Думаневич

Номер патента: 1766221

Опубликовано: 20.11.1996

Авторы: Думаневич, Кузьмин, Тандоев, Юрков

МПК: H01L 29/74

Метки: тиристор

Тиристор на основе кремниевой многослойной p-n-p-n+ структуры, снабженной распределенными по площади структуры шунтами в виде цилиндров с проводимостью р-типа в эмиттерном слое n+-типа проводимости, причем шунты расположены так, что в поперечном сечении линии, проведенные через их центры, образуют равносторонние треугольники, отличающийся тем, что, с целью повышения dU/dt-стойкости, уменьшения времени выключения, времени включения и прямого падения напряжения путем оптимизации шунтировки, расстояния между шунтами D и диаметры шунтов Dш выбраны удовлетворяющими условиям:D = (A1 п+A2)

Номер патента: 755107

Опубликовано: 27.08.1996

Авторы: Думаневич, Евсеев, Иванова

МПК: H01L 29/74

Метки: однополярным, симистор, управлением

Симистор с однополярным управлением, выполненный на основе многослойной структуры, например, n-р-n-р-n-типа, содержащий контакты основного токосъема на основных поверхностях структуры, под которыми расположены внешние слои n- и р-типа проводимости, и на одной из основных поверхностей расположен управляющий электрод, присоединенный к области р-типа проводимости с дополнительными областями n-типа проводимости и контактами, выполненными в виде полуколец и расположенными между управляющим электродом и контактом основного токосъема на одной поверхности структуры и внешним слоем n-типа проводимости и проекцией области управления, свободной от металла, на другой поверхности структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения крутизны фронтов...

Номер патента: 1026610

Опубликовано: 10.08.1996

Авторы: Думаневич, Зумберов, Иоспа, Кузьмин, Ханстин, Юрченко

МПК: H01L 29/74

Метки: тиристор

Тиристор, выполненный на основе n-р-n-р- структуры с шунтами р-типа в n-эмиттере и с концентрацией акцепторной примеси в р-базе под n-эмиттером по всей площади на расстоянии 3 8 мкм, не превышающей 5 1015 см-3, отличающийся тем, что, с целью повышения динамических и частотных параметров, повышения напряжения и предельного тока при сохранении малых значений прямых падений напряжений, в области шунтов на том же расстоянии под n-эмиттером выполняются дополнительные участки с концентрацией акцепторной примеси, составляющей не менее 5 1016 см-3.

Номер патента: 908198

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Генералов, Граужинис, Думаневич, Ковров, Кузьмин, Рухамкин

МПК: H01L 29/74

Метки: тиристор

1. ТИРИСТОР, содержащий вспомогательный n-эмиттер, расположенный в центре структуры вокруг управляющего электрода, снабженный выступами, приближенными по радиусу к управляющему электроду, основной эмиттер, охватывающий вспомогательный эмиттер и отделенный от него p- базовым слоем, отличающийся тем, что с целью повышения допустимой величины скорости нарастания анодного тока и повышения рабочей частоты, между выступами вспомогательного эмиттера расположены дополнительные изолированные эмиттерные области, при этом расстояние от управляющего электрода до дополнительных эмиттерных областей по крайней мере в два раза больше расстояния от управляющего электрода до выступов.2. Тиристор по п.1, отличающийся тем, что с целью улучшения...

Номер патента: 1225426

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Думаневич, Зумберов, Кузьмин

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковый, прибор

1. Полупроводниковый прибор, содержащий полупроводниковую пластину по крайней мере с одним p - n-переходом и контактную металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, металлизация выполнена с уменьшающейся по направлению к поверхности раздела металл - полупроводник микротвердостью с градиентом микротвердости 1013 - 2 1013 Па/м.2. Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий формирование в полупроводниковой пластине по крайней мере одного p - n-перехода, нанесение на пластину металлизации и термообработку, отличающийся тем, что металлизацию создают последовательным нанесением слоев металла, а...

Номер патента: 1373248

Опубликовано: 10.03.1996

Авторы: Думаневич, Евсеев, Рачинский, Тетерьвова

МПК: H01L 29/747

Метки: симистор

1. СИМИСТОР, содержащий n-p-n-p-n-структуру с контактами к основным n- и p-эмиттерным слоям и к области управления, в котором проекции n-эмиттерных слоев на противоположных поверхностях структуры за пределами области управления не перекрываются, область p-типа управления, расположенная на верхней поверхности, охвачена частично областью n-типа управления, проекция которой попадает на n-эмиттерный слой, расположенный на нижней поверхности, отличающийся тем, что, с целью управления напряжением переключения в любом направлении током одного порядка, повышения динамических параметров и рабочей температуры, часть n-эмиттерного слоя, расположенная на нижней поверхности под областью управления, проекционно связана и повторяет форму области n-типа...

Номер патента: 898905

Опубликовано: 27.02.1996

Авторы: Белая, Дудченко, Думаневич, Евсеев, Тетерьвова

МПК: H01L 31/111

Метки: фотосимистор

1. ФОТОСИМИСТОР на основе многослойной структуры, например, n-p-n-p-n типа, содержащий зашунтированные внешние n-эмиттерные слои, контакты основного токосъема, дополнительные n-эмиттерные области, частично металлизированные, участок базы, управляемый световым потоком, по крайней мере, с одной стороны структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения стойкости прибора к высоким скоростям нарастания анодного напряжения в режиме коммутации и повышения чувствительности к оптическому сигналу управления, проекция внутреннего контура металлизации по крайней мере одной дополнительной n-эмиттерной области на поверхность структуры хотя бы частично совпадает с границей внешнего n-эмиттерного слоя.2. Фотосимистор по п.1, отличающийся тем, что,...

Номер патента: 1715124

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Думаневич, Нисневич

МПК: H01L 21/22

Метки: внутренних, изолированных, областей, формирования

...нецелесообразно брать р80 Ом см, так как 15максимальную толщину формируемой изолированной и-области практически нельзяполучить больше 220 мкм. Максимальнаятемпература 1300 С ограничена при длительной работе возможностями современного диффузионного оборудования, а такжеопределяется тем, что с повышением температуры ухудшаются параметры исходногокремния и увеличивается деформация тонких пластин, а при температуре ниже 251240 С сильно возрастает время термообработки.Для изготовления многослойных структур силовых тиристоров и симисторов с повторяющимся напряжением 800-1200 В 30необходимо изготовить р-и-р-структуру столщиной р-слоя Х) = 60-70 мкм и поверхностной концентрацией примеси Й (1-2) 10см, что соответствует поверхностному...

Номер патента: 349356

Опубликовано: 30.05.1988

Авторы: Думаневич, Евсеев

МПК: H01L 29/74

Метки: симметричный, тиристор

...половиной кольцевой областидырочного типа проводимости, а отэмиттерной области дырочного типа полукольцом с электронным типом проводимости и полукольцом области дырочного типа проводимости,На фиг.1 схематично изображено сечЕние симистора; на фиг,2 - полупроводниковая пластина, вид сверху и снизу.Предложенный симистор состоит из исходного монокристаллического кремния 1 с проводимостью электронного типа, дырочных слоев 2 и 3, получен ных. диффузией, эмиттерных слоев 4 и 5 п-типа, кольцевой области 6 с электронным типом проводимости, полу- кольцовой области 7 с электронным типом проводимости, электронно-дырочных переходов 8-13, управляющего электрода 14, верхнего и нижнего силовых электродов 15,16 соответственно,Такая...

Номер патента: 466817

Опубликовано: 30.05.1988

Авторы: Думаневич, Евсеев

МПК: H01L 29/74

Метки: переключатель, полупроводниковый, трехэлектродный

...в обратном 1направлении двух р - п-переходов, вследствие чего повышается напряжение в цепи управления, 30Предложенный переключатель отличается тем, что шунтировка дополнительной области выполнена только состороны управляющего электрода.На фиг.1 изображен тиристор, упРав ляемый током . отрицательной полярности и содержащий пластину 1 исходного кремния электронного типа, диффузионные слои 2,3 дырочного типа; диффузионные слои 4,5,6 электрон ного типа; электроннодырочные переходы 7-11; металлические контакты 12- 15Отличием данной структуры является шунтирование р-и-перехода 1145 дополнительной области 6 со стороны управляющего электрода. В результате при подаче сигнала управления инжекция электронов происходит из областей 5 и 6, структура...

Номер патента: 1379831

Опубликовано: 07.03.1988

Авторы: Думаневич, Замятин, Камышный

МПК: H01H 69/00, H01H 79/00

Метки: короткозамыкатель, одноразовый

...электроду тиристоров (не показан) или при его пробое чрезмерным током и напряжениемподпружиненные контакты смещаютсянавстречу друг другу и, соприкасаясь, создают короткозамкнутое соединение,Краевые области предлагаемогокороткозамыкателя имеют меньшую проводимость чем известного и шнурование тока в этом случае происходитпод защитой внешних областей полупроводниковой структуры, которыекратковременно сдерживают плазмувнутри объема структуры на время,необходимое и достаточное для образования металлической перемычки,замыкающей электроды, Ее образование гасит плазменнйй шнур,В связи с тем, что естественныйразброс проводимостей отдельныхучастков кристалла лежит в пределах20-507 соотношение сопротивленийкраевых областей кристалла и...

Номер патента: 1363328

Опубликовано: 30.12.1987

Авторы: Бабайлов, Думаневич, Каликанов, Туник, Фомин, Червяков, Якивчик

МПК: H01L 25/00

Метки: модуль, полупроводниковый, силовой

...виде капиллярно-пористых дисков со сквозными радиальнымипароотводящими каналами, закреплены 25на внутренней поверхности емкости спомощью эластичных зацепок 6, изготовленных из самовулканизирующегосякомпаунда. Для улучшения доступа промежуточного теплоносителя к теплоотводящим элементам эластичные зацепки 6 выполнены в виде полуколец срадиальными вырезами. Полупроводниковые структуры 4 и теплоотводящие элементы 5 соединены с помощью внешнегоприжимного устройства, состоящегоиз двух опорных шайб 7, двух пружин8, болта 9, и двух гаек 10. В целяхисключения механического повреждениягерметичной емкости токосъемные шины 4011 присоединены к ней с помощью сильфонов 12.Силовой полупроводниковый модульработает следующим образом.При прохождении через...

Номер патента: 435745

Опубликовано: 07.02.1985

Авторы: Думаневич, Евсеев

МПК: H01L 31/00

Метки: фотосимистор

...световой 15 сигнал подают на периферийные участки в месте выхода р-п-переходов на поверхность.Цель изобретения - упрощение управления прибором с помощью светово го потока.Предложенный фотосимистор отличается тем, что проекции внешних слоев электронного типа проводимости на нижнюю или верхнюю поверхность пластины перекрываются в области освещаемого участка структуры. На фиг, 1 показан предложенный фотосимистор, разрез по области управ ленни; на фиг. 2: а, б - то же, внд сверху и снизу соответственно; в - разрез по А-А.Фотосимистор содержит слой 1 исходного материала электронного типа проводимости с низкой концентрацией примеси, слои 2,3 полупроводника дырочного типа; слои 4,5; сильнолегированного полупроводника электронного типа,...

Номер патента: 397122

Опубликовано: 07.02.1985

Авторы: Думаневич, Евсеев

МПК: H01L 29/74

Метки: симметричный, тиристор

...структура содержит участки в базовых слоях, время жизни неосновных носителей в которых по крайней25иере в 1,5 раза больше, чем в остальной части структуры, расположенныетак, что проекции границ этих участков на поверхность структуры с управляющим электродом охватывают границы ЗОэмиттерных переходов на расстояниине менее толщины узкой базы и иэолировапные от основного токосъема состороны структуры свободегой отуправляющего электрода.На чертеже показана схема структу35ры тиристора, управляемого в прямомнаправлении током положительной, ав обратном направлении - током отрицательной полярности, Схема содержитслой 1 исходного нпзколегированногополупроводника электронного типа,слои 2 и 3 дырочного типа с умеренной степенью легирования,...

Номер патента: 397121

Опубликовано: 07.02.1985

Авторы: Думаневич, Евсеев

МПК: H01L 29/74

Метки: симметричный, тиристор

...приложении сигнала управления ("+" на электрод 19 и "-" на электрод 17, обычно электрически свя " занный с электродом 16) включение начинается на участках 6 и 7. Это, например, достигается радиальной кон-, струкцией структуры с управляющим электродом, расположенным в центре .круга (фиг,2), или дополнительным шунтированием гг -О-перехода в слоях 4 и 8В направлении пропускания тока принцип действия аналогичен принципу действия тиристора с регенеративным управлением.Для обратного включения, когда 5 к верхнему основному электроду приложено положительное относительнонижнего электрода напряжение, при подаче управляющего сигнала вначале начинает проводить участок, рас- О положенный под металлическим контактом управляющего электрода 19, т.е,...

Номер патента: 949554

Опубликовано: 07.08.1982

Авторы: Боронин, Гусев, Дерменжи, Думаневич, Соков, Тестоедов, Чесноков

МПК: G01R 31/26

Метки: анодного, нарастания, неразрушающего, предельной, скорости, тиристора

...4 ь изобретения - повышение точности и производительности нераэрушающего определения предельной длятиристора скорости нарастания анодного тока во всем диапазоне рабочихтемператур (до 125 О С) . 5Поставленная цель достигаетсятем, что согласно способу, включающему пропускание через тиристор импульсов силового тока возрастающейамплитуды, пропускание в момент про- (Охождения импульсов контрольного тока,величина которого превышает ток утечки тиристора, измерение временноготермочувствительного параметра, контрольный ток пропускают через управляющий и анодный электроды тиристора и измеряют время восстановленияблокирукщих свойств р-и-р-транзисторной секции исследуемого тиристора.,используемое в качестве термочувстви тельного...

Номер патента: 526243

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Думаневич, Евсеев, Рачинский, Тетерьвова

МПК: H01L 29/74

Метки: переключатель, полупроводниковый, трехэлектронный

...затем тиристор с областью 5 и, наконец, главный тиристор с областью 3. Фиг, 5 поясняет работу симистора в третьем квадранте. Инжекцией электронов с области 9 обеспечивается первоначально включение тиристора с катодной областью 6, затем начинает ивкектировать область 5 и включается главный тиристор с катодной областью 8. В данном случае оптимальный режим работы устройства обеспечивается при условии, когда проекции области 9 и 6, а также 5 и 8 хотя бы частично перекрываются.фиг. 6 поясняет работу симистора в четвертом квадранте. Область 10 во вспомагательной дырочпой области служит для уменьшения токов управления, Область первоначального включения в данном случае возникает в тиристоре с областью 6 благодаря инжекции области 10...

Номер патента: 710085

Опубликовано: 15.01.1980

Авторы: Асина, Думаневич, Евсеев

МПК: H01L 29/74

Метки: полупроводниковый, прибор, силовой

...Н. Потапова Техред З.Фанта Корректор В. Бутяга Заказ 8771/51 Тираж 844 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 3сопротивления утечки вдоль края эмиперногоперехода основной тиристорной структуры обес.печивается увеличением расстояния между шунтами по мере удаления от УЭ. Регулированиесопротивления утечки края п+ - р эмиттерногоперехода может быть выполнено также измене.нием геометрических размеров шунтов, приэтом увеличение размеров шунтов ведет куменьшению сопротивления утечки, Возможнаконструкция, в которой сопротивление утечкирегулируется сочетанием изменения плотностии размеров шунтов вдоль...

Номер патента: 326917

Опубликовано: 05.02.1978

Авторы: Думаневич, Евсеев, Фалин

МПК: H01L 21/00

Метки: симметричный, тиристор

...й/О 1 ограничивается величиной лучшем случае порядка 30 А/мкс. Этот пара метр накладывает значительные ограничения на схемные применения приборов.Предлагаемый симметричный тиристор допускает критическое . значение Й/Й до 000 А/мкс благодаря тому, что пятислойиая структура управляется с полощью самовозбуждающегося (регенеративного) управляющего электрода по току или напряжению как для прямой, так и для обратной ветви.На фиг.и 2 изображен один из возможных вариантов предложенной пятислойной структуры,Симметричный тиристор содержит дополнительные областии 2 в правом и левом тиа напряжение на силовых полярность (плюс свер а, а управляющей цепи вльное смещение (минус аления), проводящий канал чально непосредственно у у32697формула...

Номер патента: 363410

Опубликовано: 25.08.1976

Авторы: Дерменжи, Думаневич, Евсеев, Конюхов, Локтаев

МПК: H01L 21/00

Метки: тиристор

...фронтом на части плошади структуры в состоянии низкой проводимости реализуются повышенные плотности тока, где и происходит первоначально включение тиристора, Как правило, в этой же области тиристорная структура обладает максимапьным значением коэффициента усиления, 15Приборы с такой конструкцией допускают скорости нарастания ансдного напряжения в лучшем спучае до 100 в/мксек,Цель изобретения - повышения стойкости к эффекту ди/1 Ф и устранение самовкпюО чения тиристора эа счет наводок в цепи управпения.В предлагаемом тиристоренимуму ипи вообще устраненываюшие неравномерное распред тока в эак лойную ст разницы в рного р-иециапьной рного р и ственно пр оду.чертеже и тирис тора, и и типа363410 ЮГПОЛЛ Составитель О. ФедюкинаТехредМ....

Номер патента: 482837

Опубликовано: 30.08.1975

Авторы: Думаневич, Челноков

МПК: H01L 21/761

Метки: тиристор

...тем, что структура тиристора изготовлена па кремнии с почти собственной проводимостью. Прилегаюгцпе к широкой базовой области р - и-переходы обладают повышенной скоростью рекомбинации, а следовательно, коэффициенты передачи тока у соответствующих триодов малы. При примыкании области объемного заряда к р - тг-переходу увеличение тока через структуру не происходит, так как имеет место большой ток утечки в р - и-переходе ПзРаспределение напряженности электрического поля в области р - 1 т-перехода, изготовл=нного,на кремнии с собственной проводимостью, почти линейно без четко выраженного максимума (у существующих тиристоров максимум обязательно имеется) .Критическое значение напряженности электрического поля Е,р, при котором наступает...

Номер патента: 456342

Опубликовано: 05.01.1975

Авторы: Думаневич, Евсеев, Осипов, Таратута

МПК: H02M 7/12

Метки: электроэнергии

...времени восстановления тиристоров.На фиг. 1 и 2 показаны основные элементы 10 преобразователя, выполненные с использованием тиристора с выводами от двух базовых областей; на фиг, 3 изображен элемент, использующий тиристор с обратной проводимостью.15 При использовании тиристора с выводамиот обеих базовых областей вывод от базовой области р-типа электрически связан с катодом, а вывод от п-базы - с анодом тиристора. Благодаря такой конструкции тцристорного эле мента создаются дополпительцые пути рассасывания избыточного заряда от базовых областей. Благодаря этому в несколько раз уменьшается время восстановления запирающей способности тиристора. При этом длитель ность процесса выключения мало зависит оттого, разомкнута ацодная цепь или...

Номер патента: 285713

Опубликовано: 15.07.1974

Авторы: Думаневич, Молибог, Якивчик

МПК: H01L 29/74

Метки: 285713

...заштрихованнойчасти эмиттрра значительно больше, чем участканаходящегося под ним. Поэтому при10 включении структуры первоначально анодныйток протекает по эмиттерной области с малымсопротивлением. Величина диффузионногосопротивления определяется геометрией эмиттера, уровнем и профилем его легирования,15 При заданной геометрии сопротивление полевой части лепко можно изменить, меняя величину удельного поверхностного сопротивленияв этой части структуры, Кроме того, сопротивление увеличивается п 1 ри уменьшении глуби 20 ны диффузионной области, поэтому в районеполевой части глубина а-эмиттера может, бытьменьше, чем в центре. В качестве сопротивлений полевой части структуры могут быть выбраны,прямоугольные и клинообразные высту 25 пы...

Номер патента: 274839

Опубликовано: 15.07.1974

Авторы: Думаневич, Молибог, Челноков, Шмелев, Якивчик

МПК: H01L 27/00

Метки: многослойная

...рабочей частоты слс;Овация импульсов тока, я та 1(же искл 10- чсцпя искрения и эрозии поверхности цлчИзвестна многослойная структура полуп 1)ОВОдппкОВОГО прибора, содержащая 11 с мсцсс четырех слоев, чередующихся цо типу проводимости, и выход по крайней мере от одной из базовых областей, к которому примыкает слой эмиттерцой области, свободной от омического контакта.Цсль изООретспия - создяцис копстрмкии, кОГОРЯ 51 позВОл 51 сГ Умецп 1 иь ВРС.51;Я винного роста тока цри вклк)чсции тцристоря, я с(сдОГ 1(1 тсл 1 ИО, ускорить рост яцОДИОГЙ тока и узспьшить цсрсгрсв вклк)чсццой зоПредлагаемая структура отличается тем, что ца свободной от омического контакта части эмипсра имеется участок с улучшенным отводом тепла, отделенный от...

Номер патента: 434520

Опубликовано: 30.06.1974

Авторы: Думаневич, Курцин, Челноков

МПК: H01L 23/10

Метки: корпус, фототиристора

...на чертеже.К массивному металлическому основанию1, служащему одним из электродов прибора,припаян вентнльный элемент 2, содержащий5 многослойную полу 1 роводниковую структурусо светочувствительным участком. К основапию крепится крышка 3, внутри которой через изолирующее кольцо герметично укреплена металлическая втулка 4 в виде полого ци 10 линдра, служащая друтик электродом прибора. Канал втулки закрыт оптически прозрачным окном 5, которое может обладать фокуснрующими свойствами.Втулка 4 электрически соединена с вентиль 15 ным элементом 2 с помощью амортизационного элемента 6 ввиде, например, металлической мембраны с отверстием посредине. Навтулку 4 может надеваться съемная фокусирующая оптическая система,23 Выполнение внутреннего...

Номер патента: 285707

Опубликовано: 15.06.1974

Авторы: Думаневич, Молибог, Якивчик

МПК: H01L 29/74

Метки: 285707

...сигнал большой адля быстрого, переноса включеннония в новые области структуры.Цель предлагаемого изобретенияшение допустимой величины скоростания анодного тока и повышеничастоты.Для эффективннал полевой частистаточно большиз ого самовозоуждения сигэмиттера должен быть дот, что и осуществляется в представлена предлагаемая ерного слоя четырехслойной - основной управляющий ектрод полевой области, 3 - управляющий электрод.ет длинную полевую часть 1, позволяющуо возбудить включение в центре структуры.Таская геометрия четырехслойной структуры с самовозбужде:ием обладает. рядом преимуществ:а) позволяет увеличить амплитуду. сигнала управлеия, снимаемого с полевой части, для включения перферийных мест;б) первоначально устраняется, возможное...

Номер патента: 326915

Опубликовано: 15.06.1974

Авторы: Думаневич, Молибог, Сахарова, Толкунов, Челноков, Якивчик

МПК: H01L 21/02

Метки: 326915

...В. Гута)аи Т)Граса 760 Совета Министро открытий паб., д. 4,5Изд.1712сударствсиного комитетпо делам изобретенийМосква, Ж, Рауиска Под)ГсносСССР ип. Хары(. фил. пред. Патент ВяЛЬПОГО 110 роиКд. Г,сК ПОГ(ссЗЫВЯ 10 т ЭКСГСр 1- МСНТс.ЛЬПЫС ПССЛСДОВсП 51,;ЯВЛСИ 1 С с)01 Дифс,ЗДПГс 1 В Зс 30)С СТсц 1 ДВЛИВДСТС 5 0 С.11 быст )о. -)ТИГ 1:рс,ОГврс)щсстся иоявлсппс НС 1)ОБПОСТСЙ ф)0 Ггс ДПС)фУЗИП В ХГССТс)Х НСПО. средстцсицого коцтйкта пластин и ысстах, гдс СОПРПКОСПОВСПП 51 ПСТ.1(,с)пцсптрЯИИ 5 ДИСГ)1)уздГтс ЯЗОТГГОГ(СЛОГ) алюыпшя прп Г;тсутстгиш кГслорода в зоис. Дцфс) , Зии 5 ВЛ 5 СТ(51 ПОСТОЯНПОИ И СОСТс 3,151 СТ 0,01- О,ъ.ПрГГ ко 111 спт)ЯГИГГ дзотеокслого й:Омпнпя большс 0,1% иа полироваццой повсрхио- СТП 1 РС)ГНП 51 П 05 ВЛ 51 ОТС 51...

Номер патента: 246682

Опубликовано: 25.05.1974

Авторы: Думаневич, Курцин, Павлик, Савкин, Челноков

МПК: H01L 29/74, H01L 31/111

Метки: 246682

...неравномерности будет зависеть от величины продольного сопротивления базового слоя. Увеличение продольного сопротивления базового слоя приводит к повышению максимального значения плотности тока по структуре, что способствует более быстрому достижению условий, необходимых для переключения структуры,246682 Иеоюбой ооглок тщаппическцйконтаит юлией пегиенлод фиг В предлагаемой конструкции фототиристора вокруг освещаемого пятна в базе создается участок с повышенным продольным сопротивлением, Этот участок может быть получен за счет более низкого уровня легирования части базового слоя (фиг. 1), а также уменьшения ширины базового слоя при ступенчатой форме эмиттер ного или коллекторного перехода (фиг. 3), получаемых, например, с помощью...

Номер патента: 237269

Опубликовано: 25.05.1974

Авторы: Думаневич, Курцин, Челноков

МПК: H01L 31/111

Метки: 237269

...4, например, конусообразной формы.Металлические электроды 1 и 2 соединенысо структурой сплавами, обеспечивающими 5 хороший омический и электрический контакт.Верхний контакт имеет одно или несколькоотверстий (форма отверстий может быть различная - круг, звезда, прямоугольник и т. д.) для доступа свегового потока на различные 10 у частки полупроводниковой структуры. Отразмеров, формы и количества отверстий зависят параметры прибора.Скорость поглощения света экспоненциально умсньшается с глубиной проникновения, 15 величина фототока определяется расстояниеммежду ближайшими р - а переходом и местом генерации носителей. В связи с этим для повышения световой чувствительности структуры необходимо сокращать расстояние меж ду поверхностью...

Номер патента: 383124

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Астафьев, Думаневич, Крылов, Минаев, Ничуразов, Сутько, Учайкин

МПК: H01L 21/00

Метки: групповой, полупроводниковых, элементов

...полупроводниковыеэлементы 2. Очищающий реагент, напримервысокоомная депоннзованная вода, подается вкамеру 3, Из камеры 3 очищающий реагентнаправляется через отверстия 4 в полость 5 кассеты, а затем через направленные под углом кольцевые щели 6 непосредствеццо к полупроводниковому элементу 2.Над каждым полупроводниковым элеме;пом 5 благодаря внешнему экрану 7 в рабочей полости ячейки создается одинаковый уровень очищающего реагецта для всех ячеек. Таким образом, о 11 ннаю 1 ций реагент, попадая в камеру 3, ранимерно распределяется по поло сти 5 кассеты н цз нее равномерно подаетсяк полупроводниковых элементам, обеспечивая непрерывное и практически равномерное растворение примесей н нх унос одновременно и непосредственно от...