Кмита

Номер патента: 2004037

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Аверин, Андреев, Кмита

МПК: H01L 21/31

Метки: микрорельефа, формирования

...соответствующих 5 полоскам изготавливаемой решетки, составляет 1,2 мкм, расстояние между этими участками составляет также 1,2 мкм. После экспозиции вскрывают в фоторезисте окна путем его обработки в 0,5 КОН и вытравли вают открытые участки первого рабочегоспал металлизации. Сначала травят слой золота раствором, содержащим 400 г йодистого калия и 100 г йода на 400 мл воды.Травление ведут в течение 30 с. Затем уда ляют подслой хрома путем травления еговодным раствором соляной кислоты (концентрации 1:1) в течение 5 с. При указанном. режиме травления происходит "подтрав"участков первого рабочего слоя 2 металли зации под участками слоя 3 фоторезиста,При этом, образуются "козырьки" фоторезиста (см. фиг, 2) ндд свободной от метаплизации...

Номер патента: 1838877

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Андреев, Белявский, Кмита, Марков

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волн, встречно-штыревого, поверхностных, преобразователя

...каждой пары электродов 14, 15, и 16, 17 соответственно. Пространственный период 50 электродов в каждой секции равен 2(А/2-Ь)++ 2 Ь = А. Покажем, что при изготовлении преобразователя предложенным способом отключения размеров а и Ь от расчетных значений, связанные с трудностью контро ля процесса травления, не приводят к заметному искажению электротехнических характеристик преобразователя. В случае, если подтрав первого слоя металлизации не соответствует расчетному значению Ь, на 1838877пример, превышает ее на величину ЬЬ, электроды 14 и 16 первой и третьей групп, формируемые иэ первого слоя металлизаци, как было описано выше, будет иметь ширину а 1 " ( Л/2 - Ь- Ь Ь). В то же время ширина электродов 15 и 17, формируемых и второго слоя...

Номер патента: 1184416

Опубликовано: 30.07.1987

Авторы: Белявский, Биргер, Голосов, Гуляев, Кмита, Шишкин

МПК: H03H 9/145

Метки: акустических, волн, поверхностных

...между дополнительными электродами 10 и смежными сними электродами 5, Электроды 6 второй группы основного ряда 4 и смежные с ними электроды 5 первой группыобъединены в секции А и В, расположенные вдоль преобразователя. В каждой из секций А и В длины 1, и 1 пе 16рекрывающихся участков электродов соответствующих групп выполнены одинаковыми, при этом в секциях В, расположенных ближе к периферии преобразователя, длины 1 меньше по сравнению с длинами 1, в секциях А. Минимальные длины перекрывающихся участков электродов 5 и 6 основного ряда 4 в крайних секциях преобразователя определяются уровнем дифракционных потерь и не должны быть меньше нескольких длин волн ПАВ,Вспомогательные ряды 7 электродов 8 и 9 расположены в акустическом канале...

Номер патента: 1067588

Опубликовано: 15.01.1984

Авторы: Белявский, Гуляев, Кмита, Федорец, Шишкин

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волн, встречно, поверхностных, типа, штыревого

...ряд электродов 8.Концы электродов 5 и б первой ивторой групп основного ряда 4, обращенные к первой токопронодящей площадке 2, расположены между электродами 7 парного вспомогательного рядаи имеют перекрывающиеся с ними участ Оки переменной длины 1 и 62 соответственно,а концы тех же электродов5 и б, обращенные к второй токопроводящей площадке 3, расположены междуэлектродами 8 второго вспомогательного ряда и имеют перекрывающиеся сними участки переменной длины 1 л и6 соответственно. При этом значениядлин л 1 1- , 2 иучастков перекрытия для смежных электродов 5 и б 60первой и второй группы основного ряда выбраны из условия неравенстваотношений 14, и Ь/2.Благодаря описанному Расположениюэлектродов, концы электродов б и б...

Номер патента: 1054887

Опубликовано: 15.11.1983

Авторы: Булюк, Гуляев, Кмита, Кундин, Мальцев

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, поверхностных, резонаторный, фильтр

...четыре аопопнитепь ных ВШП 6 ф 7,9 и 10 крайние из которых 6 и 7 размещены в эффективных центрах отражения отражатепьных струк тур, т. е. расстояние межцу ними равноффгце , - расстояние межцу краямиотражатепьнык структур;,Ь о - цпина проникновения ПАВв кажаую отражатепьнуюструктуру.С оцним иэ крайник цопопнитепьных ВШП 6 соецинены парарпепьно включенные вхоцы фазовращатепей 8, 11 и 12, выкоцы которых через соответствующие усипитепьные эпементы 13 14 и 153 10548соецинены с соответствующими цополнительными ВШП 7, 9 и 10, Отражательные структуры 2 и 3 в фильтре (фиг. 2)выполнены в вице разомкнутых провоцящих полосок, нвнесеннык нв поцложкуннобвта лития. Фаза отраженного вкустического сигнала от края элементов этикотражательных...

Номер патента: 1022292

Опубликовано: 07.06.1983

Авторы: Гуляев, Кмита, Марков, Попов, Щукин

МПК: H03H 9/145

Метки: акустических, волн, поверхностных

...х,-хК, гальванически соединены с первой контактной площадкой 2. Остальные электроды 15 первой группы связаны с контактной площадкой 2 через взвешивающие емкости. Эти емкости образованы вторым вспомогательным рядом Х 6 электродов 17, гальванически соединенных с первойонтактной площадкой 2, и электродов 18, гальванически соединенных с сов соответствии с заданными амплитудами его импульсного отклика.На фиг. 1 приведена конструкция преобразователя с одним вспомогательным рядом электродов и импульсный отклик этого преобразователя; 5 на фиг. 2 - вариант преобразователя с двумя вспомогательными рядами; на фиг. 3 - другой вариант преобразователя с двумя вспомогательными рядами.Преобразователь содержит размещен ные на поверхности...

Номер патента: 953695

Опубликовано: 23.08.1982

Авторы: Багдасарьян, Гуляев, Кмита

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, поверхностных, фильтр

...вариант фильтра, в котором расстояние между первой структурой 6 электродов входного преобразователя 2 и второй структурой 9 электродов выходного преобразователя 3 отлично отрасстояния между второй структурой 9 электродов входного преобразователя 2 и первой структурой 6 электродов выходного преобразователя 3. При этом в одном из преобразователей, например во входном 2, расстояния между осями смежных электродов 7, 8 выбраны отличными от расстояний между осями смежных электродов 10, 11, так чтобы значения центральных частот в полосах частот ПАВ, возбуждаемых электродами первой 6 и второй 9 структур, отличались, но были расположены в пределах полосы пропускания фильтра. В предложенной конструкции фильтра каждый из...

Номер патента: 945951

Опубликовано: 23.07.1982

Авторы: Багдасарьян, Гуляев, Кмита

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, поверхностных, фильтр

...электродов 13, 14 и 16, 17 (простран" ственный период) равны пространственному периоду электродов основной структуры 6. входного преобразователя 2 и электродов выходного преобразователя 3 и выбраны из условия акустического синхронизма. Наряду с этим, пространственные периоды первой 12 и второй структур 15 рядов электродов 13, 14 и 16, 17 могут быть выбраны из условия акустического синхронизма на нечетных гармониках. Кроме того, расстояния между продольными осями смежных электродов 13, 14 и 16, 17 могут изменяться вдоль ряда по заданному закону, как в дисперсионных элементах связи.5 945951 бВ этом. случае эти .величины определя- Высокочастотный сигнал от генераются по центральной частоте фильтра тора 4 поступает на входной преобра. в...

Номер патента: 938366

Опубликовано: 23.06.1982

Авторы: Багдасарьян, Гуляев, Кмита

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волн, поверхностных

...и второй площадкой и состоящий из третьей группы электродов, электрически связанных с второй площадкой, и четвертой группы электродов, перекрывающихся с электродами третьей группы и гальванически соединенных с соответствующими электродами второй группы неаподизованного ряда, электродынеаподизованного ряда расположены веерообразно, а длина перекрывающихся участков, электродов третьей и четвертой групп аподизованного ряда изменяется вдоль преобразователя прямо пропорционально закону изменения весового множителя импульсного отклика преобразователя.На фиг. 1 и 2 представлены схематические конструкции преобразователей.В первом варианте преобразователя (фиг. 1) на рабочей поверхности звукопровода 1 расположены первая 2 и вто - рая 3...

Номер патента: 805918

Опубликовано: 30.03.1982

Авторы: Багдасарьян, Гуляев, Кмита, Федорец

МПК: H03H 9/145

Метки: акустических, волн, поверхностных

...11 через емкость, которая образована соответствующим электродом 6 электродной структуры 4 совместно со смежными электродами 5 и при.легающим к ним участком контактной площадки 11. Контактные площадки 10 и 11 могут быть соединены проводниками 12 с источником электрического сигнала или с натрузкой.Звукопровод 1 может быть выполнен из керамики, участки 2 и 3 состоят из не- поляризованной и поляризованной керамики соответственно.Преобразователь работает следующим образом. При поступлении высокочастотного сигнала от генератора через проводники 12 на первую 10 и вторую 11 контактные площадки между смежными электродами 8 и 9 электродной структуры 7 возникает знакопеременная разность потенциалов. Величина ее зависит от величины емкости между...

Номер патента: 811371

Опубликовано: 07.03.1981

Авторы: Гуляев, Кмита, Медведь, Федорец

МПК: H01L 49/00

Метки: cbeta, акустоэлектронный, сканирующийисточник

...мощности, потребляемойустройством, идет на нагрев, а лишь незначителш 1 ая часть идет на образование аку 5 стического домена.Целью изобретения является повышениеэкономичности акустоэлсктронного сканпру 1 ощего источника света,Указанная цель достигается тем, что10 пьезоэлектрическая подложка структурывыпол:1 сна из пьезодиэлектрика и снаожена прсобразователем и поглотителем поверхностных ультразвуковых волн.На фиг. 1 - устройство, впд спереди; на15 фпг, 2 - то же, впд сверху.Акустоэлектронный сканирующий источник света имеет пьезодпэлектрическую подложку 1, слой полупроводника 2, обладающего пзлучательнымп переходами, преооразователп поверхностных ультразвуковыхволн 3, поглотитель поверхностных ультраз ковых вол 1 4 электроды...

Номер патента: 801900

Опубликовано: 07.02.1981

Авторы: Багдасарьян, Кмита, Мазур, Медведь

МПК: B06B 1/00

Метки: волн, поверхностныхакустических

...а полоски выполнены из ферромагнитного материала и расстояниемежду ними кратно длине поверхностной акустической волны.На чертеже схематически изображенпредлагаемый преобразователь.Преобразователь содержит подложку-звукопровод 1, систему эквидис-тантно расположенных металлическихполосок 2, изготовленных из ферромаг",нитного материала. Расстояние междуполосками кратно длине поверхност801900 30 Формула изобретения Составитель В. Федосовактор М. Стрельникова Техред М.федорнак Корректс ец 53омитета Соткрытийкая наб.,208/8 Тира ВНИИПИ Государственного по делам изобретений 3035, Москва, Ж, РауюПодпиР Заказ о Филиал ППП фПатентф, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 ной акустической волны. Область размещения металлических полосок 2...

Номер патента: 767941

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Багдасарьян, Гуляев, Кмита, Медведь, Федорец

МПК: H03F 3/04

Метки: акустических, волн, поверхностных, усилитель

...систему металлических полосок, размещенных на пути звукового луча между преобразователями, металлические полоски объединены в пары, образующие встречно-штыревые преобразователи, причем один из преобразователей соединен со входом, а другой - с выходом усилителя, подключенного к каждой паре преобразова- телей.На чертеже представлена схема устройства.На пьезоэлектрическом звукопроводе 1 расположены электромеханические преобра- . зователи поверхностных акустических волн 2 и 3, осуществляющие соответственно возбуждение и прием акустических волн. На пути распространения звукового луча размещена система металлических полосок, объединенных в пары, образующие встречно-штыревые преобразователи (на чертеже изображены, в частности, три...

Номер патента: 726648

Опубликовано: 05.04.1980

Авторы: Андреев, Багдасарьян, Гуляев, Кмита

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, поверхностных

...соответствующих электродов 12 и 13, В результате в пьезоэлектрическом Материале возбуждаются ПАВ в полосе частот вблизи центральной частотыполосы пропускания устройства, Амплитуда ПАВ, возбуждаемых каждой парой алектродов 10 и 11, пропорциональна величине напряженности электрического поля между нйми и, следовательно, зависит от величины участков перекрытия соответст вующих электродов 12 и 13, Таким обра зом, взвешивание интенсивности возбужде ния ПАВ электродов 10 и 11 и, соответственно, формирование заданного импульсного отклика осуществляется путем задания определенного закона покрытия электродов 12 и 13. При атом ПАВ, возбуж- даемые в структуре 6, имеют равномерный волновой фронт по апертуре луча, твк как все электроды этой...

Номер патента: 726647

Опубликовано: 05.04.1980

Авторы: Багдасарьян, Гуляев, Кмита

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, поверхностных, полосовой, фильтр

...другом варианте предложенного устройства один или оба преобразователявстречно-штыревого типа могут быть выполнены аподизованными, т. е. с переменнымперекрытием электродов, закон изменениякоторого определяется по заданному импульсному отклику фильтра (фиг. 2).зэ Входной 2 и выходной 3 преобразователимогут быть размещены по одну сторону отэлектродных структур 8 - 10, как это показано на фиг. 2,Независимо от конструкции входного 2и выходного 3 преобразователей на дополнительной структуре 10 может быть расположено поглощающее ПАВ покрытие. Привыполнении такого покрытия из материалас высокой диэлектрической проницаемостьюуменьшаются габариты устройства, посКольм ку в этом случае уменьшается величина максимального перекрытия электродов в...

Номер патента: 658711

Опубликовано: 25.04.1979

Авторы: Гуляев, Кмита, Медведь, Федорец

МПК: H03F 21/00

Метки: акустоэлектронный, усилитель

...на эффекте распределенного и супергетеродинного усилителя.Мощная поверхностная акустическая волна образуется за счет самовозбуждения 5генератора, образованного полупроводниковой средой 5 и двумя гетеродиннымипреобразователями 4, гальваническисоединенными между собой. Гальваническое соединение гетеродинных преобразо Ователей 4 обеспечивает положительнуюобратную связь, необходимую для самовозбуждения генератора. Положительнаяобратная связь достигается тем, чтомежду гетеродинными преобразователями4 укладывается целое число длин волн,то есть расстояние между гетеродиннымипреобразователями 4, по меньшей мере,равно удвоенной длине гетеродинного преобразователя 4 вдоль пьезоэлектрического звукопровода 1. Для осуществлениясамовозбуждения...

Номер патента: 634448

Опубликовано: 25.11.1978

Авторы: Гуляев, Кмита, Медведь, Федорец

МПК: H03C 3/38

Метки: модуляции, сигналов, фазовой, электромагнитных

...нижним электродом 6, Этот ток в один по,упериод несущей модулирующего сигналя при)кимяет электронные сгустки к пограничной со звукопРоводом повеРхносг) полчпРОВО;,никоОЙ структуры, втягивая их в область максимал еных пьезоэлектри ческих полей, При этом возрастает эффективность экранировки пьезополей свободными электронами, соответственно уменьшается скорость распространения акустической поверхностной волны и фаза ее испьпывает поло)кительный сдвиг. В другой полупериод несущей модулирую- ЩЕГО СИГНЯЛЯ ЭуЕКТРОЕЕЫС СГЧСТКЦ СДБИГЯОТ- ся глуоь полупроводниковой стрхктурь 3 1 ВЫХОД 5 Т ИЗ ОГ),Я(.ТИ ПРОНИК 1 ОЕ(ЕИЯ Б С.( пьсзопОлеЙ. )ф(ек иНость эк)яцц)0 ки пьезоцолей свободными электронами прц этом уменьшается, соответственно скорость расц рос...

Номер патента: 316378

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Виолин, Водаков, Кмита, Круглов, Ломакина, Маслаковец, Мохов, Павличенко, Рыжиков, Холуянов

МПК: H01L 33/00

Метки: источник, полупроводниковый, света

...прибора в области низких температур наличие сильнолегированного низкоомного р . слоя, Такой слой позволяет эффективно инжекти. ровать носители заряда со стороны р - области при низких температурах, так как концентрация дырок в низкоомном сильнолегированном р - слое приотемпературе около 60 С оказывается (несмотря на значительное уменьшение концентрации дырок с понижением температуры в дырочном карбиде кремния) существенно выше, чем концентрация носителей заряда в высокоомном активированном слое. Это обстоятельство влияет и на рабочее напряжение прибора, позволяя снизить его до минимально возможного.31 б 378 Фор мула изобретения Со ставитель М, ЛенешкинаРедактор Б. Федотов Техред Н. Андрийчук Корректор Т. КравченкоЗаказ 5055/423...

Номер патента: 460832

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Карацюба, Кмита, Круглов, Куринный, Курносов, Рыжиков, Юдин

МПК: H01L 15/00

Метки: индикаторный, многоэлементный, полупроводниковый, прибор

...в ысоким удельным сопротивлением и высокой концентрацией центров-гасителей электролюминесценции,На чертеже показан предлагаемый многоэлементный индикаторный прибор.В пластине 1 карбида кремния формируютсякомпенсированная область 2 и р-область 3. На высокоомной области 3 получают ряд дискретных омических контактов 4, между которыми находится дополнительная область 5 с концентрацией дефектов от 10 "едо 10 см з Толщина области 5 превышает толщину области 3 не менее, чем на 0,1 мкм.На противоположной стороне кристалла расположен омический контакт 6.Прибор работает при подаче прямого смещенияна общий вывод и на нужную комбинацию элементов со стороны высокоомной области кристалла, 0 при этом наблюдается свечение заданой комбинациидискретных...

Номер патента: 507883

Опубликовано: 25.03.1976

Авторы: Гуляев, Кмита, Кузьмин, Медведь

МПК: G06K 11/00

Метки: графической, информации, планшет, считывания

...звукопроводным на него фоточувствительнымблок электромеханических преобрл ей, установленный на одном избочей поверхности звукопровода.1точность считывания графическойции невысокая,-,повышение точносческой информации. Этэвукопровод выполика, нв другом торцехоторого установлентоэлектрический эффект, проявляющийсяв возникновении постоянной разности потен-циалов (акустоэдс) между пограничной созвукопроводом поверхностью полупроводникаи его глубинными слоями, где переменныеэлектрические поля, сопровождающие поверхностную ультразвуковую волну, распространяющуюся в пьезодиэлектрическом звукопроводе, экранируются свободными носителями заряда. Величина акустоэдс в широкой области изменения проводимостиполупроводниковой среды...

Номер патента: 327884

Опубликовано: 25.10.1974

Авторы: Бабенко, Боева, Виолин, Водаков, Иванова, Кмита, Круглов, Ломакина, Новиков, Павличенко, Рыжиков, Холуянов

МПК: H01L 27/00, H01L 33/00

Метки: 327884

...превышает 5 по крайней мерв в 10 раз сопротивление этого слоя по нормали к переходу.На чертеже изображен многоэлементный индикатор на карбиде кремния еВ пластине 1 карбида кремния,легированной азотом, формируют дввобласти: высокоомную р-область 2толщиной,напримвре Ое 2-Ов 5 мкм и 25 1 слаболегйрованную компенсированнуюсоставитель ЯЛОпешкин Редакгор 1 ЛарИНа ехред Н.СЕг 1 ИНЭ Корректор И Л 6 НИйа11 одиигиое зааз Дг/ над 11 з г о 1 Тираж 1) 1111111111 Государствеииого комитета Совета Мииисгров СССР ио делам изобретений и открытий Москва, 113035, Раушская иаб., 4 Предприятие Патеит, Москва, Г.59, 1 ережковская иаб., 24 область 5 толщиной не более 0,5- 1,2 мкм. Со стороны р-области вышлифовывают ступеньку Ф на глубину порядка 10-15...

Номер патента: 447731

Опубликовано: 25.10.1974

Авторы: Айламазян, Ананьевский, Боева, Горенштейн, Кмита, Макаревич, Маланьин, Тарасов

МПК: G09F 9/33

Метки: индикации

...включенные участки индикатора от невключенных,Для повышения контраста изображенияв некоторых устройствах используют круговые поляризаторы, Однако эффект установ 10 ки круговых поляризаторов при значительной разности в коэффициентах отраженияфоновых и информационных участков Нндиатора и высоком коэффициенте отраженияоследних оказывается незначительным,Цель изоУретения - повышение надежности индикации. Для ее осуществления наповерхность кругового поляризатора, обращенную к светодиодам, нанесено металлическое покрытие, оУразуюшее полупрозрач 20 ное зеркало.На чертеже представлен индикатор, оУший вид и разрез по А-А.Устройство содержит информационннеучастки 1 индикатора, фоновое доле 2 пя 25 дикатора, еУщий токоподвод 3, токопопвоИдд....

Номер патента: 398290

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вител, Кмита, Медведь, Электроники

МПК: B06B 1/06, H01L 41/113

Метки: волн, детектирования, поверхностных

...грани пьезоднэлектрпческого образца 2, вдоль которой,распространяется поверхностная ультразвуковая волна. На верхней грани полупроводниковой пластины имеется омическпй контакт 5.)Припцип действия устройства основан на поперечном акустоэлектрическом эффекте на поверхностных ульз)развуковых волнах в слоистых стру ктурах пьезодэлектрик - полупроводник. Пакет поверхностных акустических волн распространяется по верхней грани пьезодиэлектрцческого образца 2. Проходя 5 под полупроводниковой пластиной 3, поверхностная волна вызывает своими элсктричсскими полями, которые проникают п приповерхностный слой полупроводника, круговь)е электрические токи в приповерхностном слое 10 последнего, появляется разность потенциаловмежду поверхностью...

Номер патента: 273258

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Гейлер, Завадич, Кмита, Кривецкий

МПК: B61F 5/06

Метки: вагонов, гаситель, железнодорожных, колебаний, подвешивания, рессорного, тележек, фрикционный

...плоскости надрессорная балка прижимается к вертикальным фрикционным накладкам 10 планкой 11 и баш 1 цаком 4. При забегании одной боковины относительно другой возникает сила, стремящаяся утопить башмак 4 и сжать пружину 7, При этом на клинья 5, прижатые пружиной 8 к накладкам 9, действует распорная сила клиновой части башмака.При движении клиньев 5, прижатых к накладкам 9, возникает сила трения, препятствующая смещению башмака 4 и клиньев 5. Величина этой силы зависит от угла между наклонными поверхностями башмака и коэффициента трения между клиньями и накладками.Возникновение при перекосах боковин дополнительной силы трения, препятствующей перемещению башмака, величина которой мокет во много раз превосходить величину силы, создаваемой...

Номер патента: 263025

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Бабенко, Барков, Кмита, Когель, Круглое, Лукь, Петров, Рыжиков

МПК: G01D 13/20, G01R 13/14

Метки: дискретной, регистрации, сигналов, фотопленку, электрических

...сигнала.Развертка регистрируемого процесса вовремени обеспечивается, перемещением фотопленки лентопротяжным механизмом б. Между светодиодной линейкой и фотопленкой установлена диафрагма б.Многоэлементная светодиодная линейка 7представляет собой электролюминесцентный многоэлементный светодиод и изготавливается на основе кристалла карбида кремния или фосфида галлия, в котором созданы диффузионные р - и-переходы 8. Светодиод излучает видимый свет при,подаче на него тока в прямом направлении.Диффузионные переходы подключаютсянезависимо друг от друга с помощью выводов 9. Второй омическнй контакт является общим для всех элементов, Свет испускает 20 тот элемент, на выводы которого подано прямое напряжение от источника питания...

Номер патента: 245171

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Гейлер, Еремин, Завадич, Кмита, Кривецкий, Павлюков

МПК: B61H 13/32

Метки: вагонов, грузовых, многоосных, привод, регулятора, режимов, торможения

...При этом подрессореннаячасть 8 тележки через планку 9 воздействуетна одно плечо рычага 3, шарнирно закрепленного на кронштейне 10 штока 4. Шток 4, опи 5 раясь через пяту б на неподрессоренную часть5 тележки, не изменяет своего положения в процессе перемещения подрессоренных частей рамы вагона и тележки. При этом перемещениипроисходит поворот на определенный угол ры 10 чага 3, второе плечо которого соединено черезтягу 1 с рычагом 2,При повороте рычага 3 рычаг 2 также поворачивается,Рычаг 2, шарнирно закрепленный на крон 15 штейне 11, будет опускаться вместе с рамой 7вагона, но так как отношение дпнн плеч рычага 3 равно отношению длин плеч рычага 2,то точка контакта второго плеча рычага 2 соштоком 12 автоматического регулятора 13 ре 20...

Номер патента: 244372

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Битюцкий, Вельский, Гейлер, Грачева, Двухглавов, Завадич, Кмита, Кривецкий, Лазарь, Львов, Паршиков, Разгонов, Речкалов, Соколов, Челноков, Шастин

МПК: B61F 5/30

Метки: бесчелюстной, надбуксовое, подвешивание, тележки

...относительно нажимного клина и концевой части рамы. Это повышает хордовые качества тележки путем получения в надбуксовом подвешивании переменного коэффнци.ента относительного трения,Кроме того, на наружной пружине рессорного комплекта, установленного под нажим 5 ным клином фрикционного амортизатора, расположена;шайба с бу ртом, фиксирующимпружину относительно рамы. Это упрощаеттехнологию изготовления последней.На фиг, 1 изборажено надбуксовое подве 10 шивание, вид сбоку с частичным разрезом; нафиг. 2 - разрез по А - А на фиг. 1.На кронштейнах 1 буксы 2 размещены рессорные комплекты, один из которых состоитиз внутренней 3 и наружной 4 пружин, а вто 15 рой - из внутренней 5 и наружной 6 пружин.На пружину 5 отпирается концевая часть...

Номер патента: 235085

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Гейлер, Герман, Двухглавов, Еремин, Завадич, Кмита, Кривецкий, Павлюков, Прохоренко

МПК: B61H 13/38

Метки: подвагонной, соединения, тормозной, тяги, узел

...рычагом 2, а рычаг 2 - с рычагом 3 триангеля 4 крайней колесной пары 5 и тягой 6. Тяга 7 передает усилие на последующие звенья. Ролик 8, на который опирается подвагонная тяга, укреплен в корпусе подвески 9 валиком 10. Корпус подвески упруго соединен с рамой вагона 11 стержнем 12. Стержень 12 шарнирно связан с кронштейном 13 валиком 14 и проходт через отверстие 1 а В корисе подвески, вн треи)010часть пружины 16 и отверстие 17 опорнойпланки 18, поддерживаемой гайкой 19.В месте контакта подвагонной гяг 1) с роликом приваривают планку 20, прсдотвращающую потертости тяги при эксплуатации вагоУпоры 21 удержива)от подвескумещения вдоль оси вагона,В отпущенном состоянии торм 1 а вагонаподвагонная тяга 1 опираес план)сой 20 иаролик 8 и...

Номер патента: 211568

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Голубничий, Двухглавов, Завадич, Иванов, Кмита, Кривецкий, Речкалов, Шастин

МПК: B60T 17/00, B61H 13/26

Метки: вагона, железнодорожного, передача, рычажная, тележки, тормозная

...шарнирно соединена с двуплечими рычагами, шарнирно закрепленными на надрессорных балках тележки.Благодаря такому выполнению обеспечивается компактность передачи и повышается ее эффективность.На чертеже схематически изобракена описываемая рычажная передача.Распределительный рычаг 1 шарнирно соединен с вертикальным рычагом 2 триангеля 8 наружной колесной пары 4 и через распорку 5 - с вертикальным рычагом б триангеля 7 внутренней колесной пары 8.Рычаг 2 наружной колесной пары через распорку 9 связан с двуплечим рычагом 10, шарнирно закрепленным на надрессорной балке 11.Рычаг 10 шарнирно соединен с тягой 12, которая в свою очередь шарнирно связана с двуплечим рычагом Ишарнирно закрепленным на надрессорной балке 14. Рычаг И через распорку 15...

Номер патента: 205064

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Гейлер, Голубничий, Кмита, Кривецкий, Соколов, Уральский, Челноков

МПК: F16F 7/08

Метки: амортизатор

...емого 10 жуточ- тбор- рани- рного Предмет изобрет кционно взаиенний из коками, разме. передающими ом направлеуточных разие фрикционмента, отлиАмортизатор в виде пары фри модействующих элементов, внут торых снабжен упругими встав шенными на опорном стержне, сжимающие в продольном осев нии усилия посредством промеж резных вкладышей на внутренн ные поверхности наружного эл 25 Амортизаторы в виде пары фрикционно взаимодействующих элемснтов, внутренний из которых снабжен упругими вставками, размещенными на опорном стержне, передающими сжимающие в продольном осевом направлении усилия посредством промежуточных разрезных вкладышей на внутренние фрикциониые поверхности наружного элемента, известны.Отличительной особенностью описыва...