H01L 21/465 — обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление

Способ травления пластин для твердых выпрямителей и фотоэлементов

Загрузка...

Номер патента: 31516

Опубликовано: 31.08.1933

Авторы: Иванов, Росляев

МПК: H01L 21/465

Метки: выпрямителей, фотоэлементов, твердых, пластин, травления

...твердых или контактных фотоэлементов или, говоря иначе, для фотоэлементовзаградительным слоем, а также для контактных выпрямителей. Как известно, пластины подобных фотоэлементов и выпрямителей имеют слой проводника и полупроводника, например слой меди и закиси меди, при чем фотоэффект и выпрямительное действие, согласно теории, разработанной 5 сЬопку, происходят за счет границы между проводником и полупроводником.Трудность полученипокрытых слоем закиси я в том, что закись полусительно высокой темп а я медных пластин меди, заключаетс чается при отно ературе (порядк 900), при более же низкой температуре медь переходит в окись меди. Поэтому приходится прибегать к дополнительному удалению слоя меди, например, посредством травления, Для...

154614

Загрузка...

Номер патента: 154614

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: H01L 21/465

Метки: 154614

...и слабом помешивании с последующей сушкой под вакуумом (0 -.цл рт. ст,) при температуре 130 - -150 С в течение четырех часов.Ниже проводится разработанная в соответствии с предлагаемым способом технология защиты р-гг-переходов полупроводниковых диодов ца примере дцметцлдихлорсцлана (СНз)51 С 1, состоящая из следующих операции:1) Очистка д онки в ректифцкационной колонкЯ, М 1546142) Приготовление 5% -ного раствора диметилдихлорсилана в безводном серном эфире.3) Травление и промывка р-п-переходов по обычной технологии, 4) Удаление с промытых р-и-переходов капель воды фильтрова,шной бумагой.5) Обработка р-гг-переходов свежеприготовленным 5%-ым раствором диметилдихлорсилана в серном эфире в течение 7 мин при слабом помешивании.6) Сушка...

Способ обработки поверхности полупроводниковыхприборов

Загрузка...

Номер патента: 186032

Опубликовано: 01.01.1966

Автор: Институт

МПК: H01L 21/465

Метки: полупроводниковыхприборов, поверхности

...рабочего объема до 110 - 4 лтм рт. ст,Предлагаемый способ отличается от известных тем, что после воздействия фтористого водорода и последующего вакуумирования рабочего объема до 1 10 - 4 мм рт. ст. обрабатываемую поверхность подвергают воздеиствию кислорода при давлении порядка 1 мм рт, ст, Способ позволяет получить более стабильные и низкие значения обратных токов и увеличить коэффициент усиления по току.Сущность предлагаемого способа заключается в следующем. Полупроводниковые приборы после сборки на ножку, стандартного химического травления и промывки помещают в реактор из нержавеющей стали. В реакторе создают вакуум порядка 110 - 4 мм рт. ст. и подвергают воздействию газообразного фтористого водорода при давлении порядка 100 лм рт....

Способ матирования поверхности кварца

Загрузка...

Номер патента: 263045

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Раснецова, Колмакова, Васина

МПК: H01L 21/465

Метки: матирования, поверхности, кварца

...при помощи плавиковой кислоты и щелочно-фтористых солей.Однако растворы, рекомендуемые для матирования стекла, непригодны для матирования кварца, ввиду неравномерности, точечности матирования и наличия большого числа непроматированных участков.Целью изобретения является получение стабильной равномерно матированной по всему полю поверхности с определенным классом чистоты, исключение образования микротрещин на матированной поверхности кварца, устрансние микрошумов и повышение порога чувствительности пленочных фот еских лучеприемников, увеличение д ных изделий,Сущность изобретения заключается в обработке подлежащей матированию поверхности кварца в смеси двух насыщенных растворов следующих составов:1-й раствор фторид аммония 120 г...

Травитель для снятия пленок титана

Загрузка...

Номер патента: 391613

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H01L 21/465

Метки: снятия, пленок, травитель, титана

...титана, содержащие сильные кислоты, либо смеси сильных кислот (серной, азотной, соляной; плавиковой и азотной), непригодны для такого стравливания, так как при этом траленку фоторезистора и слой, тем саазрушая полупроводниковые струкжатся следующие компоненты: ХН 10 - 15 г; ХН 4 Р - 1 - 1,5 г; НС 1 - 0,2 - О, л; Н,О - 90 - 100 мл; ТС - б 5 - 70.Травитель состава: аммоний хлористый - 5 10 г; аммоний фтористый - 1 г; соляная кислота - 0,2 мл; вода - 90 мл был опробован на приборах ГТ 328. Стравливали участки пленки титана толщиной 0,2 - 0,27 мкм при б 0 С+ 5 С в течение 1,5 - 2 мияПри трав ленни титана пленка фоторезиста не разрушалась и титан под резистом не подтравливался. Поверхность слоя окисла в местах травления титана чистая, без...

Раствор для избирательного травления пленок хрома

Загрузка...

Номер патента: 397993

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Раснецова, Кегелес, Колмакова, Колмаков, Белевич

МПК: H01L 21/465

Метки: травления, избирательного, раствор, пленок, хрома

...копировального слоя, проявление, терНческ 251 обработка защитногорисунка, кими еское травление незащищеня ных 12 стков .розОНОЙ пленки, промывка нсушка, удаление фоторезистора.Пластну с хромовой пленкой, на которуюнанесен 32 щцтны 31 рисунок, погружаот В раствор для травлоши и выдерживают в нем до 25 полного стравливания хромовой пленки с незащищенных фоторезистом участков.В качестве фоторезцста 1 используютФП - ЗЗЗВ.Нижс да:1 ы сост 2 вы растворов для травлс- ЗО нця хромозой пленки:1 Кисло; а соляная 36 - 40%, мл 1000Иодистый натрий, г 100Двухлористое олово, г 40Время полного стравливания хромовой пленки толщиной 0,12 мкм составляет 1 мин 20 сек,толщиной 0,3 мкм - 4 мин 20 сек,2 Кислота соляная (36 - 40%), м,г 1000Иодистый калий, г...

415897

Загрузка...

Номер патента: 415897

Опубликовано: 15.02.1974

МПК: H01L 21/465

Метки: 415897

...по крайней мере, на порядок по величине, а обычно в 200 - -10000 раз пс сравнению со скспостьтс травления во время выделения водорода. Поскольку скорость травления резко пдидет и визуалытю наблюдается т 1 оекраптение выделения водорс да имеется промежуток воемени тпорядка нескольких тдсавт. в течецие которого может бттть обнаружено прекратцецие выделения водоратд т в течение кстсвогс оставшийся полупроводник и-типа может быть удален из реактива прежде. чем нд материал тт-типа заметно подеиствует реактив,Нет необходимости в виз.д.иьнам обнаружении прекраптения выделения водорода и в ручном извлечении полупроводника из педк 1 ива для тттавления. Очевидца, что в реактив или вблизи него может быть помещен водо- родный детектор, с...

Состав для изготовления активного слоя порогового элемента

Загрузка...

Номер патента: 425245

Опубликовано: 25.04.1974

Авторы: Котенко, Шурман, Верходанова, Кутолин, Заливина

МПК: H01L 21/465

Метки: элемента, слоя, состав, порогового, активного

...состояниях"кР =2.10 - 2.102Я нестабильностью порогового напряжения во времени (старение) активного слоя, малым рабочим током элементов в открытом состоянии (0,3 - 1 ма). 20Целью изобретения является увеличение соотношения сопротивлений порогового элемента в закрытом и открытом состояниях, уменьшение общего времени его переключения, увеличение рабочего тока и повышение стабиль ности порогового напряжения во времени.Для этого состав дополнительно содержит бор, а в качестве полупроводникового окисла использована пятиокись ванадия при следующем соотношении компонентов, вес. %: 30 Изобрет ние сопро крытом и уменьшит мента до бильность т. е. до з измерител бильность времени ( ение позволяет увеличить соотношетивлений порогового...

Травитель для пленок окиси железа

Загрузка...

Номер патента: 427427

Опубликовано: 05.05.1974

Автор: Постовит

МПК: H01L 21/465

Метки: окиси, травитель, пленок, железа

...экспонируют и проявляют обычным способом. Травление производят в 1%-ном растворе Ге 504 в кон. центрированной соляной кислоте уд. веса 1,18.После вытравливания рельефа фотошаблона фоторезист удаляют в диоксане и тщательно промывают в дистиллированной воде,Травительнове концептотличающийсскорости травдимости рисудержит соли15 вес. %. для пленок орированнойя тем, что, сления и улучка при фотодвухваленатно иси железа на оссоляной кислоты, ,целью увеличения щения воспроизволитографии, ои сого железа от 1 до Изобретение относится к технологии изготовления фотошаблонов на напыленных пленках окиси железа.Известно, что пленки, формируемые реактивным катодным распылением в кислороде, 5 не,поддаются травлению в концентрированных кислотах при...

Травитель для пленок окислов сурьмы

Загрузка...

Номер патента: 441615

Опубликовано: 30.08.1974

Авторы: Костюк, Торба

МПК: H01L 21/465

Метки: пленок, травитель, сурьмы, окислов

...относится кники и может быть испольлитографии и травлении динок окислов сурьмы, испольв технологии изготовления(ИС).Цель изоувеличениелов сурьмы.Цель достигается использлеция пленок окиси сурьмделах 40 в 1 С) смеси вилот при следу 5 ощем сооттов, вес. %:Винная кислота С 4 Н 60Серная кислота Н 2504Вода НОТравление, например, с истава, вес, %:С,Н 606Н 2504Н,О областиованолектричзуемых,интеграл исходит со скорои темпе электрори фотоских плеапример, ных схем бнарусмеси ЬЬОз ая пот этом невоздействия фии плено ровность к 0,5 мкм. стью окол жив аются на фоторе тол щинои лучаемого бретения - улуч скорости травл ие качества ц пленок окиседмет цзоорете 10 ованием для травы горячей (в иреной и серной кцсошении компонецкислов сурьмы на цной...

Раствор для матирования поверхности кварца

Загрузка...

Номер патента: 458904

Опубликовано: 30.01.1975

Авторы: Васина, Колмакова, Раснецова

МПК: H01L 21/465

Метки: раствор, матирования, кварца, поверхности

...кварца с повышенным классом чистоты (10 - 12), увеличение выхода годных изделий по фотоэлектрическим т 1 араметрам, 30 Предлагаемыи раствор, не о я разрушительным действием на фоторе р, позволяет получить штрихи до 0,03 м беспечивает высокую однородность мат р иной поверхности.Раствор для матирования приготовляют дующим образом.Концентрированную (35 - 377 о-ную) соляную кислоту разбавляют водой в два раза и заливают в два сосуда (фторопластовые стаканы) по 100 - 120 мл. Небольшими порциями при помешивании в один сосуд добавляют 90 - 100 г фтористого калия и в другой 180 - 200 г фтористого аммония, далее содержимое обоих сосудов сливают, получая насыщенный раствор фторидов с большим количеством извести, равномерно распределенной по...

Травитель для растворения слоевсурьмяно-силикатного стекла и двуо-киси кремния

Загрузка...

Номер патента: 508825

Опубликовано: 30.03.1976

Авторы: Преображенская, Фогель

МПК: H01L 21/465

Метки: кремния, слоевсурьмяно-силикатного, двуо-киси, стекла, травитель, растворения

...Н. Коляда Корректор Е. Хмелева Заказ 5192 Изд Лв Я 4 Тираж 963 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР но делам изобретений н открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5МОТ, Загорский филиал 3силикатного стекла и двуокиси кремния, содержащей воду и фтористоводородную кислоту, введен йодистый аммоний, а компоненты травителя взяты в следующем соотношении, моль/л:Фториотоводородная кислота 18,34 - 27,34 Вода (деионизованная) 0,06 - 11,11 Йодистый аммоний 0,03 - 9,00Травитель обеспечивает полное удаление слоев су 1 рьмяно-,силикатного, стекла и двуокиси к 1 ремния с поверхности кремния без возник 1 новения на последнем окрашенных пленок как при наличии обоих слоев, так ,и по отдельности,П р и м е р 1....

Травитель для выявления нарушения кристаллической структуры полированной поверхности кремния

Загрузка...

Номер патента: 534835

Опубликовано: 05.11.1976

Авторы: Кулагин, Сергеев, Румак, Черных

МПК: H01L 21/465

Метки: поверхности, кремния, выявления, травитель, нарушения, кристаллической, структуры, полированной

...используют главным образомдля оценки дислокационной структуры монокристаллического кремния по фигурам травления и для химической полировки кремниевыхпластин с ориентацией 3 1 25 Недостатком травителя являются высокиескорости травления, что приводит к одновременному травлению всей поверхности кремниевых пластин и не позволяет выявлять дефекты предшествовавшей сгадийной механической обработки, а также нарушений кристаллической структуры поверхности кремниевойпластины, ориентированной параллельно плоскости (3.00 при внедрении акцепторных идонорных примесей в кремний,Целью изобретения является повышениеизбирательности к нарушениям кристаллической структуры поверхности кремниевой пластины, ориентированной параллельно...

Анизотропный травитель

Загрузка...

Номер патента: 557434

Опубликовано: 05.05.1977

Авторы: Михайлов, Клюбина, Петров, Карантиров, Носков

МПК: H01L 21/465

Метки: травитель, анизотропный

...Т, Орловская Техред Г. Родак Корректор Н. Ковалева Заказ 866/62 Тираж 976 Подписное 11 НИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5филиал ППП "Патент, г, Ужгород, уд. Проектная, 4 2,5%-ного водного раствора гидроокиси калия, приливают 3,5 мл 30%-ного раствора перекиси водорода.Смесь нагревают в стакане, закрытом жщоохдаждаемой крышкой, до температуры б 8 ОС. Затем в нагретую смесь помещаютопаастины кремния КДБ,5 с ориентацией ,поверхности в плоскости (100) и с защитной маской из двуокиси кремния толщиной 0,8 мкм. Элементы защитной маски выпод иены в виде оконф прямоугодьной формы с размерами сторон 160 х 80 мкм, В течение 30 мин травления образуется...

Травитель для выявления дислокаций в монокристаллах твердых растворов ртуть-кадмий-теллур

Загрузка...

Номер патента: 557435

Опубликовано: 05.05.1977

Авторы: Зданович, Кузнецова, Соколов, Пухов

МПК: H01L 21/465

Метки: растворов, дислокаций, травитель, твердых, выявления, монокристаллах, ртуть-кадмий-теллур

...Т. Орловская Техреп Г, Родак Е 1 рректэр Н. Ковалева Заказ 866/62 гираж 976 Подписное оНИИПИ Государственного комитета Совета Минхстрэв СССР пэ делам ьхзэбсетеххий ч эткрьгий 113035, Москва Ж, Раушская чаб. д. 4/5Филиал ППП фПхатент, г, Ужгорэд ул, Проектная, 4 в состав травителя дополнительно введена фтористоводородная кислота, а в качестве окислителя применен хромовый ангидрид, при этом компоненты взяты в следующем соотношении об.%): Ь50%-ный водный раствор хромового ангидрида 30-40соляная кислота 30-35 плавиковая кислота 30-35П р и м е р 1. Образцы, вырезанные 10 из кристалла С 4 Н, Те с переменным по длине составом (х=0,1-0,9), по плоскости 110) шлифуют микропорошком М, затсм химически полируют в 8%-ном растворе брома в НВР,...

Полирующий травитель для монокристаллов тройных твердых растворов ртутькадмий-теллур

Загрузка...

Номер патента: 577589

Опубликовано: 25.10.1977

Авторы: Пухов, Соколов, Зданович

МПК: H01L 21/465

Метки: растворов, полирующий, твердых, ртутькадмий-теллур, монокристаллов, травитель, тройных

...ржит азотную , а компоненшении (об,%)30-40 30-35 ислот истоводородна 30-35мпонентов от уквь. кислотаОтклонение значензанных пределов приввврхности образцов. т к окислению поОбразны, вырезанные изйТ 6, шлифуют микропольно промывают водой Пример 1 кристаллов С 3 рошком М, и химически полир о,2 6 тшат Изобретение относится к обработке полупроводниковых материалов и может быть использовано как при исследовании выращенныхкристаллов, так и при изготовлении приборовиз этих кристаллов, в частности, тройных 5твердых растворов ртуть кадмийдтеллур,Известен полируюший травитель монокристаллов, представляюший собой 5 О/ ный раствор брома в метиловом спирте 1.Однако при полировании этим травителем Она поверхности образцов остаются трудноудалимые следы...

Селективный травитель для дийодида ртути

Загрузка...

Номер патента: 928946

Опубликовано: 07.08.1983

Авторы: Залетин, Ножкина, Рагозина, Петрунина

МПК: H01L 21/465

Метки: ртути, травитель, дийодида, селективный

...соединений ртути. Это требует дополнительных мер беэопас " ности при. использовании и хранении травителя, что создает трудности в его применении и удорожает обработку кристаллов,Наиболее близким техническим решением к изобретению является селек тивный травитель для дииодида ртути,. включающий галогеносодержащий ком-.понент и воду Г 2 . Травйтель представляет собой 20-ный водный раствор КХ,Исследования селективной способ-.ности 20-ного водного раствора КЮпоказали, что скорость травления об,разцов Ндд 2 20-ным водным раство"ром иодистого калия составляет5,6 мкм/с, на протравленной поверхности образца остаются четко выявлен.ные дислокации в виде ямок травления,имеющие форму четырехугольников иразмеры 5"10 мкм.При использовании...