H01L 29/808 — с затвором в виде p-n перехода
Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом
Номер патента: 1812898
Опубликовано: 27.03.1995
Автор: Мац
МПК: H01L 29/808
Метки: p-n-переходом, полевой, транзистор, управляющим
...т" к 0 зи.отс,2-Отсо + р- приведенные напряжения отсечки участков с крутизнами 31 и 82 на ВАХ соответственно.40 Таим образом формируется ПТУА, обладающий на ВАХ изломом с О и отсД,2- -2,5) О , ,1. Однако при О,и=О, , 2 ток не стремится к нулю, т.к. остается участок протекания тока через разрыв - 9 во второй 45 замкнутой дискретной области затвора 7.Рассмотрим, что происходит далее в ПТУП при увеличении обратного напряжения Оэи.После перекрытия канала под второй дискретной областью затвора 7 областью про странственного заряда р-и-переходаподложка (нижний затвор) - канал, происходит "смыкание по напряжению" с плавающей областью 7. "Смыкание по напряжению" в трехслойной структуре р -и р+(нижний затвор - канал - верхний затвор7) происходит...
Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом
Номер патента: 1828339
Опубликовано: 27.02.1996
Автор: Мац
МПК: H01L 29/808
Метки: p-n-переходом, полевой, транзистор, управляющим
...которой формируются активные элементы транзистора. Одновременно с об.лас гью 3 формируются области 4, 9 первого типа проводимости. Стандартными методами в островной области формируют низкоомные области 5, 7 истока и стока. Завершают изготовление ПТУП формированием металлических контактов 8 к области истока, стока, затвора (изолирующей области и/или подложке). Рассмотрен режим работы ПТУП с элементом защиты промежутка затвор-исток. Аналогично работает и элемент защиты в виде области 9 расположенный под центральной частью стока. На фиг,3 представлена конструкция ПТУП с защитой как промежутка затвор-исток, так и затвор-сток,Пример конкретной реализации, ПТУП изготавливают на пластине монокристаллического кремния ориентации 100 ртипа...
Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом
Номер патента: 1828340
Опубликовано: 27.07.1996
Автор: Мац
МПК: H01L 29/808
Метки: p-n-переходом, полевой, транзистор, управляющим
...1 1 3 1 Ззи отс 2В настоящем решении выполняются основные требования, предъявляемые к ПТУП - входным транзистором электрометрического усилителя: обеспечение на выходной ВАХ линейного участка при изменении в широком диапазоне напряжения сток-исток: минимизация токов утечки затвора.1.В настоящем решении 11,о, связано с (.1 зо, соотношением (2) У = 4 +у - (Б +р )р ) (2) зиотс 1 зиотс 2 к зиотс 1 к оВ настоящем решении 1)зо, = (2,2 2,5) 1)так как 11,и о, определяет только одна область затвора, а Б,определяет как область второго затвора, так и подложка. При любом изменении значения 11 1),всегда в (2,2 - 2,5) раз будет больше, т.е. ПТУП 1- основной транзистор всегда будет работать на линейном участке выход1828340 б ной ВАХ, И реализуется...