H01L 29/772 — полевые транзисторы

Пленочный полевой триод

Загрузка...

Номер патента: 243738

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Бубнов, Лурье, Токарев, Филаретов

МПК: H01L 29/772

Метки: пленочный, полевой, триод

...структур снижается релаксация плено триода, Стабильность получ триодов по сравнению с изв тельно возрастает. Относител ность полученных пленочных п составляет 0,02 - 0,2. ник элект мет изобретени Пленочный полевой триод со структурой ме талл-диэлектрик-полупроводник, напримералюминий-окись кремния-сульфид кадмия, отличающийся тем, что, с целью стабилизации его параметров, между полупроводником и диэлектриком расположен подслой обедненной 20 кислородом моноокиси германия. 1Изобретение относится к области электронной техники и может быть применено в вычислительных устройствах.Известны тонкопленочные полевые триоды, у которых параметры нестабильны, что объясняется адсорбцией воды и кислорода на поверхности полупроводника из атмосферы...

Мдп-транзистор

Номер патента: 1774795

Опубликовано: 10.02.1996

Авторы: Бородин, Кондратьев

МПК: H01L 29/772

Метки: мдп-транзистор

МДП-ТРАНЗИСТОР, содержащий подложку первого типа проводимости, области истока и стока второго типа проводимости, причем область стока выполнена составной в виде n+ - n-перехода и затвор, отличающийся тем, что, с целью расширения области рабочих температур транзистора до гелиевых, в области пространственного заряда стока создан градиент a примеси в направлении от истока к стоку, величина которого удовлетворяет условию a < 0,4 мкм-1 ng, где Ng - концентрация примеси в n(p) области стока.

Мдп-транзистор

Загрузка...

Номер патента: 1809707

Опубликовано: 10.08.1996

Авторы: Довнар, Красницкий, Смаль

МПК: H01L 29/772

Метки: мдп-транзистор

...областей,Расстояние в плане между областью с меньшей концентрацией и областью с большей концентрацией составило 0,8 мкм, При расстоянии между областями с меньшей и большей концентрациями, равном 0,8 мкм оценку эффективности предлагаемой конст. рукции провели при условии, что диффузионный профиль дополнительного слоя совпадает с границей профиля областью большей концентрации, лежит посередине между профилями областей и на расстоянии 0 1 мкм.Оценку эффективности предлагаемой конструкции провели посредством замера параметра надежности (тока подложки), параметра быстродействия (задержка на каскад) и параметра короткоканальности (коэффициент короткого канала), Ток подложки 1 замерялся при напряжениях на стоке, затворе и подложке 5 в, 2 в,...

Полевой транзистор

Номер патента: 1031379

Опубликовано: 27.08.1996

Авторы: Дмитриев, Дубровская, Нечаев, Павлов, Смолкин, Филатов

МПК: H01L 29/772

Метки: полевой, транзистор

Полевой транзистор со встроенным каналом, содержащий электрод затвора и расположенные вдоль него контактные площадки, соединенные с электродом затвора посредством соединительной металлизации, причем контактные площадки и участки соединительной металлизации до канала расположены на высокорезистивном слое, отличающийся тем, что, с целью улучшения шумовых характеристик, под соединительной металлизацией в канале выполнен высокорезистивный слой, ширина которого удовлетворяет следующему неравенству:где D ширина соединительной металлизации в области канала;Wк ширина канала;n количество контактных площадок.