Бромберг, Дороднев, Зумберов, Кузьмин, Ныгес, Сурма, Шмелев

МПК: H01L 21/26

Метки: полупроводниковых, приборов, силовых

Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов, включающий облучение полупроводниковых структур через защитные маски дефектообразующим излучением до максимальной концентрации дефектов в базовой области 1011-1013 см-3, отличающийся тем, что, с целью улучшения статических и динамических характеристик приборов, облучение проводят электронами -распада от изотопного источника Sr90.

Номер патента: 1026610

Опубликовано: 10.08.1996

Авторы: Думаневич, Зумберов, Иоспа, Кузьмин, Ханстин, Юрченко

МПК: H01L 29/74

Метки: тиристор

Тиристор, выполненный на основе n-р-n-р- структуры с шунтами р-типа в n-эмиттере и с концентрацией акцепторной примеси в р-базе под n-эмиттером по всей площади на расстоянии 3 8 мкм, не превышающей 5 1015 см-3, отличающийся тем, что, с целью повышения динамических и частотных параметров, повышения напряжения и предельного тока при сохранении малых значений прямых падений напряжений, в области шунтов на том же расстоянии под n-эмиттером выполняются дополнительные участки с концентрацией акцепторной примеси, составляющей не менее 5 1016 см-3.

Номер патента: 1225426

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Думаневич, Зумберов, Кузьмин

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковый, прибор

1. Полупроводниковый прибор, содержащий полупроводниковую пластину по крайней мере с одним p - n-переходом и контактную металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, металлизация выполнена с уменьшающейся по направлению к поверхности раздела металл - полупроводник микротвердостью с градиентом микротвердости 1013 - 2 1013 Па/м.2. Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий формирование в полупроводниковой пластине по крайней мере одного p - n-перехода, нанесение на пластину металлизации и термообработку, отличающийся тем, что металлизацию создают последовательным нанесением слоев металла, а...

Номер патента: 1325633

Опубликовано: 23.07.1987

Авторы: Грехов, Зумберов, Коротков, Кузьмин, Мартыненко, Смирнов

МПК: H02M 3/135

Метки: постоянного, постоянное

...этом он без задержки переключается и по цепи шина 8 - дроссель 2 - блок РВД 13 - диод 14 - выводы 2 и 1 шина 9 проходит быстронарастающий импульс основного тока. Одновременно с коммутацией основного тока происходит перезаряд кОнденсаторов блока 3 через реактор 4 и блок 7 тиристоров.После того, как на выводах для подключения нагрузки тягового двигателя сформирован импульс напряжения заданной длительности, блок 1 О управления выдает сигнал на включение блока 5 тиристоров, При этом. через реактор 4 к цепи, состоящей из последовательно. соединенных блока РВД 13 и диода 14, прикладывается обратное напряжение от блока 3 конденсаторов,приводящее к выключению блока РВД. Затем происходит подзаряд блока 3 конденсатора и конден= сатора 17 через...

Номер патента: 1103306

Опубликовано: 15.07.1984

Авторы: Галинский, Зумберов, Карпов, Корольков, Кузьмин, Сурженков, Тоомсоо, Хуторянский

МПК: H01L 21/04

Метки: выпрямительных, элементов

...предлагаемой операции металлизации привариванием металлической фольги от известной металлизации химическим осаждением металла заключается в том, что на поверхность полупроводниковой структуры наносится плотный металлический слой с меньшим тепловым и электрическим сопротивлением, чем это имеет место у пористого, химически осажденного металла. Помимо этого, приваривание металлической фольги позволяет осуществлять операцию металлизации одновременно с опера цией приварки термокомпенсатора, что уменьшает трудоемкость и количество брака при изготовлении выпрямительного элемента по сравнению с известным способом, гдеоперации металлизации структуры и крепления к ней термокомпенсатора выполняются раздельно и последовательно.Перед...