Именков

Номер патента: 1123069

Опубликовано: 07.11.1984

Авторы: Именков, Стамкулов, Таурбаев

МПК: H01L 31/00

Метки: видимую, область, света, фотоприемник

...нецелесообразно как с меньшими Е ) З 5 чем удовлетворяющие условию (так как крутизна края будет столь же .большой, как у.известного фотоприемника), так и с большимиЧЕ 1 изза снижения квантовой Фоточувстви тельности вследствие невозможности полного поглощения фотонов при малой толщине узкозонного слоя приЕа 1 )ь- Ма . В частности, если принять значение а, которое может меняться в некоторых пределах в зависимостиот состава и уровня легирования твердого раствора, равным 10 см , то граничные условия для ЧЕ будет следующими100 эВ/см соЕа 700 эВ/см.Выбранное направление градиента энергии прямых переходов обеспечивает увеличение коэффициента собирания неосновных носителей р в .и-переходов с ростом энергии Фотонов, так как с ростом Ь 4...

Номер патента: 565579

Опубликовано: 05.10.1979

Авторы: Дмитриев, Именков, Царенков, Яковлев

МПК: G02B 5/22

Метки: оптический, фильтр

...аиса, т,е. полупроводника, в котором ширина запретнои зоны изменяется вдоль полупровоковой пластины,При этом полоса пропускания различных участков пластины также будет различной, так как фундаментальный край поглощения опре. деляется шириной запретной зоны. Таким образом, полоса пропускания различных участков фильтра будет различна.На фиг.1 изображена конструкция предлагаемого фильтра; на фиг,2 - изменение ширины запретной зоны по поверхности оптического фильтра (например, линейное); нкрай полосы пропускания, соотвеучасткам А, В и С фильтра.ректор М Вигуив Тираж 5884 НИИПИ Государственного комитпо данам шобретений и открыл13 О 35, МоскваЖРаушская ное ап 3 5655В а р и а н т Т. Поперечный размер пучка света много меньше размера...

Номер патента: 552865

Опубликовано: 25.10.1977

Авторы: Дубровская, Именков, Попов, Равич, Царенков

МПК: H01L 29/06

Метки: диод

...варизонную область 1, выполненную из р-Са, А 1 АЭ, гвтероинжектор 2, выполненный из п-Са, АРАБ,омические контакты Э и 4 - и -переход 5,Носители, которые инжектируются в вБризонную облвсгь гетероинжектором оквзыввются в ней под воздейсгвием тормозящего электрического поля, при:-.имяюшего ихк гетероинжекгору и способсгвуюшего ихэксгракции, Это поле, равное градиенту ширины запретной зоны варизонной области, деленному на заряд электрона, можно увеличивать в широких пределах и таким образом достигнуть высокого быстродействия диода. Величина электрического поли не уменьшает. ся по мере удаления ог .р-,И -.перехода, чем улучшаются условия экстракции неосновных носителей и повышаегбя эффективность диода.р- и -переход может располагаться...

Номер патента: 434873

Опубликовано: 25.08.1977

Авторы: Именков, Царенков, Яковлев

МПК: H01L 31/12

Метки: оптоэлектронный, прибор

...собой полупра водниковое тело, на гранях которого расположены источник света и фотоприемник, Источник света и фотоприемник выполнены на ос- нове Р - б-структуры. 19Известная конструкция обеспечивает достаточно высокий коэффициент передачи излучения от источника к фотоприемнику, так как отсутствуют потери света на отражение от границы раздела источник света-световод и световод - фотоприемник. Однако коаффи 1 циент передачи в ней существенно снижаеъся, если фотоприемник не покрывает всей площади грани. В тоже время для увеличения быстродействия прибора стремятся сделать Е площадь фотоприемника как можно меньше, так как при атом уменьшается емкость фото приемника ( - п-структуры), Таким образом известная конструкция не позволяет...

Номер патента: 448821

Опубликовано: 25.08.1977

Авторы: Именков, Царенков, Яковлев

МПК: H01L 31/08

Метки: полупроводниковый, фотоэлемент

...зоны. И этом случае свет эффективно поглощаетгя вблизи перехода (свет с энергией фотонов Ь 4, близкой к ширине запретнойзоны в области р - и - перехода) и практически не поглощается вблизи поверхности, И результате почти все неосновные носители способны достичь Р -и. -перехода и создать фототок.Таким образом достигаетсч высокая фото- чувствительностьпреобразователя для света с энергией фотонов О= Мо =Е. Свет имеющий энергию фотонов, отличную от Орпогдощается вдали от р - п -перехода и практически не участвует в создании фото- тока. Таким образом достигается высокая спектральная избирательность преобразователя.На фиг, 1 схематически изображен предлагаемый фотоэлемент; на фиг. 2 графики, поясняющие работу фотоэлемента (а - зависимость...

Номер патента: 375011

Опубликовано: 05.08.1977

Авторы: Акперов, Именков, Царенков, Яковлев

МПК: H01L 31/04

Метки: полупроводниковый, прибор, фотоэлектрический

...дпя - типа, Различие в параметрах решетки не бо лее 4%, по сравнению с материалом облучае мой поверхности попупроводниковой структур ры. Это позволяет избавиться от поверхнос 1 ных состояний и создать на поверхности пь лупроводниковой структуры такойотенциальный барьер, электрическое поле которого бу дет отталкивать неосновные носители от гра ницы раздела в глубь полупроводниковой стру туры, В такой конструкции фоточувствитель ного прибора поверхностная рекомбинации практически сведена к нулю.аж 976 венного элам из ква, ЖПодписноекомитета Совета Министробретений и открытий35 Раушская ндб., д. 4/ илидл П 11 П 1 мент", г. Ужгород, ул, Проектная,3780зНа чертеже показан предпоженный прибор,один нз вариантов.,Фотосопротивпеяие выполнено нз...

Номер патента: 414950

Опубликовано: 05.08.1977

Авторы: Водовозова, Деготь, Дохман, Именков, Коган, Титова, Царенков, Яковлев

МПК: H01L 33/00

Метки: источник, полупроводниковый, света

...лучей света, падающих на поверхности, их ограничивающие. Таким образом, наличие выпуклости или впадины приводит к повышению внешнего квантового выхода источника света.Геометрические размеры выпуклости или впадины должны быть больше длины волныиз414950 Составитель Г, КорниловаРедактор Б. Федотов Техред 3. Фанта Корректор С Пдтруш 1 одп ис и оеСовета Ииннстроткрытш дп наб д М 5/46Ш 111 И П 11 За,;э в СС дарственного комитата по делам изобретений1 оскца А, Рдушс 1130 Ужгород, ул. 11 ро.гтння, 4 илндл 11 Ш 1" 11 атент", я злучения источника света, чтобы обеспечить тклонение луча. Поверхность выпуклости или впадины не должна располагаться от р-п -перехода на расстоянии меньше диффузионной длины неосновных носителей, чтобы большая...

Номер патента: 463403

Опубликовано: 25.07.1977

Авторы: Гутов, Данилова, Именков, Царенков, Яковлев

МПК: H01L 31/00

Метки: фотоэлемент

...на основе варнзонной- тт - структуры. И такой структуре ширина запретной зоны монотонно язменяеим в направленяи, перле днкулярном плоскости Р - 1 т - перехода. Эта структура отличается ог других тем, что она обладает сечекгнвной чувствительн ность к свету с энергией фотонов ММблизкой к ширине Р, запретной зоны в области- ч - перехода, и практяческя нечувствительна к свету с энергией фо гонов, отличной ог св областя- тт перехода.Бель изобрел+пня - обеспечение анализа спектрального распределения нэпу ения в одном кристалле.Предложенный фотоэлемент выполнен в вяде пластины из вариэонного кристалла, содожащего Р - тт - переход, причем ширина запретной эоны плавно изменяется по толшнпе пластины. Отпичне предложенперехода, гак я в...

Номер патента: 506242

Опубликовано: 25.06.1977

Авторы: Бессолов, Данилова, Дмитриев, Именков, Царенков, Яковлев

МПК: H01L 31/04

Метки: спектрометрический, элемент

...так и по толщине пластины. При этом по толщине пластины ширина запрещенной зоны увеличивается по мере удаления от поверхности потенциального барьера, достигая максимальной величины на противоположной поверхности пластины, которая одновременно является оптическим окном.Таким образом, в предложенной конструкции излучение регистрируется как при падении излучения со стороны поверхностного потенциального барьера, так и с противоположной стороны пластины (со стороны оптического окна),Принцип работы спектрометрического элемента основан на поглощении света, генерации электронно.дырочных пар и разделении их электрическим полем потенциального барьера. Ввиду различия ширины запрещенной зоны кристалла в разных частях потенциального барьера его...

Номер патента: 471375

Опубликовано: 25.05.1975

Авторы: Акперов, Именков, Попов, Царенков, Шер, Яковлев

МПК: C09K 1/00

Метки: раствор, твердый

...излучающей области светодиодных преобразователсй электрической энергии в световую энергию.Известен твердый раствор ба =А 1,.Аз:51 с содержанием кремния 5 10"см - , который может быть использован для изготовления излучающей области светодиодов.Однако известный материал имеет низкий 10 квантовый выход электролюминесценции в красной области спектра - 0,025%, что ограничивает область применения этого экономичного материала.Предлагаемый твердый раствор отличается 15 от известного тем, что кремний в него вводят в количестве 3 10" - 5 10"см впри следующем соотношении компонентов, ат. %: галлий 25 - 49, алюминий 1 - 25, мышьяк 50, кремний 0,0000007 - 0,000002, 2Это отличие обеспечивает увеличение внешнего квантового выхода электролюминесценции в...

Номер патента: 465602

Опубликовано: 30.03.1975

Авторы: Евстропов, Именков, Попов, Царенков

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: величины, заряда, объемного, перехода

...изоб ения Способ определения велич 10 заряда р - п-перехода путем экспериментальной зависимос кающего в прямом направле переход, от времени в интер ном моментом включения ток 15 реход и моментом окончания ной емкости, о т л и ч а ю щ и " целью снижения трудоемкос тегрирования, регистрируют ния зарядки барьерной емко 20 во времени током по момент минесцентного излучения р -Изобретение относится к способам определения величины объемного заряда.Известен способ определения величины объемного заряда р - п-перехода путем интегрирования зависимости тока от времени при изменении напряжения на р - и-переходе.Недостатком известного способа является невозможность фиксации момента равенства нулю объемного заряда по моменту начала уменьшения...

Номер патента: 389732

Опубликовано: 25.07.1974

Авторы: Вишневская, Евстропов, Именков, Коган, Попов, Рубисова, Царенков

МПК: H01L 29/20

Метки: диод

...концентрацией ловушек, а время его рас 2 п сасывания - временем выброса носителейзаряда из ловушки в зону свободных неосновных носителей. Это позволяет выбором уровня легирования управлять величиной накопленного заряда и временем его рассасывания 25 при фиксированном времени жизни неосновных носителей и фиксированных токах заряда и разряда,Пример. В качестве исходного материала был взят фосфид галлия. Легирование Зо фосфида галлия азотом производилось из389732 20 Предмет изобретения Составитель А. Кот Корректоры: Л. Корогод и В. ПетроваТехред 3. Тараненко Редактор Т. Орловская Заказ 3507;6 Изд.73 Тираж 760 Подписное ЦНИИПИ Государственного комигета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб.,...

Номер патента: 339248

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Акперов, Именков, Ордена, Царенков, Яковлев

МПК: H01L 29/06

Метки: индуктивный, полупроводниковый, элемент

...зоны на 25 границе с первым полупроводниковым слоембольше, чем ширина запретной зоны первого полупроводника, и плавно уменыпается по направлению к омическому контакту, Металлические слои образуют с прилегающими к ним ЗО полупроводниковыми слоями омический кон339248 Предмет изобретения Составитель Л, КотТекред Т, Миронова Корректоры Е, Талалаева и В. ЖолудеваРедактор Т. Орловская Заказ 824/1 Изд. Ме 1239 Тираж 780 ПодписноеЦ 11 ИИПИ Комитета по делам изобретений и открытии при Сонете Министров СССР Москва, Ж, Раушская иаб д. 4/5 Типография, пр, Сапунова, 2 такт. Между двумя полупроводниковыми материалами. имеется потенциальный барьер.Полупроводниковый прибор с управляемым реактивным сопротивлением состоит из слоя индия, слоя...