Патенты с меткой «барьером»

Номер патента: 306650

Опубликовано: 01.01.1971

МПК: H01L 21/443

Метки: диодов, шоттки, барьером, полупроводниковых

...того, толщина пленки не ограничивается вследствие термического разложения, как это обычно имеет место при использовании шестифтористого вольфрама. Можно легко образовать пленки вольфрама толщиной боле 1 лк.В соответствии с предложенным способом, на подложку может быть осаждена пленка вольфрама, однородная по толщине, с металлическим блеском, не содержащая неразложившихся галоидных соединений вольфрама.Кроме того, поскольку температура полупроводниковой подложки остается ниже 500 С, химически устойчивые промежуточные вещества на границе между этой подложкой и пленкой вольфрама не образуются, и на границе формируется барьер Шоттки, обладающий хорошим выпрямительным действием.На фиг. 1 показана установка для осу.цествления способа; на...

Номер патента: 582710

Опубликовано: 23.03.1981

Авторы: Гольденберг, Царенков, Львова

МПК: H01L 21/02

Метки: приборов, барьером, полупроводнико-вых, поверхностым

...80 ОС,Благодаря этим операциям получают структуру с тонким споем металла582710 Формула изобретения Составитель В. МякиненковРедактор Т, Колодцева Техред Е. Гаврилешко Корректор М. Вигула Заказ 1646/45 Тираж 784ВНИИПИ. Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб д, 4/5 Подписное Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4(10-20 нм) в центре и толстым слоемметалла на той части кристалла, гдебыла. поверхность нарушена.Токоподводы припаивают к болеетолстому слою металла, что исключаетпроплавление барьерного контакТа.П р и м е р. Изготавливают поверхностно барьерные фотодиоды на основеца А 5, На одной стороне пластины9 а А 5 изготавливают,омический контакт, а на другой проводят...

Номер патента: 878105

Опубликовано: 15.04.1983

Авторы: Мальковский, Семенова, Залетин

МПК: H01L 21/3063

Метки: дефектов, структур, потенциальным, исключения, полупроводниковых, рабочего, барьером, объема

...образуются микроплазмы, т,е. повышенная. электропроводность этой области структуры, вызывающая увеличение скорости электролитического удаления материала структуры. Если обработке подвергаются полупроводниковые структуры или структуры типа диэлектрик - полу; проводник/ то производится либо удаление дефекта, если он находится на ближайшей к поверхности структуры стороне потенциального барьера,.либо ликвидация потенциального ба 55 60 65 После обработки структур с барьером Шоттки пробивные напряжения наструктурах увеличились в 1;5-10 раз,величина обратного тока уменьшилась в 10 -104 раз,Использование данного способа посравнению с существующим позволяет:значительно упростить процесс, обеспечить воэможность обработки структур типа...

Номер патента: 1335056

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Авдеев, Матвеев, Колмакова, Зотов

МПК: H01L 21/28

Метки: шоттки, фосфиде, индия, приборов, полупроводниковых, барьером

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ НА ФОСФИДЕ ИНДИЯ, включающий химическую обработку поверхности пластин фосфида индия, включающий химическую обработку поверхности пластин фосфида индия, включающий химическую обработку поверхности пластин фосфида индия, включающий химическую обработку поверхности пластин фосфида индия, напыление в вакууме неактивного металла и формирование контактов, отличающийся тем, что, с целью увеличения пробивных напряжений за счет увеличения высоты барьера Шоттки, химическую обработку пластин фосфида индия осуществляют в плавиковой кислоте при температуре от 80 до 106oС в течение не менее 5 мин, а испытание неактивного металла производят через время, не превышающее 60 мин на...

Номер патента: 1574110

Опубликовано: 27.07.1996

Авторы: Гузаева, Нечаев, Москалев

МПК: H01L 21/265

Метки: полевых, шоттки, транзисторов, барьером

Способ изготовления полевых транзисторов с барьером Шоттки, включающий формирование n-слоя в подложке полуизолирующего арсенида галлия путем имплантации ионов донорной примеси, внедрения кислорода по крайней мере в области канала и термический отжиг, изоляцию активных областей транзистора и формирование металлических электродов к транзисторной структуре, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных транзисторов, создания резкого градиента распределения концентрации донорной примеси на границе раздела n-слой подложка и уменьшения влияния перераспределения примесных атомов из подложки в n-слой, имплантацию ионов кислорода проводят перед имплантацией ионов донорной примеси с энергией и дозой ионов кислорода, обеспечивающими...