Патенты с меткой «плазмохимической»

Номер патента: 998582

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Долгополов, Иванов, Кохан, Рогачев, Сологуб, Хайнацкий

МПК: C23F 1/00

Метки: плазмохимической, пластин, полупроводниковых, процессом

...(5) следует, что й й пропорционально скорости изменения напряжения И, а следовательно и скорости изменения интенсивности свечения про 25 дуктов,реакции.В соответствии с выражением (3)предлагаемое устройство сформирует сигнал окончания процесса обработки О 1 после прохождения максимума на зависиЗф мости 0 (1 ) и уменьшения скорости1изменения величины 01 (1) до заданного значения (4),Формула изобретени я Устройство управления процессом .плазмохимической обработки полупроводниковых пластин, содержащее усилитель,к входу которого подсоединен фотоэлемент, отличающеес ятем,что,с целью улучшения качества обработкиза счет повышения точности фиксациимомента окончания процесса, оно дополнительно содержит вычислительный блок,45 тактовый...

Номер патента: 1088589

Опубликовано: 07.04.1988

Авторы: Гущин, Долгополов, Иванов, Медведев, Сологуб, Хоббихожин

МПК: H01L 21/3065

Метки: плазмохимической, пластин, полупроводниковых

...и путем изменения его расхода устанавливают рабоее давление в диапазоне 6,7-133 Па. После этого через время С так как происходит значительное разбавление (5 Х) рабочей смеси в реакторе. Это приводит к тому, что внекоторых технологических процессах,при использовании в качестве балластного газа - азота при его содержаниив плазмообразующей смеси )5 Х происходит дополнительная деструкция фоторезистивной маски энергией, выделяемой при дезактивации возбужденных мо Чф РС К фиещеЯ Ргде К - коэффициент (1 сКс 5)у Чобъем реактора, л; Я - расход газа,л/с; Р - рабочее давление, торр;Р, - нормальное атмосферное давление,возбуждают ВЧ разряд и проводятпроцесс плазмохимической обработки.Подача газа-разбавителя на выходеиз реактора позволяет...

Номер патента: 1199151

Опубликовано: 30.11.1990

Авторы: Долгополов, Иванов, Кохан, Рогачев, Сологуб, Хайнацкий

МПК: H01L 21/302

Метки: плазмохимической, пластин, полупроводниковых, процессом

...с преобразователя 1.(кри-: вая А на фиг.2) модулируется модуля-, тором 3 частотой 1 кГц и также подается на тракт усилителя,Если постоянная составляющая выходного напряжения усилителя 6 отличается, от 11 , то интегратор 11 изменяет коэффициент усиления усилителя п 6 (при уменьшении выходного нанряже= ния увеличивает коэффициент усиления и наоборот). Например, если напряже 4. ние с преобразователя 10 уменьшается на 12%, то коэффициент усиления увеличивается примерно на 12%.Сигнал с преобразователя 1 прохо" дит тот же тракт усиления. Кроме того, влияние флуктуаций давления и мощности на его выходной сигнал таков же, как на преобразователь 10, поэто,1 му уменьшение выходного напряжения преобразователя 1 на 12% будет ском".пенсировано...

Номер патента: 1536883

Опубликовано: 30.07.1991

Авторы: Гришин, Зельдин, Караваев, Каретников, Краснов, Спицин

МПК: D06B 19/00, D06C 29/00, D06M 10/00 ...

Метки: линия, плазмохимической, поточная, текстильных

...стыках между шаровыми стенками, ограниченных каждое тремя дугами окружности, из которых каждая лежит и своей плоскости, а плоскости эти взаимно перпендикулярны,Отверстие преДставляет собой пространственный треугольник, основным свойстном которого является не толь" ко то, что сторонами его являются окружности, но и одинаковость биггектрисных сечений всех трех его углов. Поэтому закрыть это отверстие прн условии минимального расхода металла можно только одной геометрической фигурой, а именно сферой. На фиг,3 изображены сегментообразные детали 18 так, как они расположены ца фиг,2 (на фиг.З они зачернены): одна снер 55 ху, одна сбоку и одна спереди. Все взаимно перпендикулярны плоскости оснований. Эти основания - плоские окружности. Все...

Номер патента: 1778817

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Геллер, Катаев, Невейко, Хрусталев

МПК: H01J 9/20

Метки: вакуумных, плазмохимической, приборов, электронно

...элементы 5, входящие в состав распределенного ВЧ-генератора тока 1, представляют собой в данном случае лампы ГУв количестве 4 штук.Генератор ВЧ 6 электромагнитных колебаний, необходимый для возбуждения активных элементов 5, имеет верхнюю г аницу рабочей частоты 1 г.а не менее1 р = 1 Г 2 13,56=20 МГц и регулируемую выходную мощность не менее 60 Вт. Однородный волновой тракт 7, служащий для подведения ВЧ-напряжения возбуждения к активным элементам 5, образован П-образными фильтрами нижних частот, величины элементов которых: 1-с 1=с 2 фЧ-с 3=1-с 4, Сс 1=Сс 2=СсЗ=Сс 4 ю Неоднородный нагрузочный волновой тракт 3 образован последовательно соединенными П-образными ФНЧ 4, а элементы каждого фильтра образованы катушкой ин 5 10 15...

Номер патента: 1536881

Опубликовано: 27.11.1995

Авторы: Горберг, Гришин, Зельдин, Иванов, Каретников, Спицин

МПК: D06C 27/00

Метки: линия, плазмохимической, полотен, поточная, текстильных

1. ПОТОЧНАЯ ЛИНИЯ ДЛЯ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ТЕКСТИЛЬНЫХ ПОЛОТЕН, содержащая по меньшей мере один вакуумный плазмохимический реактор с размещенной в нем системой плазмообразования и расположенные перед реактором и после него, соединенные с вакуум-системой герметичные емкости, в каждой из которых размещен держатель рулона полотна и транспортирующие элементы для перемещения полотна вдоль линии, отличающаяся тем, что, с целью повышения производительности, она имеет установленную перед первой герметичной емкостью по ходу движения полотна сушильную машину и средства загрузки и выгрузки держателей рулонов полотна, одно из которых размещено между сушильной машиной и первой герметичной емкостью, а другое на выходе линии, причем каждое средство...

Номер патента: 1814435

Опубликовано: 27.07.1996

Авторы: Корешков, Родин, Сасновский, Турцевич, Цыбулько

МПК: H01L 21/28

Метки: алюминия, изготовлении, плазмообразующая, плазмохимической, разводки, сбис, смесь, сплавов

...алюминия и его сплавов происходит уменьшение вероятности коррозии разводки и затрава в межслойный диэлектрик,Верхний предел содержания кислорода в смеси, равный 55 об,; обусловлен увеличением радиационных повреждений и разбавлением смеси, это приводит к увеличению вероятности коррозии разводки алюминия и его сплавов.Нижний предел содержания кислорода в смеси, равный 45 об,о обусловлен снижением скорости травления фоторезиста и уменьшением толщины защитной пленки на боковой поверхности разводки, что приводит к увеличению вероятности коррозии разводки алюминия и его сплавов,Верхний предел содержания гексафторида серы в смеси, равный 25 об, обусловлен увеличением скорости травления двуокиси кремния, что приводит к увеличению затрава...

Номер патента: 1607454

Опубликовано: 20.12.1999

Автор: Зельдин

МПК: D06B 19/00, D06C 29/00, D06M 10/00 ...

Метки: плазмохимической, полотна, текстильного

1. Машина для плазмохимической обработки текстильного полотна, содержащая резервуар, включающий стационарное основание и вакуумный колпак, устройство для вакуумирования резервуара, устройство для плазмообработки полотна, и систему перемещения полотна, включающую накатно-раскатные устройства, направляющие ролики, следящие ролики для контроля диаметра рулона и привод, отличающаяся тем, что, с целью повышения качества обработки полотна путем стабилизации скорости движения полотна во все время цикла перемотки рулона, система перемещения полотна имеет тахогенератор, кинематически связанный с направляющими роликами и электрически с приводом, а накатно-раскатные устройства кинематически связаны...

Номер патента: 1222175

Опубликовано: 10.04.2004

Авторы: Гомжин, Лебедев, Юдина

МПК: H01L 21/306, H05H 1/00

Метки: индивидуальной, плазмохимической, пластин

Устройство для плазмохимической индивидуальной обработки пластин, содержащее реакционно-разрядную камеру с плоскопараллельными электродами, один из которых соединен с ВЧ-генератором, а другой с держателем пластины заземлен, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции и повышения равномерности обработки, электрод, соединенный с ВЧ-генератором, выполнен в виде плоской спиральной пружины, внешний конец которой жестко закреплен, а внутренний установлен с возможностью вращения вокруг оси, при этом ширина спиральной пружины выбрана из условиягде a - ширина спиральной пружины;D - диаметр пластины;n...