Способ изготовления кремниевых биполярных свч-транзисторов
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1649965
Автор: Романов
Формула
Способ изготовления кремниевых биполярных СВЧ-транзисторов, включающий формирование на поверхности кремниевой подложки диэлектрической пленки, вскрытие окон под области базы и введение в них легирующей базовой примеси, вскрытие окна под область эмиттера и введение в нее легирующей эмиттерной примеси, нанесение диэлектрической кремнийсодержащей пленки, термообработку в окисляющей атмосфере, вскрытие контактных окон и металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных и надежности транзисторов за счет сглаживания рельефа поверхности структуры перед металлизацией, диэлектрическую кремнийсодержащую пленку наносят перед вскрытием окна под область эмиттера, термообработку в окисляющей атмосфере проводят до образования на поверхности кремния над областью эмиттера пленки оксида кремния толщиной 0,08-0,12 мкм, а контактное окно к эмиттеру вскрывают локальным травлением пленки оксида над областью эми
Описание
Цель изобретения повышение выхода годных и надежности транзисторов за счет сглаживания рельефа поверхности структуры перед металлизацией.
Пример изготовления кремниевых биполярных СВЧ-транзисторов КТЗ165.
Пластины кремния окисляют, создавая SiO2 толщиной 1,0 мкм, фотолитографией создают окно активной базы, проводят ионное легирование мышьяком, на всю поверхность осаждают пиролитическую пленку SiO2 толщиной
О,25мкм, создают окно пассивной базы, в которое проводят диффузию фосфора. На всю поверхность осаждают пленку SiO2 толщиной О,4 мкм, создают эмиттерное окно, затем проводят термическое окисление в сухом кислороде при температуре Т 1050oС с образованием слоя термического SiO2 Затем проводят ионное легирование бором дня создания эмиттера, с помощью фотолитографии и химического травления создают контактные окна к эмиттерной и базовой областям и формируют трехслойную контактную металлизацию Ti Pt Au.При данном способе в одном технологическом процессе происходит образование совершенной термической пленки SiO2 на всей поверхности транзисторной структуры и на боковых стенках эмиттерното окна, а также сглаживается ступенчатый рельеф диэлектрического покрытия. При последующем вскрытии контактного окна к базовой области происходит сглаживание острой ступеньки края окна за счет разной скорости травления термического окисла и нижележащего диэлектрика. Диапазон толщины термической пленки SiO2 (0,08 0,12 мкм) обусловлен тем, что при меньшей толщине происходит недостаточно качественное заращивание микродефектов и сглаживание ступенек, а при более толстой пленке не будет разницы клина травления, необходимой для сглаживания острой кромки контактного окна к базе.
Таким образом, напыление металла для создания контактной металлизированной разводки проводится на практически бездефектную поверхность и сглаженный ступенчатой рельеф контактных окон, поэтому при создании металлизированного рисунка происходит качественное удаление металла как с плоской поверхности, так и со ступенчатой, что предотвращает возникновение закороток, трещин, разрывов металлизации и позволяет получать транзисторы с низким уровнем обратных токов и высокой ступенью надежности при эксплуатации.
Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к технологии изготовления полупроводниковых приборов. Цель - повышение выхода годных и надежности транзисторов за счет сглаживания рельефа поверхности структуры перед металлизацией. Для этого при изготовлении транзисторов на поверхности подложки формируют диэлектрическую пленку, вскрывают в ней окна под области базы, легируют их базовой примесью. Затем осаждают кремнийсодержащую диэлектрическую пленку, вскрывают окно к области эмиттера и проводят окисление до получения в окне пленки оксида кремния толщиной 0,08 - 0,12 мкм. Далее вскрывают контактные окна и формируют металлизацию, причем контактное окно к эмиттеру вскрывают путем локального травления термической пленки оксида кремния на поверхности эмиттерной области. Способ обеспечивает создание структурно-совершенной пленки диэлектрика над пассивными участками подножки и сглаженные края контактных окон к активным областям транзистора, что предотвращает возникновение проколов в области изолирующего диэлектриками и обрывов шин металлизации.
Заявка
4750349/25, 16.10.1989
Особое конструкторское бюро при Новгородском заводе им. Ленинского комсомола
Романов Ю. П
МПК / Метки
МПК: H01L 21/331
Метки: биполярных, кремниевых, свч-транзисторов
Опубликовано: 20.07.1996
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1649965-sposob-izgotovleniya-kremnievykh-bipolyarnykh-svch-tranzistorov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления кремниевых биполярных свч-транзисторов</a>
Способ получения генерации в области 4, 3 мкм в со -лазере с оптической накачкой
Номер патента: 1530040
Опубликовано: 23.02.1991
Авторы: Петухов, Точицкий, Трушин, Чураков
МПК: H01S 3/22
Метки: генерации, лазере, мкм, накачкой, области, оптической
...см , длительность переднего фронта импульса лазерного излучения не превьппает 25 нс, при этом переход 3 00 . - 10 1 возбужден О них молекул СО цясьпщается и достио гяется инверсия на переходе (10 1 10 0 генерирующем излучение с длиной волны в области 4,3 мкм. В случае облучения воэбужденньж молекул СО 25 импульсом лазерного излучения в области 94 мкм полученным ня переходе 100 1 - 02 оОизотопозамещенной молекулы ГО , насыщается переход ОО 2 - 021 возбужденной молекулы СОо и достигается инверсия на переходе (02 1 - 10 О ) генерирующем излучение в области 4,3 мкм, В таблице приведены возможные варианты выбора иэотопозамещенцых молекул СО35 в кювете 1 и возбуждаемых молекул СО в камере 4, указаны совпадяюпие по частоте переходы, я также...
Способ изготовления ис на биполярных транзисторах
Номер патента: 1538830
Опубликовано: 27.12.1996
Авторы: Лукасевич, Манжа, Соловьева, Шевченко
МПК: H01L 21/82
Метки: биполярных, транзисторах
Способ изготовления ИС на биполярных транзисторах, включающий формирование в кремниевой подложке первого типа проводимости высоколегированных областей второго типа проводимости под скрытый слой, наращивание эпитаксиального слоя второго типа проводимости, создание охранных областей первого типа проводимости под области изоляции, формирование областей изоляции и глубокого коллектора, осаждение на поверхность эпитаксиального слоя первой пленки поликремния, ее локальное прокисление вне базовых областей транзисторов, ее легирование примесью первого типа, формирование первой диэлектрической пленки, вскрытие в ней окон под эмиттерные области транзисторов, вытравливание во вскрытых окнах первой пленки поликремния, формирование пристеночных...
Способ контроля качества поверхности конденсаторной пленки
Номер патента: 1091238
Опубликовано: 07.05.1984
Авторы: Горбань, Кириллова, Михайлова, Симо, Смирнов, Фирсова
МПК: H01G 4/12
Метки: качества, конденсаторной, пленки, поверхности
...конденсаторныхпленок. Уменьшение микрорельефа поверхности пленок способствуетулучшению спекания диэлектрика сметаллизационным покрытием, сокращает локальную разнотолщинность в диэлектрике и выравнивает напряженностьэлектрического поля в рабочих слоях,Цанболее близким к предлагаемомупо технической сущности являетсяспособ контроля качества поверхности конденсаторной пленки, включающий размещение отрезка конденсаторной пленки на столике профилаграфапрофилометра с последующим определением профиля рельефа 21Его недостатком является невозможность определения микрорельефаособо тонких (до 25 мкм) керамических и (до 7 мкм) металлосодержащихпленок для изготовления многослойных монолитных керамических конденсаторов.Цель изобретения -...
Раствор для локального травления пленок арсенида галлия
Номер патента: 513117
Опубликовано: 05.05.1976
Авторы: Кершман, Максимова, Федоров
МПК: C23F 1/02
Метки: арсенида, галлия, локального, пленок, раствор, травления
...может быть осуществлено ни одним из известных травителей. Либо травитель не являетея полирующим к используемой плоскости (100), либо обладает недопустимо большой скоростью травления (1,0- - выше), либо дает Чмкмобразный профиль травления с одновременным разрушением пленки фоторезиста, либо обладает диф- М Плавиковая кислотаПерекись водородаФторид аммония 385,71,5-26 стальн условиях комнатной температуры (20 С) и ушает пленки фоторезиста. Травление эпитак ых пленок ОаА 5 проводится в объемес пе раэаль. та пленок ОаА 5 используется пр меэа-планарных транзисторов, р -ди назоне, н раствор для локал,ного травлнок арсенида галлия, содержащий плавиколоту и перекись водорода. Раствор обеспечивает получение полированноиверхности дна фигур...
Способ изготовления полупроводниковых приборов
Номер патента: 803744
Опубликовано: 15.04.1994
Авторы: Айзенштат, Игнатьев, Липин
МПК: H01L 21/338
Метки: полупроводниковых, приборов
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий создание омических контактов, формирование маски для получения рисунка затвора из двух защитных пленок, нанесение материала затвора, удален с защитных пленок и выделение активной области прибора, отличающийся тем, что, с целью получения приборов с затворами субмикронной длины и субмикронным расстоянием между катодом (анодом) и затвором без использования специального оборудования, предварительно создают на поверхности эпитаксиального слоя субмикронный контактный слой, затем наносят первую защитную пленку, проводят фотолитографию и последовательно стравливают незащищенные фоторезистором участки защитной пленки и слоя материала, предназначенного для создания омических контактов, не...
Предыдущий патент: Пьезоэлектрический резонатор
Следующий патент: Леерное ограждение надувного плавучего средства
Случайный патент: Устройство для автоматической переездной сигнализации