H01L 21/465 — обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление
Способ травления пластин для твердых выпрямителей и фотоэлементов
Номер патента: 31516
Опубликовано: 31.08.1933
МПК: H01L 21/465
Метки: выпрямителей, пластин, твердых, травления, фотоэлементов
...твердых или контактных фотоэлементов или, говоря иначе, для фотоэлементовзаградительным слоем, а также для контактных выпрямителей. Как известно, пластины подобных фотоэлементов и выпрямителей имеют слой проводника и полупроводника, например слой меди и закиси меди, при чем фотоэффект и выпрямительное действие, согласно теории, разработанной 5 сЬопку, происходят за счет границы между проводником и полупроводником.Трудность полученипокрытых слоем закиси я в том, что закись полусительно высокой темп а я медных пластин меди, заключаетс чается при отно ературе (порядк 900), при более же низкой температуре медь переходит в окись меди. Поэтому приходится прибегать к дополнительному удалению слоя меди, например, посредством травления, Для...
154614
Номер патента: 154614
Опубликовано: 01.01.1963
МПК: H01L 21/465
Метки: 154614
...и слабом помешивании с последующей сушкой под вакуумом (0 -.цл рт. ст,) при температуре 130 - -150 С в течение четырех часов.Ниже проводится разработанная в соответствии с предлагаемым способом технология защиты р-гг-переходов полупроводниковых диодов ца примере дцметцлдихлорсцлана (СНз)51 С 1, состоящая из следующих операции:1) Очистка д онки в ректифцкационной колонкЯ, М 1546142) Приготовление 5% -ного раствора диметилдихлорсилана в безводном серном эфире.3) Травление и промывка р-п-переходов по обычной технологии, 4) Удаление с промытых р-и-переходов капель воды фильтрова,шной бумагой.5) Обработка р-гг-переходов свежеприготовленным 5%-ым раствором диметилдихлорсилана в серном эфире в течение 7 мин при слабом помешивании.6) Сушка...
Способ обработки поверхности полупроводниковыхприборов
Номер патента: 186032
Опубликовано: 01.01.1966
Автор: Институт
МПК: H01L 21/465
Метки: поверхности, полупроводниковыхприборов
...рабочего объема до 110 - 4 лтм рт. ст,Предлагаемый способ отличается от известных тем, что после воздействия фтористого водорода и последующего вакуумирования рабочего объема до 1 10 - 4 мм рт. ст. обрабатываемую поверхность подвергают воздеиствию кислорода при давлении порядка 1 мм рт, ст, Способ позволяет получить более стабильные и низкие значения обратных токов и увеличить коэффициент усиления по току.Сущность предлагаемого способа заключается в следующем. Полупроводниковые приборы после сборки на ножку, стандартного химического травления и промывки помещают в реактор из нержавеющей стали. В реакторе создают вакуум порядка 110 - 4 мм рт. ст. и подвергают воздействию газообразного фтористого водорода при давлении порядка 100 лм рт....
Способ матирования поверхности кварца
Номер патента: 263045
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Васина, Колмакова, Раснецова
МПК: H01L 21/465
Метки: кварца, матирования, поверхности
...при помощи плавиковой кислоты и щелочно-фтористых солей.Однако растворы, рекомендуемые для матирования стекла, непригодны для матирования кварца, ввиду неравномерности, точечности матирования и наличия большого числа непроматированных участков.Целью изобретения является получение стабильной равномерно матированной по всему полю поверхности с определенным классом чистоты, исключение образования микротрещин на матированной поверхности кварца, устрансние микрошумов и повышение порога чувствительности пленочных фот еских лучеприемников, увеличение д ных изделий,Сущность изобретения заключается в обработке подлежащей матированию поверхности кварца в смеси двух насыщенных растворов следующих составов:1-й раствор фторид аммония 120 г...
Травитель для снятия пленок титана
Номер патента: 391613
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: H01L 21/465
Метки: пленок, снятия, титана, травитель
...титана, содержащие сильные кислоты, либо смеси сильных кислот (серной, азотной, соляной; плавиковой и азотной), непригодны для такого стравливания, так как при этом траленку фоторезистора и слой, тем саазрушая полупроводниковые струкжатся следующие компоненты: ХН 10 - 15 г; ХН 4 Р - 1 - 1,5 г; НС 1 - 0,2 - О, л; Н,О - 90 - 100 мл; ТС - б 5 - 70.Травитель состава: аммоний хлористый - 5 10 г; аммоний фтористый - 1 г; соляная кислота - 0,2 мл; вода - 90 мл был опробован на приборах ГТ 328. Стравливали участки пленки титана толщиной 0,2 - 0,27 мкм при б 0 С+ 5 С в течение 1,5 - 2 мияПри трав ленни титана пленка фоторезиста не разрушалась и титан под резистом не подтравливался. Поверхность слоя окисла в местах травления титана чистая, без...
Раствор для избирательного травления пленок хрома
Номер патента: 397993
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Белевич, Кегелес, Колмаков, Колмакова, Раснецова
МПК: H01L 21/465
Метки: избирательного, пленок, раствор, травления, хрома
...копировального слоя, проявление, терНческ 251 обработка защитногорисунка, кими еское травление незащищеня ных 12 стков .розОНОЙ пленки, промывка нсушка, удаление фоторезистора.Пластну с хромовой пленкой, на которуюнанесен 32 щцтны 31 рисунок, погружаот В раствор для травлоши и выдерживают в нем до 25 полного стравливания хромовой пленки с незащищенных фоторезистом участков.В качестве фоторезцста 1 используютФП - ЗЗЗВ.Нижс да:1 ы сост 2 вы растворов для травлс- ЗО нця хромозой пленки:1 Кисло; а соляная 36 - 40%, мл 1000Иодистый натрий, г 100Двухлористое олово, г 40Время полного стравливания хромовой пленки толщиной 0,12 мкм составляет 1 мин 20 сек,толщиной 0,3 мкм - 4 мин 20 сек,2 Кислота соляная (36 - 40%), м,г 1000Иодистый калий, г...
415897
Номер патента: 415897
Опубликовано: 15.02.1974
МПК: H01L 21/465
Метки: 415897
...по крайней мере, на порядок по величине, а обычно в 200 - -10000 раз пс сравнению со скспостьтс травления во время выделения водорода. Поскольку скорость травления резко пдидет и визуалытю наблюдается т 1 оекраптение выделения водорс да имеется промежуток воемени тпорядка нескольких тдсавт. в течецие которого может бттть обнаружено прекратцецие выделения водоратд т в течение кстсвогс оставшийся полупроводник и-типа может быть удален из реактива прежде. чем нд материал тт-типа заметно подеиствует реактив,Нет необходимости в виз.д.иьнам обнаружении прекраптения выделения водорода и в ручном извлечении полупроводника из педк 1 ива для тттавления. Очевидца, что в реактив или вблизи него может быть помещен водо- родный детектор, с...
Состав для изготовления активного слоя порогового элемента
Номер патента: 425245
Опубликовано: 25.04.1974
Авторы: Верходанова, Заливина, Котенко, Кутолин, Шурман
МПК: H01L 21/465
Метки: активного, порогового, слоя, состав, элемента
...состояниях"кР =2.10 - 2.102Я нестабильностью порогового напряжения во времени (старение) активного слоя, малым рабочим током элементов в открытом состоянии (0,3 - 1 ма). 20Целью изобретения является увеличение соотношения сопротивлений порогового элемента в закрытом и открытом состояниях, уменьшение общего времени его переключения, увеличение рабочего тока и повышение стабиль ности порогового напряжения во времени.Для этого состав дополнительно содержит бор, а в качестве полупроводникового окисла использована пятиокись ванадия при следующем соотношении компонентов, вес. %: 30 Изобрет ние сопро крытом и уменьшит мента до бильность т. е. до з измерител бильность времени ( ение позволяет увеличить соотношетивлений порогового...
Травитель для пленок окиси железа
Номер патента: 427427
Опубликовано: 05.05.1974
Автор: Постовит
МПК: H01L 21/465
Метки: железа, окиси, пленок, травитель
...экспонируют и проявляют обычным способом. Травление производят в 1%-ном растворе Ге 504 в кон. центрированной соляной кислоте уд. веса 1,18.После вытравливания рельефа фотошаблона фоторезист удаляют в диоксане и тщательно промывают в дистиллированной воде,Травительнове концептотличающийсскорости травдимости рисудержит соли15 вес. %. для пленок орированнойя тем, что, сления и улучка при фотодвухваленатно иси железа на оссоляной кислоты, ,целью увеличения щения воспроизволитографии, ои сого железа от 1 до Изобретение относится к технологии изготовления фотошаблонов на напыленных пленках окиси железа.Известно, что пленки, формируемые реактивным катодным распылением в кислороде, 5 не,поддаются травлению в концентрированных кислотах при...
Травитель для пленок окислов сурьмы
Номер патента: 441615
Опубликовано: 30.08.1974
МПК: H01L 21/465
Метки: окислов, пленок, сурьмы, травитель
...относится кники и может быть испольлитографии и травлении динок окислов сурьмы, испольв технологии изготовления(ИС).Цель изоувеличениелов сурьмы.Цель достигается использлеция пленок окиси сурьмделах 40 в 1 С) смеси вилот при следу 5 ощем сооттов, вес. %:Винная кислота С 4 Н 60Серная кислота Н 2504Вода НОТравление, например, с истава, вес, %:С,Н 606Н 2504Н,О областиованолектричзуемых,интеграл исходит со скорои темпе электрори фотоских плеапример, ных схем бнарусмеси ЬЬОз ая пот этом невоздействия фии плено ровность к 0,5 мкм. стью окол жив аются на фоторе тол щинои лучаемого бретения - улуч скорости травл ие качества ц пленок окиседмет цзоорете 10 ованием для травы горячей (в иреной и серной кцсошении компонецкислов сурьмы на цной...
Раствор для матирования поверхности кварца
Номер патента: 458904
Опубликовано: 30.01.1975
Авторы: Васина, Колмакова, Раснецова
МПК: H01L 21/465
Метки: кварца, матирования, поверхности, раствор
...кварца с повышенным классом чистоты (10 - 12), увеличение выхода годных изделий по фотоэлектрическим т 1 араметрам, 30 Предлагаемыи раствор, не о я разрушительным действием на фоторе р, позволяет получить штрихи до 0,03 м беспечивает высокую однородность мат р иной поверхности.Раствор для матирования приготовляют дующим образом.Концентрированную (35 - 377 о-ную) соляную кислоту разбавляют водой в два раза и заливают в два сосуда (фторопластовые стаканы) по 100 - 120 мл. Небольшими порциями при помешивании в один сосуд добавляют 90 - 100 г фтористого калия и в другой 180 - 200 г фтористого аммония, далее содержимое обоих сосудов сливают, получая насыщенный раствор фторидов с большим количеством извести, равномерно распределенной по...
Травитель для растворения слоевсурьмяно-силикатного стекла и двуо-киси кремния
Номер патента: 508825
Опубликовано: 30.03.1976
Авторы: Преображенская, Фогель
МПК: H01L 21/465
Метки: двуо-киси, кремния, растворения, слоевсурьмяно-силикатного, стекла, травитель
...Н. Коляда Корректор Е. Хмелева Заказ 5192 Изд Лв Я 4 Тираж 963 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР но делам изобретений н открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5МОТ, Загорский филиал 3силикатного стекла и двуокиси кремния, содержащей воду и фтористоводородную кислоту, введен йодистый аммоний, а компоненты травителя взяты в следующем соотношении, моль/л:Фториотоводородная кислота 18,34 - 27,34 Вода (деионизованная) 0,06 - 11,11 Йодистый аммоний 0,03 - 9,00Травитель обеспечивает полное удаление слоев су 1 рьмяно-,силикатного, стекла и двуокиси к 1 ремния с поверхности кремния без возник 1 новения на последнем окрашенных пленок как при наличии обоих слоев, так ,и по отдельности,П р и м е р 1....
Травитель для выявления нарушения кристаллической структуры полированной поверхности кремния
Номер патента: 534835
Опубликовано: 05.11.1976
Авторы: Кулагин, Румак, Сергеев, Черных
МПК: H01L 21/465
Метки: выявления, кремния, кристаллической, нарушения, поверхности, полированной, структуры, травитель
...используют главным образомдля оценки дислокационной структуры монокристаллического кремния по фигурам травления и для химической полировки кремниевыхпластин с ориентацией 3 1 25 Недостатком травителя являются высокиескорости травления, что приводит к одновременному травлению всей поверхности кремниевых пластин и не позволяет выявлять дефекты предшествовавшей сгадийной механической обработки, а также нарушений кристаллической структуры поверхности кремниевойпластины, ориентированной параллельно плоскости (3.00 при внедрении акцепторных идонорных примесей в кремний,Целью изобретения является повышениеизбирательности к нарушениям кристаллической структуры поверхности кремниевой пластины, ориентированной параллельно...
Анизотропный травитель
Номер патента: 557434
Опубликовано: 05.05.1977
Авторы: Карантиров, Клюбина, Михайлов, Носков, Петров
МПК: H01L 21/465
Метки: анизотропный, травитель
...Т, Орловская Техред Г. Родак Корректор Н. Ковалева Заказ 866/62 Тираж 976 Подписное 11 НИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5филиал ППП "Патент, г, Ужгород, уд. Проектная, 4 2,5%-ного водного раствора гидроокиси калия, приливают 3,5 мл 30%-ного раствора перекиси водорода.Смесь нагревают в стакане, закрытом жщоохдаждаемой крышкой, до температуры б 8 ОС. Затем в нагретую смесь помещаютопаастины кремния КДБ,5 с ориентацией ,поверхности в плоскости (100) и с защитной маской из двуокиси кремния толщиной 0,8 мкм. Элементы защитной маски выпод иены в виде оконф прямоугодьной формы с размерами сторон 160 х 80 мкм, В течение 30 мин травления образуется...
Травитель для выявления дислокаций в монокристаллах твердых растворов ртуть-кадмий-теллур
Номер патента: 557435
Опубликовано: 05.05.1977
Авторы: Зданович, Кузнецова, Пухов, Соколов
МПК: H01L 21/465
Метки: выявления, дислокаций, монокристаллах, растворов, ртуть-кадмий-теллур, твердых, травитель
...Т. Орловская Техреп Г, Родак Е 1 рректэр Н. Ковалева Заказ 866/62 гираж 976 Подписное оНИИПИ Государственного комитета Совета Минхстрэв СССР пэ делам ьхзэбсетеххий ч эткрьгий 113035, Москва Ж, Раушская чаб. д. 4/5Филиал ППП фПхатент, г, Ужгорэд ул, Проектная, 4 в состав травителя дополнительно введена фтористоводородная кислота, а в качестве окислителя применен хромовый ангидрид, при этом компоненты взяты в следующем соотношении об.%): Ь50%-ный водный раствор хромового ангидрида 30-40соляная кислота 30-35 плавиковая кислота 30-35П р и м е р 1. Образцы, вырезанные 10 из кристалла С 4 Н, Те с переменным по длине составом (х=0,1-0,9), по плоскости 110) шлифуют микропорошком М, затсм химически полируют в 8%-ном растворе брома в НВР,...
Полирующий травитель для монокристаллов тройных твердых растворов ртутькадмий-теллур
Номер патента: 577589
Опубликовано: 25.10.1977
Авторы: Зданович, Пухов, Соколов
МПК: H01L 21/465
Метки: монокристаллов, полирующий, растворов, ртутькадмий-теллур, твердых, травитель, тройных
...ржит азотную , а компоненшении (об,%)30-40 30-35 ислот истоводородна 30-35мпонентов от уквь. кислотаОтклонение значензанных пределов приввврхности образцов. т к окислению поОбразны, вырезанные изйТ 6, шлифуют микропольно промывают водой Пример 1 кристаллов С 3 рошком М, и химически полир о,2 6 тшат Изобретение относится к обработке полупроводниковых материалов и может быть использовано как при исследовании выращенныхкристаллов, так и при изготовлении приборовиз этих кристаллов, в частности, тройных 5твердых растворов ртуть кадмийдтеллур,Известен полируюший травитель монокристаллов, представляюший собой 5 О/ ный раствор брома в метиловом спирте 1.Однако при полировании этим травителем Она поверхности образцов остаются трудноудалимые следы...
Селективный травитель для дийодида ртути
Номер патента: 928946
Опубликовано: 07.08.1983
Авторы: Залетин, Ножкина, Петрунина, Рагозина
МПК: H01L 21/465
Метки: дийодида, ртути, селективный, травитель
...соединений ртути. Это требует дополнительных мер беэопас " ности при. использовании и хранении травителя, что создает трудности в его применении и удорожает обработку кристаллов,Наиболее близким техническим решением к изобретению является селек тивный травитель для дииодида ртути,. включающий галогеносодержащий ком-.понент и воду Г 2 . Травйтель представляет собой 20-ный водный раствор КХ,Исследования селективной способ-.ности 20-ного водного раствора КЮпоказали, что скорость травления об,разцов Ндд 2 20-ным водным раство"ром иодистого калия составляет5,6 мкм/с, на протравленной поверхности образца остаются четко выявлен.ные дислокации в виде ямок травления,имеющие форму четырехугольников иразмеры 5"10 мкм.При использовании...