Патенты с меткой «островков»

Номер патента: 51391

Опубликовано: 01.01.1937

Авторы: Базилевский, Боровик

МПК: E02D 15/08, E02D 23/00

Метки: кессонов, колодцев, них, образования, опускных, островков, установки

...времени заполнение шпунтовых и ряжевых ограждений песком для установки опускных колодцев и кессонов обходится довольно дорого и значительно увеличивает стоимость кессонирования и объем выемки грунта сравнительно с опусканием кессонов на плаву через воду.Согласно предлагаемому способу образования островков для установки на них кессонов и опускных колодцев, заполнение шпунтовых ограждений при зимних работах производят льдом, выпиливая его с поверхности реки близ места работ и укладывая правильными слоями на лед в шпунтовом ограждении. При проходке льда колодцем или кессоном без сжатого воздуха лед под ними подогревают, откачивая образующуюся воду.Таким путем имеется в виду облегчить опускание колодцев и кессонов до естественного...

Номер патента: 382174

Опубликовано: 05.01.1974

МПК: H01L 21/463

Метки: вскрытия, интегральных, кремния, монокристллличёских, островков, сносов, структурр, схем

...Ратшска 51 иаб., д, 45двлоярословеикоя городсяоя ти 1 огдв 1 ия Килтгясяого оолдстиого уирдвлсниа ив,твтсльсто, ир.тигрвфии и кви:Кио 1 торговли В(,1 цчиид усилия, огредед 5 емя из указдииого соотношения, достаточна для выирямлсиия исе 1)ИВлеций струетуры и ис ириюдцт и се разрушению. После того, как ириложсо усилие и структуры выирямлецы, ие ЗДКРСИ,5110 Г В ЭТО) ИО,ОЖСИИИ.С 1) Метмр 1 иослс соили(1)овки ир дети" с ски состоит цз одиородиого слоя иоликрцстдлличесеого крсмиця с вклочииями от- ,СЛЬ 1 ЫХ Е РИС 1 Д.1,ОВ, ИЗО(1 ИРОВЯИИЬХ ДИЭ,1(Е- трцком. 11 аиряженця в структуре, сущсствующис зд счет различной величины смиератури,1); наиряжсицй слоев, снимаются после искры гчя моиоерисалли чески)( островков. Посл( сошлифовки структуры не...

Номер патента: 907433

Опубликовано: 23.02.1982

Авторы: Вахрушева, Коган, Сапелкина

МПК: G01N 33/48

Метки: инсулярных, клеток, островков, отбора, трансплантации

...На 3-й сут состояние животногоулучшилось: появился аппетит исчезла вялость, жажда, сухость шерсти,цасса тела увеличилась на 100 г,уровень глиемии постепенно нормализовался к 10 сут после введения инсулиновых островков. 6 контрольныхкрыс погибли через 2-6 сут на фоненарастания гликемии и потери массытела.П р и и е д 2. По предлагаемомуф гспособу отобраны инсулиновые островки, Отмечено появление бледнозеле"ной люиинисценции ядер клеток островков церез 7 мин. Крысе йэтегмассой 130 г, введено 100 инсулиновых островков. Состояние животного,у которого была выраженная клиническая картина декомпенсированного сахарного диабета, значительно улуцшилось, уровень гликемии снизился на18-е сут до нормального с 414 мг 7.перед трансплантацией. 4...

Номер патента: 993096

Опубликовано: 30.01.1983

Авторы: Едемский, Фаустов

МПК: A61B 10/00, G01N 33/48

Метки: выявления, гистологическом, клеток, островков, панкреатических, препарате

...микроскопическом излучении гистологического препарата опухоли, окрашенного предлагаемым красителем, установлено, что цитоплазма опухоле-,45 вых клеток содержит альдегид-Фуксинофильные гранулы Фиолетового цвета.Заключение: опухоль является В-клеточной.П р и м е р 2. При патологоанатомическом вскрытии трупа больной, страдавшей язвенной болезнью желудка, берут кусочек опухоли поджелудочной железы для гистологического исследования. Из материала, залитого в параФин, готовят среды, которые наклеивают на предметные стекла белком с глицерином. Срезы депарафинируют и окисляют их в течение 20 с в смеси из 3 мл насыщенного водного раствора марганцовокислого калия, 3 мл 3-ной 60 серной кислоты и 44 мл дистиллированной воды. Затем срезы...

Номер патента: 1814445

Опубликовано: 10.09.1996

Авторы: Балбуцкий, Гайдук, Сасновский, Чаусов

МПК: H01L 21/308

Метки: кремния, островков, поликристаллического, полупроводниковых, профилем, структур, ступенчатым

...следующее ограничение на ширину уступа:уст. - крит.раза, (8)где Ьу - ширина уступа фоторезистивной маски относительно края островков поликристаллического кремния,Добавив в правую часть соотношения (8) величину (Ь-Ь,), которая всегда больше нуля, ибо в противном случае проблем с обрывами межкомпонентной разводки на островках поликристаллического кремния не возникало бы, мы еще более уменьшим вероятность появления несплошной пленки межкомпонентной разводки на ступеньке:уст, - крит.раза. ("пкк. раза,) з (9)Перепишем (9) следующим образом:пкк. раза. крит.раза. - 1 уст. (1 О)Сравнивая (10) и левую часть (7), получаем, что глубина несквозного травления слоя поликристаллического кремния и ширина уступа фоторезистивной маски относительно края...

Номер патента: 1568803

Опубликовано: 10.11.1997

Авторы: Двуреченский, Коляденко

МПК: H01L 21/268

Метки: изоляторе, кремния, монокристаллических, островков

Способ изготовления монокристаллических островков кремния на изоляторе, включающий формирование на монокристаллической подложке разделительного диэлектрика, осаждение слоя поликремния, формирование островков поликремния, осаждение капсулирующего диэлектрического слоя и рекристаллизационный отжиг импульсным нагревом в режиме плавления поликремния, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона используемых разделительных диэлектриков и упрощения технологии, островки поликремния располагают на расстоянии 5 50 мкм друг от друга, а рекристаллизационный отжиг проводят при длительности импульса 1 30 мс и плотности энергии излучения 24 100 Дж/см2.