Многослойная
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
";";, О П И С А Н И Е"фИЗОБРЕТЕН ИЯ ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ висимос от авт. свидетельстваосударственныи комитетСовета Министров СССРпо делам изобретенийи открытий. Н. Думаневич, Н. П. Молибог, В. В. Шмелев, В, Е. Челноков и Н. И. ЯкивИк 17 ) 315 Витс КОВО АЯ СТРУКТУРА ПОЛУПРОВ ПРИБОРА(01) МНОГОС последнии нагревается иэлектрическое сопротивлециследующем импульсе управлсе нагретом месте плотносция оказывается меньшей,менее нагретых местах периного слоя, и структура вклточке. Таким образом, в раВовягь примерно большицстфсрпи и-эмиттерцого слоя,П,)имецсцпе данной коцсляст создать тиристор, коскорость нарастания3 10 з я сек при работе в имця частоте 1000 гц,тркции позвоГОР 1111 ДОПМСКЯСТ а 51 отиого тока 1 ульсцом режиме сдмет изобрстеция.Чцогослойцая структура полупроводникового приоора, содержащая цс менее четырех 2 О слосв, чередующихся по типу проводимости,и вывод по крайней мере от одной из базовых областей, непосредственно к которому примыкает слой эмиттерной области, свобод)ый от омичсского 1(оцтакта, Отл(1)ю(1 Й(л 25 тем, что, с целью повышения допустимой величины скорости нарастания анодного тока при включениц структуры, рабочей частоты слс;Овация импульсов тока, я та 1(же искл 10- чсцпя искрения и эрозии поверхности цлчИзвестна многослойная структура полуп 1)ОВОдппкОВОГО прибора, содержащая 11 с мсцсс четырех слоев, чередующихся цо типу проводимости, и выход по крайней мере от одной из базовых областей, к которому примыкает слой эмиттерцой области, свободной от омического контакта.Цсль изООретспия - создяцис копстрмкии, кОГОРЯ 51 позВОл 51 сГ Умецп 1 иь ВРС.51;Я винного роста тока цри вклк)чсции тцристоря, я с(сдОГ 1(1 тсл 1 ИО, ускорить рост яцОДИОГЙ тока и узспьшить цсрсгрсв вклк)чсццой зоПредлагаемая структура отличается тем, что ца свободной от омического контакта части эмипсра имеется участок с улучшенным отводом тепла, отделенный от площади эмиттсрцого электрода и границы выходя эмиперцого перехода ца цовер.(ность участкязи по;1 упрОВОдцика с ИОВерхцостью, зя 1 цищеццой диэлектриком,Е 1 а чср Гсжс прсдс Гавлсца чстырехсло)п 1 я 51 структура.Оца содержит металлическое покрьТиеи слой диэлектрика 2.Такая констр кция четь 1 рехслой 510 П стрктуры допускает повыпеиг)м)о частоту вклочсний, )то обусловлено тем, что при прохожЯЦОДПОГО ТОКЯ ПСРВОЦЯ 1)ЛЬПОталлпзцроваццой части и-эмцттерцого слоя Величивает е. Тогда пр 1 ения в эт ть тока у 1 чем в оста ферии и-эх очается в ботс могут )о учястко) СВОС и поом бор авлс)ЬЦЫХ, иттер 1 ругой учяст- псри3стинки, на свооодной от омического контакта части эмиттера имеется участок с улучшенным теплоотводом, отделенный от площади эмиттерного электрода и границы выхода 274839 эмиттерного перехода на поверхность участками полупроводника с зашищенной диэлектриком поверхностью,. Пелещ Заказ 2189Ц 1.11 И П 1, Составитель О Техред Т. К едюк илко 1 одиисиое Тираж 760омитета Совета Министров СССРетеиий и открытийаугискаи иаб., д. 4/5 МОТ, Загорский филиал Изд, М 1855осударствеииого гто делам изоб Москва, Ж,Корректор н. Стельмах
СмотретьЗаявка
1274990
А. Н. Думаневич, Н. П. Молибог, В. В. Шмелев, В. Е. Челноков, Н. И. Якивчик
МПК / Метки
МПК: H01L 27/00
Метки: многослойная
Опубликовано: 15.07.1974
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-274839-mnogoslojjnaya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Многослойная</a>
Графитовая часть комбинированного электрода
Номер патента: 1750066
Опубликовано: 23.07.1992
Авторы: Апалькова, Барков, Веснин, Давыдович, Молчанов, Морозов, Половой, Сасин, Сосонкин
МПК: H05B 7/085
Метки: графитовая, комбинированного, часть, электрода
...толщйной Ь = 0,01-0,02 диаметра графитино, свойств поверхностного слоя и основно рованного электрода и имеющим удельноего материала электродной заготовки. Так, сопротивление р, составляющее 0,8-0,9при прессовании за счет поверхностного этого показателя материала графитировантрения о стенки мундштука формируется ного электрода, и реакционную способпреимущественная ориентация поверхно- ность С, составляющую 0,5-0,8 от этогостных анизотропных элементов коксопеко показателя материала графитированноговой системы вдоль осй прессования, электрода.При обжиге, согласно прийципу ориен- Поверхностный слой образует с графититационного соответствия структур на грани- . рованным электродом соединение, состоя-.це двух фаз, происходит направленная...
Способ защиты рабочей части графитированного электрода
Номер патента: 1119193
Опубликовано: 15.10.1984
Авторы: Власенко, Галицкий, Качаловский, Кудиевский, Падалко, Ткаченко
МПК: H05B 7/08
Метки: графитированного, защиты, рабочей, части, электрода
...время, в течение которого покрытие подвергается воздействию СО , Необходимая длительность продувки СО зависит в основном от газопроницаемости и толщины покрытия. Поскольку для создания защитных покрытий используются мелко" дисперсные материалы, то газопроницаемость их практически одинакова и про должительность обработки углекислотой зависит только от толщины покрытия. При обдувке покрытий углекислотой необходимо соблюдать установленный режим, так как уменьшение длительности обработки менее 3,5 мин.на 1 мм193 4ния до 1,6 атм/смвызывает снижениепрочности покрытия (пример 4). К этому же приводит и увеличение давлениядо 2,7 атм/см (пример 9), В последУнем случае покрытие начинает осыпаться, что свидетельствует о нарушении прочности...
Графитизированный нипель для свинчивания частей угольного электрода
Номер патента: 81534
Опубликовано: 01.01.1949
МПК: H05B 7/14
Метки: графитизированный, нипель, свинчивания, угольного, частей, электрода
...на одном конце вспомогательным ниппелем меньшего диаметра.Особенностью предлагаемого гргфитпзированного нпппеля для свинчивания частей угольного электрода, обеспечивающего более полное использование электродов и способствующего удлинению срока их горения, является выполнение ниппеля со вспомогательными ниппелями меньшего диаметра на обоих его концах.На фиг. 1 изображен предлагаемый ниппель; на фиг. 2 - сросток электродов с помощью этого ниппеля.Предлагаемый ниппель 1 (основной) снабжен расположенными по его торцам цилиндрическими вспомогательными ниппелями 2. При ослаблении основного ниппеля большего диаметра нижняя часть электрода 3 удерживается вспомогательным ниппелем 2,Предмет изобретения Графитизированный ниппель для...
Способ получения на стенках разрядных трубок служащего электродом слоя магния, и разрядная трубка, снабженная одним или несколькими электродами, изготовленными по этому способу
Номер патента: 12980
Опубликовано: 31.01.1930
МПК: H01J 5/08
Метки: изготовленными, магния, несколькими, одним, разрядная, разрядных, слоя, служащего, снабженная, способу, стенках, трубка, трубок, электродами, электродом, этому
...освобождающегося от газов вещества, например, из железа.,Во время испарения магния этот стерженек уже в достаточной степени испаряется, Кроме того, наносимый на стенку слой может, в зависимости от необходимой силы тока, иметь такие размеры, что во время работы трубки стерженек не участвует в разряде и поэтому и не нагревается до высоьих температур. Срок службы разрядной трубки, снабженной одним или несколькими электродамп изготовленными согласно предлагаемого способа. весьма, продолжителен, так как благодаря большой поверхности эле; ктрода его температура не высока, так что распыление иди испарение отложившегосяиа стенке вещества весьма незначительно, Кроме того, имеющиеся в трубке вредные для разряда составные части во время...
Способ изготовления полупроводниковых структур с высокоомными диффузионными слоями
Номер патента: 986229
Опубликовано: 15.07.1993
Автор: Глущенко
МПК: H01L 21/22
Метки: высокоомными, диффузионными, полупроводниковых, слоями, структур
...является предпочтительной рля более воспроизводимого получения дишшузионных слоев. Причем разница в два порядка допускается минимальной, так как в противном случае дополнительные трудности создаются взаимной нейтрализацией примеси или неуправляемой ее компенсацией, Верхний предел - шесть порядков определяет максимальную возможную раз ность легирования необходимого слоя и подложки.На фиг.1-4 представлена последовательность операций применительно к изготовлению полупроворниковых приборов типа диодов, резисторов и биполярных транзисторов, а на шиг.5-8 для МРП-транзисторов со встроенным кана" лом.На шиг, показана структура после шормирования в (на) подложке 1 высоколегированной области 2 через окно в маске 3 преимущественно в...
Предыдущий патент: 266151
Следующий патент: 285713
Случайный патент: Способ получения винилацетиленовых кремнийорганических соединений