Тюнькова

Номер патента: 1566814

Опубликовано: 27.11.1998

Авторы: Константинов, Новиков, Тюнькова, Шуляковский

МПК: C30B 29/40, C30B 33/04

Метки: пластин, полупроводниковых

Способ изготовления полупроводниковых пластин, включающий механическую обработку слитка, обработку лазерным излучением и резку, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных пластин из арсенида индия за счет снижения количества дефектов кроя пластин, обработке излучением подвергают всю внешнюю поверхность слитка при следующих параметрах излучения:Мощность излучения, Вт - 3,40 - 3,90Длительность импульса, с - 0,004 - 0,006Коэффициент перекрытия луча - 0,4 - 0,5д

Номер патента: 1593513

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Башевская, Колмакова, Пащенко, Тюнькова

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, пластин, предэпитаксиальной

Способ предэпитаксиальной очистки пластин арсенида галлия, включающий обработку в травителе, содержащем перекись водорода и воду, промывку в деионизованной воде, промывку в концентрированном водном аммиаке, повторную промывку в деионизованной воде и сушку, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества поверхности пластин за счет снижения уровня загрязнения углеродом, обработку проводят в травителе, дополнительно содержащем хлористый натрий и водный аммиак, при следующем количественном соотношении ингредиентов, мас.ч.Водный аммиак (25%) 1Перекись водорода (30%) 1,5 2,18Вода 1,09 5,45Соль щелочного металла 0,0218 0,0981при этом обработку проводят в течение 15 20 мин.

Номер патента: 1559980

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Башевская, Колмакова, Пащенко, Сарнацкий, Тюнькова

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, поверхности

Способ очистки поверхности арсенида галлия, включающий химико-механическую полировку поверхности арсенида галлия, окисление поверхности путем химической обработки в концентрированном растворе перекиси водорода при одновременном воздействии ультразвука, удаление окисла с поверхности, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества очистки за счет снижения уровня углеродных загрязнений, окисление поверхности проводят не более чем через 10 мин после химико-механической полировки в растворе, дополнительно содержащем соль щелочного металла, при следующем соотношении ингредиентов, мас.Соль щелочного металла 2 7,4Перекись водорода (30%-ная) Остальноев течение 7 15 мин.

Номер патента: 1725704

Опубликовано: 20.09.1996

Авторы: Башевская, Белов, Заказнова, Колмакова, Рогов, Тюнькова

МПК: H01L 21/302

Метки: пластин, полирования, полупроводниковых

Способ полирования полупроводниковых пластин, включающий наклейку на каждый спутник трех пластин, размещение спутников в гнездах кассеты на полировальнике, воздействие на пластины вращающегося полировальника и абразивного состава при нагружении пластины, отличающийся тем, что, с целью повышения точности обработки, обработку пластин ведут при линейной скорости точки полировальника, совпадающей с положением центра кассеты, от 1,4 до 2,4 м/с и давлении от 5 до 7 кПа, причем используют абразивный состав динамической вязкостью 4 8 сП.

Номер патента: 1715133

Опубликовано: 20.08.1995

Авторы: Башевская, Заказнова, Колмакова, Рогов, Тюнькова

МПК: H01L 21/302

Метки: арсенида, галлия, пластин, полирования, химико-механического

СПОСОБ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОГО ПОЛИРОВАНИЯ ПЛАСТИН АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ, включающий обработку пластины вращающимся полировальником и полирующим составом, содержащим абразив, сульфаминовую кислоту, пероксид водорода, поверхностно активное вещество и воду, отличающийся тем, что, с целью улучщения плоскостности пластин при сохранении качества поверхности, химико - механическое полирование проводят в два этапа на одном полировальнике, причем на первом этапе удаляют 80 95% припуска полирующим составом, содержащим в качестве абразива натриевый цеолит, а на втором этапе удаляют 5 20% припуска полирующим составом, содержащим в качестве абразива силиказоль, а в качестве поверхностно активного вещества используют сульфанол при следующем содержании...

Номер патента: 1766212

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Башевская, Белов, Рогов, Савостьянова, Тюнькова

МПК: H01L 21/304

Метки: полупроводниковых, структур, утонения

СПОСОБ УТОНЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, включающий операции механической обработки и полирующего травления нерабочей стороны, отличающийся тем, что, с целью повышения точности обработки и повышения выхода годных структур, операции повторяют, до и после последней операции травления измеряют неплоскостность поверхности, причем последнюю операцию механической обработки проводят на глубину не более 50 мкм, а последнюю операцию полирующего травления проводят на глубину, обуславливающую увеличение неплоскостности в 2,0 - 5,0 раз по сравнению с предыдущей механической обработкой.

Номер патента: 1792557

Опубликовано: 09.01.1995

Авторы: Башевская, Белов, Рогов, Смычникова, Тюнькова

МПК: B24B 31/00

Метки: пластин, полирования, полупроводниковых

...такжеразброс толщины по пластине.1 В процессе обработки пластин шламполупроводникового материала остается наполировальнике. Масло постепенно улету 15чивается с полировальника, особенно, еслипроводится обработка материалов группыА В (Станки снабжены вытяжной вентиляЧцией), Экспериментально установлено, чтопри продолжительности обработки 20-50мин стабильно поддерживается требуемаяплоскостность пластин арсенида галлия,При продолжительности менее 20 мип измерение плоскостности носит необъективный характер, т.к, количество снятого спластин припуска мало. Однако при этомвполне понятно, что масла на полировальнике вполне достаточно, и его количествопрактически не влияет на точность обработки пластин, Если продолжительность...