Инкерманлы

Номер патента: 1679922

Опубликовано: 27.07.1996

Авторы: Асессоров, Булгаков, Инкерманлы, Кочетков, Петров

МПК: H01L 29/72

Метки: вчи, мощный, свч-транзистор

Мощный ВЧ- и СВЧ-транзистор, содержащий диэлектрическое основание с расположенными на нем металлическими выводами, полупроводниковый кристалл со сформированными на нем транзисторными ячейками, напаянный нижним основанием на коллекторную площадку, соединенную одним из своих краев с металлическими выводом, причем между каждой транзисторной ячейкой и соответствующей ей эмиттерной металлизацией расположен балластный резистор, сужающийся от центра транзисторного кристалла к периферии, отличающийся тем, что, с целью увеличения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и КПД за счет повышения равномерности распределения тепла, выделяемого при протекании тока через транзистор, каждая транзисторная ячейка имеет трапециевидную форму,...

Номер патента: 1125560

Опубликовано: 23.11.1984

Авторы: Воробьев, Инкерманлы, Косой, Петров

МПК: G01R 31/26

Метки: диапазонов, параметров, свч, транзисторов

...температуры, выход генератора импульсов соединен с управляющими входами возбуждающего генератора и первого, второго и третьего управляемых ключей, один из выводов блока питания через индикатор тока соединен с вторым дросселем и измерителем напряжения, а другой вывод через третий управляемый ключ - с общей шиной.При этом оконечный измеритель мощности подсоединен к разъему для подключения испытуемого транзистора через введенный направленный ответвитель, к выходу основного плеча которого подключена введенная рассогласованная нагрузка.На чертеже приведена структурная электрическая схема устройства для измерения параметров транзисторов ВЧ- и СВЧ -диапазонов.Устройство для измерения параметров транзисторов ВЧ-и-СВЧ-диапазонов содержит...