Патенты с меткой «полупроводниковыми»

Номер патента: 146860

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Белый, Фертик

МПК: H01F 29/14, H02M 1/02, H02M 7/04 ...

Метки: агрегатов, вентилями, питания, полупроводниковыми, преобразовательных, ртутными

...на олин магнитопровод, вторичная охватывает оба магнитопровода, а управляющая наложена на второй магнитопровод.Использование такого дросселя-трансформатора в преобразовательном агрегате позволяет уменьшить вес и габариты последнего.На чертеже показана одна фаза выпрямительной установки с исгользованием дроссель-трансформатора для целей регулирования напряжения.Как видно из чертежа, дроссель-трансформатор состоит из сердечпика трансформатора, охваченного первичной обмоткон г н нз сердечника насьпцакнцсго дросселя, введенного во вторичную обмотку трансформатора то,. Очевидно, что прн изменении с помощью управляющей обмотки юз магнитного состояния сердечника насыщадошего дросселя напряжение на выходе выпрямительного агрегата...

Номер патента: 243186

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Василенок, Государственный, Давыдов, Кренцель, Сажин, Экспериментальный

МПК: C08F 126/06, C08F 8/20

Метки: комплексов, полимернб1х, полупроводниковыми, свойствами

...приборов, а также в качестве ката лизаторов химичеоких реакций.П р и м ер 1, Мелкодисперсный порошок поливинилпирролидона белого цвета помещают в атмосферу паров возгонки йода при температуре 120 в 1 С на 23 часа, после чего избыток йода удаляют вакуумированием при 50 С. Получают полимерный материал коричневого цвета,П р и м е р 2. Мелкодисперсный порошок;поливинилпирролидона помещают в атмосферу паров возгонки йода при температуре 120 - 130 С на 70 час, после чего избыток йода удаляют вакуумированием при 50 С. Получают полимерный материал черного цвета.Пр им.ер 3. Мелкодисперсный порошокполивинилпиридина желтого цвета, помещают в атмосферу паров возгонки йода при температуре 120 - 130 С на 19 час, после чето избыток йода удаляют...

Номер патента: 408420

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вител, Михайлов

МПК: H02H 9/04

Метки: вентилями, коммутационным, полупроводниковыми, разрядником

...включенных тиристоров и приводящий к отпиранию вентилей и подключению к защищаемой цепи 1 рабочего сопротивления разрядника 3, которое может быть как активным с линейной или нелинейной зависимостью тока от напряжения, такиндуктивным или комбинированным.При наличии в схеме сумматора 7 сигнал от делителя напряжения 4, пропорциональный напряжению в защищаемой цепи 1, подается на один из входов сумматора 7 и на фильтр 5, настроенный на ожидаемую частоту свободной составляющей. Сигнал с фильтра подается на другой вход сумматора 7. При превышении выделенного после сумматора сигнала, пропорционального сумме перенапряжения и его свободной составляющей, над заданной величиной измерительный блок 6 подает сигнал на коммутирующий вентильный...

Номер патента: 478395

Опубликовано: 25.07.1975

Авторы: Акимов, Николаев, Пешель, Разгуляев

МПК: H02K 9/06

Метки: встроенными, полупроводниковыми, электрическая, элементами

...тепловой режим,В предложенной машине полупроводниковые элементы размещены в спиральныхотсеках,07.75 Бюллетень27 (53) УДК 621.313-71(088. 8)ия опксания 15.12,75 На фиг, 1 изображена предложенная машина, продольный разрез; на фиг. 2 - то же, поперечный разрез.Корпус 1 вентилятора закреплен на корпусе электромашины 2. Рабочее колесо 3 вентилятора;размешено на валу 4 ротора электромашины. В спиральных отсеках 5 корпуса вентилятора размешены полупроводниковые элементы 6, смонтированные на криволинейной поверхности спиральных отсеков, являюшихся пылевыми отсеками вентилятора-пылеотделителя. При врашении ротора электромашины врашается и рабочее колесо 3 вентилятора, воздух засасывается в электромашину че отверстие 7, с наибольшей скоростью...

Номер патента: 600689

Опубликовано: 30.03.1978

Авторы: Вагин, Стрелков

МПК: H02P 13/16

Метки: полупроводниковыми, преобразователя, приборами, статического

...транзисторов.Устройство раоотает следующим образом.В полупериод, когда плюс напряженияприложен к средней точке трансформатора 1,а минус к общей точке соединения элементов плеч моста, происходит заряд конденсатора б (см. фиг. 2, а, б, в) по цепи: средняя точкатрансформатора 1, диод 8, эмиттер-базовыйпереход транзистора 4, конденсатор б, диод 9,общая точка элементоь, включенных в плечимоста.Напряжение на конденсаторе б возрастаетпо синусоидальному закону до амплитудногозначения пнтающе 10 напряжения (см. фиг.2, в). Вентили 8, 9 не дают возможности разряжаться накопительному конденсатору 3 припоследующем уменьшении питающего напряжения в промежуток времени от 90 до 180 эл.град. Некоторое уменьшение напряжения нанем связано с...

Номер патента: 750586

Опубликовано: 23.07.1980

Авторы: Виноградов, Слуцкий

МПК: H03H 7/18

Метки: полупроводниковыми, фазовращателями

...смещения пары фп-дйодов 9 и 10 одного разряда фазоврашателя. Количество управляющих входов управления равно произведению количествафазовращателей на разрядность одногофаэоврашателя. Устройство работает следующим образом.На базу транзистора переключения источника прямого смещения 1 и транзистора 3 инвертируюшего усилителя от регистра памяти разового распределения антенной решетки (на чертеже не показан) поступают сигналы управления Р 1 И -диодами 9 и 10 в виде "высокого" и "низкого" уровней напряжения, "Низкому уровню напряжения соответствует режим прямого смешения Рщ- диодов 9 и 10 (диоды 9 и 10 открыты и через них течет ток от источника прямого смешения + Е). "Высокому уровню напряжения на входе соответствует режим обратного смешения...

Номер патента: 752746

Опубликовано: 30.07.1980

Авторы: Денисов, Сигарев

МПК: H02P 13/16

Метки: полупроводниковыми, преобразователями, универсальное

...ъс, ), О (фиг.2)изображены функции Уолша со своимизнаками, на диаграмме й - аппроксимированный сигнал, получаемый на выходе суммирующего устройства 4, надиаграмме д - сигнал на выходе пшротно-импульсного преобразователя 5. Сигналы на других фазах получаются аналогично. Для обеспечения реверса двигателя генератор функций Уолша выполняется реверсивным. Данное устройствообеспечивает деление шага в дробноечисло раз. При формировании разнополярных импульсов напряжения на фазах шагового двигателя интервалы .переключенияплеч моста усилителя 7 мощности определяются генератором 2 функции Уолшасовместно с комбинационным логическимблоком 6,Устройство является универсальным,так как его можно использовать и дляуправления автономными...

Номер патента: 857158

Опубликовано: 23.08.1981

Авторы: Апраксина, Гайдялис, Костенко, Перельман, Попов, Потоцкий, Радченко, Сидаравичюс, Ундзенас

МПК: C08G 65/22

Метки: бромированные, негорючими, обладающие, полиэпоксипропилкарбазолы, полупроводниковыми, свойствами

...647(ср), 800 (с), 840 (ср),865 (сл), 1020 (ср) 1060(ср), 11201150 (сл), 1225 (сл), 1290 (с) г 1320 (сл) г1350 (сл), 1440 (с), 1475 (с).й -Эпоксипропил-Згб-дибромкарбазол 560 (ср), 647 .(ср), 735 (сл), 757 (сл),800 (с), 835 (ср), 870 (ср), 910 (ср),975 (сл), 1020 (ср), 1060 (ср),1125(сл), 1150(сл), 1225(с), 1250(сл),1290 (с), 1320 (сл), 1360 (сл), 1420 (сл),1440 (ср), 1475 (с).Полиэпоксипропил, 3,6 -грибромкарбазод; 515(сл), 563 (сл), 635 (сл)г720(сл), 750(сл), 775(с), 800(с),855 (с), 1040 (с), 1055-1065 (ср),1 100 (сл), 1 145 (сл), 1 200 (с),1220 (сл), 1285 (с), 1385 (сл),1440 (с), 1475 (с), 1550 (с)Эпоксипропил, 3,6-грибромкарбазол: 515(ел)г 563 (сл)г 635 (сл),657 (сл), 720 (сл), 750 (ср), 775 (с),800 (с), 865 (с), 910 (с),...

Номер патента: 858203

Опубликовано: 23.08.1981

Авторы: Вагин, Стрелков

МПК: H02P 13/16

Метки: полупроводниковыми, преобразователя, приборами, статического

...происходит заряд конденсатора 7 по цепи средняя точкавторичной обмотки трансфОрматора 1 - 40диод 10 - конденсатор 7 - диод 11общая точка элементов, включенных вплечи моста.Напряжение на конденсаторе 7 возрастает по синусоидальному закону до 45амплитудного значения питающего напряжения, диоды 10 и 11 не дают возможности разряжаться конденсатору 7при последующем уменьшении питающегонапряжения в промежуток времени от 5090 до 180 эл.град. Поскольку диод 11включен встречно-параллельно эмиттербазовому переходу транзистора 4, последний надежно заперт и разряд конденсатора 7 через переход эмиттерколлектор транзистора 4 не происходит.В момент времени, соответствующий180 эл.град., когда на средней точкетрансформатора 1 приложенное напряжение...

Номер патента: 884053

Опубликовано: 23.11.1981

Авторы: Гончаров, Греул, Ересько, Заика, Мустафа, Сакара

МПК: H02M 1/08

Метки: ключами, полупроводниковыми

...силового транзистора 12,Устройство работает следующим образом.Двуолярный переменный ток (фиг, 2 а) источника питания 1 протекает в первичной обмотке 3 трансформатора 2 и трансформируется во вторичные полуобмотки 4 и 4 и дополнительную 5 (фиг, ),При замкнутом транзисторном ключе 6 ток обмотки 5 трансформатора 2, выпрямляясь диодным мостом 7, протекает по обмотке 9 дросселя 8. В переходных режимах в обмотке 9 дросселя 8 возникает падение напряжения с полярностью, указанной на схеме (фиг, 1), которое, трансформируясь в обмотку 10 дросселя 8 (полярность указана на фиг. 1), приводит к тому, что оба диода 11 и 11 заперты и ток в базе сило- вого транзистора 12 протекать не будет. Не будет протекать ток в базе силового транзистора 12 и в...

Номер патента: 909771

Опубликовано: 28.02.1982

Авторы: Гельман, Гиенко

МПК: H02M 1/08

Метки: варианты, вентилями(его, полупроводниковыми

...сигнал от датчика 12 напряжения обеспечивает защиту .группы транзисторов 3-5 от каких-либо нарушений,например, при прекращении подачи открывающего импульса от блока 13 управления на вход управляемого ключа12.При попадании управляющих импульсов с группы транзисторов 16-18 ключи этой группы запираются, На тран:зисторах 16-18 и импульсных трансформаторах 19-21 возникает перенапряжение, которое через датчик 27 напряжения и релейный элемент 26 вызываетвключение управляемого ключа 25.Далее схема работает аналогично описанной. При этом ток стабилизатора2 тока не прерывается и нормальнаяработа группы транзисторов 3-5 обеспечивается.На фиг. 2 представлено устройство, второй вариант.Устройство содержит источник 1постоянного напряжения,...

Номер патента: 919025

Опубликовано: 07.04.1982

Автор: Гельман

МПК: H02M 1/08

Метки: ключами, полупроводниковыми, силовыми

...подключен к выходу промежуточного ключа,На чертеже приведена принципиальная электрическая схема устройства.Устройство содержит стабилизатортока, связанный через выходные ключи 2 и 3. с управляющими входами сиформула изобретения ВНИИПИ Заказ 2157/36 Тираж 719 Подписное филиал ППП "Патент" г. Ужгород, ул. Проектная,3 919025 ловых полупроводниковых ключей ч и 5. Выход стабилизатора 1 тока зашунтирован дополнительным управляемым ключом 6. Второй стабилизированный источник 7 тока соединен через промежуточные ключи 8 и 9 с управляющими входами выходных ключей 2 и 3, а че" рез промежуточный ключ 1 О - с управляющим электродом дополнительного управляемого ключа 6. На управляющие 16 входы промежуточных ключей 8-10 подаются сигналы...

Номер патента: 928560

Опубликовано: 15.05.1982

Авторы: Гарифов, Гельман, Гиенко, Лохов, Синепольский, Флейшман

МПК: H02M 1/08

Метки: ключами, полупроводниковыми

...2 тока, датчик 6 напряжения, соединенный через релейный элемент 7 с входом управляемого ключа 5. Между стабилизатором тока и импульсными трансформаторами вклюцена группа ключевых модуляторов 8 тока управление которыми осуществляется от предварительных каскадов блока 9 управления, а вторичная обмотка 10 каждого импульсного трансформатора связана с управляющими переходами через выпрямители 11, содержащие стабилитроны 12, Между управляемым клюцом 5 и датчиком 6 напряжения включен диод 13, а датчик 6 напряжения зашунтирован цепочкой из последовательно соединенных конденсатора 14 ирезистора 15.На фиг. 2 показан вариант подключения вторичной обмотки импульсного трансформатора к управляющему переходу полупроводникового ключа через мостовой...

Номер патента: 955420

Опубликовано: 30.08.1982

Авторы: Гельман, Гиенко

МПК: H02M 1/08

Метки: ключами, полупроводниковыми

...трансформаторснабжен дополнительной обмоткой 16, 0которая через дополнительньй диод 17подключена параллельно датчику напряжения.Устройство для управления силовымиключами работает следующим образом. 15Предварительные каскады блока 12управления поочередно включают транзисторы 3-5, работающие в ключевомрежиме. Стабилизированный ток, поступающий от импульсного стабилизатора 202 тока, поочередно подается черезуказанные транзисторы и импульсныетрансформаторы 6-8 на управляющиепереходы полупроводниковых ключей 9-.11.25При отключении, например транзистора 3, сразу без паузы происходитвключение транзистора 4, при этомцепь для протекания тока стабилизатора 2 тока не разрывается, одновременно ток намагничивания импульсноготрансформатора 6 через...

Номер патента: 989702

Опубликовано: 15.01.1983

Автор: Стрелков

МПК: H02M 1/08

Метки: полупроводниковыми, преобразователя, приборами, статического

...11 - общая точка элементов, включенных в плечифазосдвигающего моста (фиг,2).Напряжение на конденсаторе 7 возрастает по синусоидальному закону доамплитудйого зна,чения напряжения надиагонали Фазосдвигающего моста 02 ф(фиг,38), диоды 10, 11 не дают возможности разряжаться конденсатору 7 при последующем уменьшении напряжения на диагонали Фазосдвигающего моста в промежуток времени 90-180 эл.град.В момент времени, соответствующий 180 эл.град., когда на средней точке трансформатора 1 приложенное напряжение меняет знак с "плюса" на "минус"1 а на общей точке элементов фазосдвигающего моста - с "минуса" на "плюс" появляется ток заряда конденсатора 6, который протекает по цепи общая точка элементов, включенных в плечи фазосдвигающего моста -...

Номер патента: 997225

Опубликовано: 15.02.1983

Автор: Стрелков

МПК: H02P 13/16

Метки: полупроводниковыми, преобразователя, приборами, статического

...устройства,Целью изобретения является расширение области применения устройства.Для достижения поставленной цели.устройство дополнительно снабжено двумя диодами, причем эмиттеры транзисторов ключевых схем соединены черездва резистора, к общей точке резисторов подключены аноды дополнительныхдиодов, а катод каждого дополнительного дйода подключен к базе транзистора одной из ключевых схем. аНа чертеже приведена электрическая схема устройства,Схема содержит фазосдвигающиймост, который состоит из входноготрансформатора 1 с выведенной средней тоЧкой вторичной обмотки и элемен-тов плечф переменного резистора 2 иконденсатора 3, две ключевые схемы,состояцие из транзистора 4(5) с на 997225,ного напряжения на диагонали...

Номер патента: 1035721

Опубликовано: 15.08.1983

Авторы: Иванов, Манякин

МПК: H02H 7/20

Метки: автономными, блоками, защиты, информационной, источниками, между, питания, полупроводниковыми, цепи

...цепи, что говорит о недостаточных надежности и функциональных возможностях известного устройст-.,ва.Целью изобретения является снижение перегрузок защищаемой цепи.Поставленная цель достигаетсятем, что устройство для защиты инФормационной цепи между полупроводни",ковыми блоками, содержащее диод,включенный между, входом и шиной пи. тания блока, дополнительно снабженотранзистором, эмиттерно-коллекторныйпереход которого включен в защищаемую цепь, а база через дополнительный резистор соединена с упомянутойшиной питания. 60Кроме того, устройство мбжет бытьснабжено вторым транэнстором, базакоторого соединена с базой, коллектор - с эмиттером, а эмиттер - сколлектором первого,На фиг. 1 представлена схема предлагаемого устройства; на...

Номер патента: 1092676

Опубликовано: 15.05.1984

Авторы: Иванов, Короткин, Уржумсков, Юнусов

МПК: H02M 1/00

Метки: вентилями, включенными, двумя, между, параллельные, полупроводниковыми, распределения, цепи

...тем, что в устройстве распределения тока между двумя полупроводниковыми вентилями, включенными в параллельные цепи, содержащем двухобмоточный магнитосвязанный реактор, каждая из обмоток которого включена последовательно с соответствующим вентилем, и два входных выводы, причем свободные одноименные выводы силовых электродов вентилей объединены, образуя первый входной вывод, реактор снабжен дополнительной обмоткой, в устройство дополнительно введены интегратор, пороговый элемент, блок выдачи сигнала нарушения распределения токов, блок защиты и блок индикации, причем концы дополнительнойобмотки реактора соединены с входоминтегратора, выход которого черезпороговый элемент соединен с одним из входов блока выдачи сигнала нарушения...

Номер патента: 1086832

Опубликовано: 15.04.1985

Авторы: Василевская, Зименко, Ситенко, Степанова, Чернухин

МПК: C25D 11/32

Метки: анодирования, полупроводниковыми, расплав, свойствами

...в нитратном расплаве. Длительность электролиза определяется необходимостью получения окислов определенной толщины. В качестве катода используется платина, Скорость роста. окисла по предлагаемому способу составляет 25- 50 А/В,При анодировании арсенида галлия по изобретению качество окислов обеспечивается следующим.Расплавленные нитраты являютсяхорошо проводящими электролитами с хорошей рассеивающей способностью,что увеличивает равномерность покрытия и значительно уменьшает омичес-, кие потери на ванне. Проведение процесса при .235+5 С способствует увели чению концентрации неосновных носителей вследствие увеличения скорости их термической генерации, поэтому анодирование процесса одинаково на арсениде галлия и-и р-типа .н не требует...

Номер патента: 1171919

Опубликовано: 07.08.1985

Авторы: Стрелков, Стрелкова

МПК: H02M 1/08

Метки: полупроводниковыми, преобразователя, приборами, статического

...разряжаться конденсатору 7 при последующем уменьшении напряжения на диагонали фазосдвигаюшего моста в промежуток времени от 90 до 180 эл. град. 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 2В момент времени, соответствующий 180 эл. град., когда на общей точке элементов фазосдвигающего моста приложенное напряжение меняет знак с плюса на минус, а на средней точке вторичной обмотки трансформатора 1 - с минуса на плюс, появляется ток заряда конденсатора 6 (фиг. 3 а, в), который протекает по цепи: средняя точка вторичной обмотки трансформатора 1, диод 8, конденсатор 6, эмиттер-базовый переход транзистора 4, диод 9, общая точка элементов фазосдвигаюшего моста, Транзистор 4 открывается и конденсатор 7 разряжается по цепи: положительная обкладка...

Номер патента: 1201974

Опубликовано: 30.12.1985

Автор: Стрелков

МПК: H02M 1/08

Метки: полупроводниковыми, преобразователя, приборами, статического

...Один вывод переменного активного сопротивления 3 подключен кположительным клеммам обеих схемвыпрямления 8 и 9, а другой - к ихотрицательным клеммам.Предлагаемое устройство работаетследующим образом,При величине переменного сопро 15 тивления 3 равной нулю работу схемыпредлагаемого устройства отображаетвекторная диаграмма, изображеннаяна фиг,2 рТок вторичной обмотки трансфор 20 матора 1 (1 ) практически равен нутрлю, так как абсолютные величины реактивных сопротивлений 2 и 7 разногорода равны. Угол сдвиганапряжения на диагонали ФСМ ( О) относи"25 тельно напряжения на вторичной обмотке трансформатора 1 ( Отр) равеннулю, ФИ формирует импульсы синхронно с напряжением на диагонали ФСМ( Оч,), следовательно, сдвиг по фазе30 управляющих...

Номер патента: 1372461

Опубликовано: 07.02.1988

Авторы: Исаков, Путько, Стерляхина

МПК: H02H 9/04

Метки: вентилями, коммутационный, полупроводниковыми, разрядник, управляемый

...между защищаемойцепью 2 и землей, преобразовательныйблок 3, включенный между делителем 1напряжения и коммутационным разрядником 4 с полупроводниковыми вентилями, состоящий из емкости 5 и диодного моста 6, одна диагональ которогослужит выходом преобразовательногоблока 3 и подсоединена к цепи управления коммутирующего элемента 7 коммутационного разрядника 4 с полупроводниковыми вентилями, а другая диагональ включена между землей и делителем 1 напряжения последовательнос емкостью 5, которая служит входомпреобразовательного блока 3, коммутационный разрядник 4 с полупроводниковыми вентилями содержит также сопротивление 8,Во время работы электродуговой установки в защищаемой цепи 2 наблюдаются колебания рабочего напряжения,Сигнал с делителя...

Номер патента: 1473032

Опубликовано: 15.04.1989

Авторы: Ворошилов, Мачинский

МПК: H02M 1/08

Метки: полупроводниковыми, преобразователя, приборами, статического

...7 возрастает по синусоидальному закону до амплитудного значения напряжения на диагонали фазосдвигающего моста (фиг.2 с), диоды 1 О и 11 не дают возможности разряжаться конденсатору 7 при последующем уменьшении напряжения на диагонали фазосдвигающего моста в промежуток времени 90- 180 эл.град.В момент времени, когда на средней точке трансформатора 1 приложенное напряжение меняет знак с плюса наминус, а на общей точке элементов фазосдвигающего моста - с минуса на плюс, появляется ток заряда конденсатора 6 (фиг.2 е), который протекает по цепи: общая точка элементов Фазосдвигающего моста, переход управляющий электрод - катод тиристора 4, диод 9, конденсатор 6, диод 8, средняя точка вторичной обмотки трансформатора 1. После...

Номер патента: 1494165

Опубликовано: 15.07.1989

Автор: Фомин

МПК: H02M 1/08

Метки: вентилями, полупроводниковыми, фазорегулирующее

...11 роджит:1 ьность это 1 о питерца.га опрделяетсяодцоц староцы, ссэмцтол отпирания трацзисторл 9 и с, другоц стороны, моментом окончания тоц (рабочей) полуволцы перемениго цдпряжеция обмотки 3, которая янляс тая атпцрдющей для диода О, Регу црс.цдци. ицтернаЛа СУЦЕСтГПСЯтац .э а СЧС: МЕЩЦИЯца ВРЕМЕНИ МсзМЕВдТС;цр;цця трдцэцет 1 а 9 , 11 р с е: сэ; с .с - . : . с . с стВетстнующе111 с:х 1 П 1 1. рссупцдгсряжецця ц, сциттерОл ирс ходтрлцзисторд )Если тра цзцстор 5 запрт, то напряжение ца элпттерцомр.хде трлнзцстора 9 имеет:сдр,Ктр, с лизкпй ксицусоигсдльцолу, ц ос;ределяется рлз,Г ЦаСтЬЮ Л 1 ЕжДУ 1 С Л ЦЦ:Л 1 Ц;ПРгжЕСИЯ-,ми цд саотеэетстсзуюцей части абмогки2 ц коцде:с.атор 6, 11 ри:этом бсссгс- д ря каслецслтру г и резистсру 7рлзц .Тцое...

Номер патента: 1668887

Опубликовано: 07.08.1991

Авторы: Добров, Кубышкин, Лабковский, Ткаченко

МПК: G01M 3/40

Метки: герметичности, полупроводниковыми, приборами, собранных, термосифонов

...поверхности испа осится к испытанию на сифонов или тепловых ,полупроводниковыми изобретения является огических возможнония контроля термосиконфигурацией и ителя. Создают теплооносителя термосифоя импульсов тока через прибор, а о негермеменению температуры рителя, 1 ил. Создают тепловое возмущение теплоносителя термосифона 3, для чего пропускают импульсы тока через полупроводниковый прибор 6. Импульсы тока создают с помощью блока 11 задания, который задает величину требуемого тока (система импульсно-фазового управления). Затем измеряют температуру испарителя 2 термопарой 1. Для каждой определенной конструкции термосифона 3 эта температура должна находиться в определенных пределах в зависимости от количества импульсов и силы тока. Это...

Номер патента: 1739464

Опубликовано: 07.06.1992

Автор: Сталидзан

МПК: H02M 7/539

Метки: двигателя, двухобмоточного, инвертора, ключами, переменного, полупроводниковыми

...через соответствующие согласующие усилители с управляющими цепями ключей инвертора.Недостаток известного устройства состоит в сложности его выполнения;Целью изобретения является упрощение устройства.На чертеже приведена схема устройства,Устройство для управления клю вертора содержит последовзтельн ненные задающий генерато(54) УСТРОЙ ЛУПРОВОД ВЕРТОРА ДВИГАТЕЛЯ (57) Исполь инверторов, тания двухо переменног за счет вып пульсов в ви сдвига и дв выходы кото шесть выход достигается ния инверто 1739464 А 1и выходами логических элементов ИЛИ 17и 18.Устройство работает следующим образом,При включенном выключателе 19 на выходе триггера 9 устанавливается сигнал "1",а на выходах остальных триггеров - сигнал"0", При этом триггеры не реагируют...

Номер патента: 1304673

Опубликовано: 20.08.1996

Авторы: Дмитриев, Зайцев, Нечаев, Чернявский, Швецов

МПК: H01L 21/477

Метки: класса, пластин, полупроводниковыми, структурами, термообработки

1. Способ термообработки пластин с полупроводниковыми структурами класса A3B5, включающий размещение пластин и источника компоненты B5 в контейнере, герметизацию контейнера, нагрев контейнера в потоке неокисляющего газа до температуры термообработки и выдержку при этой температуре, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров полупроводниковых структур, их воспроизводимости и технологичности обработки, герметизацию контейнера осуществляют в процессе нагрева при 450 - 550°С.2. Устройство для термообработки пластин с полупроводниковыми структурами класса A3B3, включающее контейнер и герметизирующую крышку, отличающееся тем, что в торцевой части стенок...