327884
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Союз Советских Социалистичеона Рестубеик(51) М. Кл,Н 05 з 55/1 б Н 01 6 19/00 с присоелинением заявки Государственный наннтет Совета Инмфстрва СССР ао делан неебретеннй н аткрытнй(32) ГриоритетОпуоликовано 25,10,74 Ьоллетен,59 Дата опуоликования описания 051174(54) МНОГОЭЛЕМЕНТНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙИНДИКАТОР 11 ЫЙ ПРИБОР 1Изобретение относится к полу-пров одн иковым приб орам, излучающи свет в видимой области спектра и предназначенным для использования в качестве индикаторных устройств,которые могут применяться в вычислительной,счетно=решающей и измерительной технике как для визуальной индикации,так и для записи на фотопленку.1 звестны многоэлементные приборы для знаковой индикации, состоящие из раздельных дискретных р- н - переходов, размещенных на общей базовой пластине полупроводникового материала с общим оиическим контактом к базе.Однако известные приборы отличаоеся тем,что свечение осуществляетсн по контуру контакта, а не по площади всего перехода,что услоаыет визуальное считывание; существенно усложнена технология изготснлени структуры, связанная как с нооаодимостью получать полно 21 стью электрически развязанныв дискретные р-Ь - переходы, так и ссамой геометрией единичйой матрицы ет Цель изобретения - обеспечениесвечения по всей площади единичного перехода с одновременным упрощением технологии.Для этого дискретные омичвские т 1 контакты расположены на общем легированном слов и отделены друг отдруга таким образомечто сопротивление легированного слоя между ними вдоль р- - перехода превышает 5 по крайней мерв в 10 раз сопротивление этого слоя по нормали к переходу.На чертеже изображен многоэлементный индикатор на карбиде кремния еВ пластине 1 карбида кремния,легированной азотом, формируют дввобласти: высокоомную р-область 2толщиной,напримвре Ое 2-Ов 5 мкм и 25 1 слаболегйрованную компенсированнуюсоставитель ЯЛОпешкин Редакгор 1 ЛарИНа ехред Н.СЕг 1 ИНЭ Корректор И Л 6 НИйа11 одиигиое зааз Дг/ над 11 з г о 1 Тираж 1) 1111111111 Государствеииого комитета Совета Мииисгров СССР ио делам изобретений и открытий Москва, 113035, Раушская иаб., 4 Предприятие Патеит, Москва, Г.59, 1 ережковская иаб., 24 область 5 толщиной не более 0,5- 1,2 мкм. Со стороны р-области вышлифовывают ступеньку Ф на глубину порядка 10-15 мкм, затем одновременно напылением через маску (или фотолитографией) получают ряд дискретных омических контактов 5 к р-области и общий контакт 6 к кобласти, а затеи по известной технологии присоединяют вывода.В данной структуре при создании поверхностного р-слоя, например, диффузией бора сопротивление этого слоя вдоль р- и - перехода в 100 раз больше сопротивления по нормали к переходу.11 редлагаеыый прибор работает при подаче прямого смещения на общий вывод и на нужную комбинацию элементов со стороны общего тонкого легированного слоя, При этом наблюдается свечение заданной комбинации знаков благодаря тому, что свечение имеет место только под дискретным омическим контактом,а отношение сопротивлений вдаь и нормально к р-л- пврвходу обеспечивает отсутствие краевых засввток из-за растекания тока и соответственно резкий кон 5 тур рисунка. ПРЕДМЕТ ИЗОБРЕТЕН ИЯМногоэлементный полупроводниковый индикаторный прибор, состоя щий из кристалла полупроводникового материала, имеющего р-о - переход, общий омический контакт к области одного типа проводимости иряд дискретных омических контак тов к области другого типа проводимости, о т л и ч а ю и( и й с ятем, что, с целью обеспечениясвечения по всей площади дискретного единичного р-д - перехода, ф дискретныв омическив контакты расположены на общем легированномслое и отделены друг от друга таким образом, что сопрстивление легированного слоя между ниии вдоль 2 ь р-и - перехода превышает,по крайней мере, в 10 раз сопротивлениеэтого слоя по нопмали.
СмотретьЗаявка
1320934, 10.04.1969
БАБЕНКО В. А, БОЕВА Г. Г, ВИОЛИН Э. Е, ВОДАКОВ Ю. А, ИВАНОВА Э. Г, КМИТА Т. Г, КРУГЛОВ И. И, ЛОМАКИНА Г. А, НОВИКОВ В. П, ПАВЛИЧЕНКО В. И, РЫЖИКОВ И. В, ХОЛУЯНОВ Г. Ф
МПК / Метки
МПК: H01L 27/00, H01L 33/00
Метки: 327884
Опубликовано: 25.10.1974
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-327884-327884.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">327884</a>
Устройство для сложения мощностей двух генераторов на общем сопротивлении нагрузки
Номер патента: 99906
Опубликовано: 01.01.1955
Автор: Терентьев
МПК: H03B 1/00
Метки: генераторов, двух, мощностей, нагрузки, общем, сложения, сопротивлении
...на балластном сопротивлении У=О и вся мощность обоих генераторов 1 и 2 выделяется в нагрузке.Если необходимо произвести сложение мощностей двух генераторов разной мощности СР,=п Р, ), то трансформатор 5 должен иметь коэф фициент трансформации, равный и - 1, а балластное сопротивление 4 должно быть равно сопротивлению нагрузки 3, умноженному на п - 1Устройство по схеме, изображенной па фиг. 1, может применяться в диапазоне звуковых частот. При этом основное требование, предъявляемое к устройству, - отсутствие реакции одного генератора ня другой и активное сопротивление нагрузки генераторов - оудет выполцяться тем точнее, чем меньше потери и индуктивность рассеяния и трансформаторе 5 и чем больше взаимная индуктивность между его...
Дискретное реле сопротивления
Номер патента: 655010
Опубликовано: 30.03.1979
Авторы: Арцишевский, Казанский, Кудрявцев, Кузнецов, Молчанов, Морозов
МПК: H02H 3/40
Метки: дискретное, реле, сопротивления
...2, з) при любом сдвиге по фа 25 зе мскду первичнымии и.Счетчик 16 осущс" твляет степ ерцодцое суммирование число-импульсных сигналов УтиИг;: ганг: - гг + Ли:. м 1 п + г мингде 35 у максУмакс -минТаким образом, на счетчике 16 в каждые 20 мс фиксируется число Мг, отображаю 40 щсс в логарифмическом масштабе параметр, обратный сопротивлению Л па зажимах реле, т. е. фактически - проводимость на его зажимах.Уставка М 1 блока дистанционнойпусквыборки 18 соответствует сопротивлению Лпуси На ВХОДЕ РЕЛЕ, ЦРЦ ДОСтижСЦЦЦ Кото рого (сверху вццз) происходит пуск органа зависимой пыдсрхккц врсмсцц. Гцгцлл цл выходе блока 18 выборки (см. фцг. 2, и) появляется прц поступлении ца счетчик 16 количества импульсов Хг ) Л,пуск 55Именно с помощью блока 18...
Имитатор дискретного приращения сопротивления тензорезистора
Номер патента: 1551979
Опубликовано: 23.03.1990
Автор: Шевчук
МПК: G01B 7/16
Метки: дискретного, имитатор, приращения, сопротивления, тензорезистора
...реальное приращение относительного сопротивления тензорезистора обычно составляет величину на два-три порядка меньшую единицы, то сопротивление шунтирующего резистора 4 будет существенно превышать сопротивление первого дополнительного резистора 6. Если последнее выбрано таким, что оно на один-два порядка превышает сопротивление коммутирующего элемента 5, то,влияние послед-, него на полное сопротивление шунтирующей цепи будет составлять величину, на три-пять порядков меньшую ее номинального сопротивления, чем и обеспечивается повышение точности имитации приращения сопротивления, Выбор сопротивления второго дополнительного резистора 7 ограничивается воэможностями источника тока поподдержанию постоянного значения тока в цепи с...
Способ определения общего сопротивления изоляции сети постоянного тока по отношению к земле
Номер патента: 73752
Опубликовано: 01.01.1948
Автор: Казанский
МПК: G01R 27/18
Метки: земле, изоляции, общего, отношению, постоянного, сети, сопротивления
...ьцс, чеэ цр;1 Вклочсццс и;уцтс.Сущность цйсдлаГдеэ 01 й сцйсйя ЦО 5 С 51 РТСЯ РЭТСТКОЭ.Шкал Гял 3 э помет)э 1 1 1 лсет .эе отмсэк:1: Олпа цз ццк ссОтветств(ет ну)Рвом, пйлОжсПю, а втйР 251 КЭЯСПЗ 5 сСРТЯ) СсйтВРТСТВ РТ току, пэ;1 котоэсм эксл 2 тсльй пропзво;цт 1 змсреше ойщего сйпротцвлснпя золяц:п, 1(; обозначеНй СОГРО ГЦВЛСЦС;130;1 ЯЦЦ;1 ПОЛОЖЦ- телього полюса сети, 1 - то же. но отр:цдтельпйгй полоса,тсбдво Гное соротивлсц Р гальвачоРтря. И - - цмнт.Г 11 кзл 1;эейсттд 1 Грз црйвац В ВРЛЦЧЦ:ДХ СОПРОТЦВГСЦЦ 51:301 Я- ццц сетц по лелующему уравце. ццю;о 737 Я Коэфпциенгы К и К явлгиотся ф 1 икци 51 м 11 Г 1 олсвкеиия двнткка потенциометр а.Измерение искомых сопрот 1 гвлений производится следующим осдазом.Для измерения сопротивле(л 51...
Способ изготовления интегральной схемы
Номер патента: 594838
Опубликовано: 30.10.1980
Авторы: Болдырев, Гайдук, Малейко, Савотин, Степанов
МПК: H01L 21/8222
Метки: интегральной, схемы
...сформированными областями скрытого слоя, разделения, глубокого подлегирования коллекторных контактов и ниэкоомной области базовых контактов транзистора с одновременно изготовленным твердотельным резистором; на фиг.2 - структура пластины со сформированными слоями активной базы и эмиттера транзистора; на Фиг.3- структура пласт 1 пщ со вскрытыми контактами к областям транзистора и резистора и сформированными металлическили электродами.П р и м е р. На кремниевой пластине, состоящей из подложки 1, скрытого слоя 2 и эпитаксиальной пленки 3 соответствунией требованиям ЕТО.035.058.ТУ, термическим окислением выращивают пленку двуокиси кремния (Б 10 1 толщиной 0,35 мкм. Методом фотолитографии вытравливают в Б 10 . дорожки разделяющие компоненты...
Предыдущий патент: Магнитное запоминающее устройство
Следующий патент: Гербицщ
Случайный патент: Способ преобразования энергии переменного тока в энергию постоянного тока и устройство для его реализации