Патенты с меткой «сенсора»
Способ получения люминесцентного сенсора кислорода
Номер патента: 1558953
Опубликовано: 23.04.1990
Авторы: Бардин, Гришаева, Захаров, Картавцева, Козлов
МПК: C09K 11/00, G01N 21/64
Метки: кислорода, люминесцентного, сенсора
...т.е. не выцветает. 25Однако на открытом воздухе, даже втемноте, ТПФ в кремнеземном сорбентевыцветает. Процесс ускоряется поддействием света, но процесс фотовыцветания ТПФ в люминесцентных сенсо- ЗОрах может быть сведен к минимуму ослаблением возбуждающего света, поэтому важно повышать темновую стабильность красителя,В табл,и 2 приведены оценкитемнового выцветания ТПФ в кремнеземе (Г - гидрофобный образец, а в индексеномер опыта по гидрофобизации), при этом степень выцветанияоценена через отношение 1 ц /1 с где 401- интенсивность флуоресценцииадсорбата, хранившегося после получения в темноте в закрытой емкости,1 с - интенсивность Флуоресценции того же адсорбата, состаренного или на 45открытом воздухе при комнатной...
Чувствительный элемент для волоконнооптического сенсора на ионы свинца (ii) и тория (iу)
Номер патента: 1535166
Опубликовано: 23.05.1992
Авторы: Жукова, Межиров, Мясоедова, Саввин, Трутнева, Швоева
МПК: G01N 27/416
Метки: волоконнооптического, ионы, иу, свинца, сенсора, тория, чувствительный, элемент
...до фиолетового. Наибольшие иэмецецття тт спскт. рах отражетця ттаблтодьттотсл ц области 550- 590 цм, отвечающей полосе поглощения комплекса в растворах СоставительТерех И. Вер Редактор И.1 убттца Корректор Н.Король Заказ 2440 Подлс ое Тираж ВНИИПИ Государственного коттета по иэобретецилм и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Рауш кал цаб., д. 4/5Проиэводствеццо-издательский контбттттат "1 атетт", г,ужгородул. Гагарина,101 тоцкодисцерсцым слпбоосттолцым ациоцообмецциком с иммобцлттэоцацттым ксиленовым Ораттжевьтм, устойчивый в сильно- кисл.тх, цсйтгральцых тт слаботяелочцых средах. Носитель по,ттучатот путем формровация Волокта ттз суслсттэттттсо держащей полиакрилцитрил тоцкодисперсцый ациоцит и ДМФЛ и храпят во влажцом...
Чувствительный элемент для волоконно-оптического сенсора на ионы урана (уi)
Номер патента: 1542233
Опубликовано: 23.05.1992
Авторы: Межиров, Мясоедова, Саввин, Трутнева, Швоева
МПК: G01N 27/416
Метки: волоконно-оптического, ионы, сенсора, уи-2, урана, чувствительный, элемент
...реа"гента на носителе, Максимальньп 1 отклик получен при содержании (1-2)хх 10 М реагента на 1 г носителя. О Детектирование ионов урана (ЧТ)-Вв диапазоне концентраций 5 10 - 2"х 10 МЧувстнительееый элемент со степенью наполнения 50% и содержаниемреагента 1 10 М на 1 г носителя по,мещают н проточную ячейку, закрепленееую у окойка колориметра, и прокачинают с помощью перистальтическогонасоса исследуемый раствор с рН 5,5- 20 6,5 со скоростью 10 мл/меен. Через10 мип измеряют отражение чувствительного элемента при 640 нм. Содержаниеурана (Ч) находят по градуироночному графику,25 Для регенерации чунстнительногоэлемента прокачивают 1 О мл 0,1 Мсоляной кисюты и 40 иге воды со скоростью 10 млмиее. е 11 овыщение стабильности ччвстнительйого...
Способ регенерации пьезоэлектрического резонаторного сенсора паров ртути
Номер патента: 1772690
Опубликовано: 30.10.1992
Авторы: Бобев, Захариева, Майоров, Михайлов, Могилевский, Славов, Холцшу, Янков
МПК: G01N 5/00
Метки: паров, пьезоэлектрического, регенерации, резонаторного, ртути, сенсора
...5 ЛЛ 177269 Ощий вид), используемый при реализациипредложенного способа регенерации; нафиг.2 - разрез А-А на фиг,1 сенсора.Сенсор содержит пьезоэлектрическуюкварцевую пластину 1, на часть поверхностей которой нанесены возбуждающиеэлектроды 2 и 3. На свободные от электродов 2 и 3 части поверхностей пластины 1нанесены пленочные нагреватели 4 и 5 подковообразной формы (по одному нагревателю с каждой стороны пластины 1).Электроды 2 и 3; а также нагреватели 4 и 5выполнены из золота, Нагреватели 4 и 5соединены последовательно йеремычкой 5,расположейной на ребре кварцевой пластины 1,Способ осуществляется следующим образом,После воздействия на,пьезоэлектрический резонатор сенсор анализируемой 20смесью паров ртути и воздуха, приводящейк сорбции...
Устройство для регистрации изменения потенциала мембраны химического сенсора на основе полевого транзистора
Номер патента: 1775658
Опубликовано: 15.11.1992
Авторы: Власов, Кручинин, Тарантов
МПК: G01N 27/414
Метки: изменения, мембраны, основе, полевого, потенциала, регистрации, сенсора, транзистора, химического
...значение добротности порядка 1 реализуется при емкостиэлектрода сравнения менее 1 нФ, включаятот случай,когда эта емкость не сосредоточена в специальном радиотехническом изделии конденсаторе), а представляет собой 10распределительнуа между окружающимипредметами паразитную емкость величинойв единицы пикофарад, Рассчитанная такимобразом величина добротности характеризует измерительную цепь известного устройства в целом. Следует, однако, учесть,что добротность цепи из нескольких элементов определяет тот из них, у которогоона минимальна. В известном устройстветаким элементам является емкость электрода сравнения 3, т.к, ее изменение оказываетопределяющее влияние на величину добротности всей цепи,В процессе использования...
Способ изготовления люминесцентного сенсора кислорода
Номер патента: 1778642
Опубликовано: 30.11.1992
Авторы: Гинак, Гришаева, Захаров
МПК: G01N 21/64
Метки: кислорода, люминесцентного, сенсора
...механически непрочные слои, разрушающиеся приостывании. Недопустимо также использование порошков с размером зерен менее 0,05мм, так как после спекания образуется плотный микропористый слой, который не под - светоизолирующий слой иэ стеклоуглерода; 5 - изолирующая газовая оболочка; 7 - стенки кюветы анализатора, В результате предлагаемой последовательности опера ций при изготовлении сенсора имеем: жесткое и плотное соединение сенсора 2 со сменной стенкой 1 кюветы 7 без клеев илииных связующих, применение которых резко уменьшает чувствительность сенсора;10 высокую чувствительность определениякислорода не только в газе, но и в водных средах, так как газовая оболочка 5. образующаяся вокруг гидрофобного сенсора 2 в водных средах, будет...
Способ изготовления чувствительного элемента полупроводникового газового сенсора
Номер патента: 1829751
Опубликовано: 27.08.1996
Авторы: Винке, Мокроусов, Палашов, Чистяков
МПК: H01L 21/02
Метки: газового, полупроводникового, сенсора, чувствительного, элемента
...пластину разделяют на чипы размеров 2 х 3 мм, монтируют в металлостеклянные Способ изготовления чувствительногоэлемента полупроводникового газового сенкорпуса 5 и методом ультразвуковой сварки подсоединяют внешние выводы 6 из алюминиевой проволоки диаметром 40 мкм,Апробацию чувствительных элементов к адсорбции паров воды осуществляют на вакуумной установке, в измерительную ячейку которой вмонтируют образец. После откачки системы до давления остаточных-4газов до 10 Торр осуществляют напуск паров воды до давления 1 Торр и измерение относительного изменения сопротивления. Относительное изменение сопротивления на постоянном токе при 20 С составляет 210 У 0.Оценку чувствительности элемента к парам аммиака осуществляют на гостированном...