Ханстин
Тиристор
Номер патента: 1026610
Опубликовано: 10.08.1996
Авторы: Думаневич, Зумберов, Иоспа, Кузьмин, Ханстин, Юрченко
МПК: H01L 29/74
Метки: тиристор
Тиристор, выполненный на основе n-р-n-р- структуры с шунтами р-типа в n-эмиттере и с концентрацией акцепторной примеси в р-базе под n-эмиттером по всей площади на расстоянии 3 8 мкм, не превышающей 5 1015 см-3, отличающийся тем, что, с целью повышения динамических и частотных параметров, повышения напряжения и предельного тока при сохранении малых значений прямых падений напряжений, в области шунтов на том же расстоянии под n-эмиттером выполняются дополнительные участки с концентрацией акцепторной примеси, составляющей не менее 5 1016 см-3.