Бесконтактный способ измерения электрофизических параметров полупроводниковых двухслойных структур
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(61) Зависимое от видетельств 26-25 г(51) М. К 1/2 Гасударственный намитеСовета Министров СССРпа делам изобретенийи открытий 53) УДК 621,382, 12. 74 Бюллния описания тень 75 публиков) Авторы изобретения Сур В. Матвеев т 1) Заявитель(54) БЕСКОНТАКТНЫЙ СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯЕКТРОФ ИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХДВУХСЛОЙНЫХ СТРУКТУР 1вестен бесконтактный способ(ельпого сопротивления полупрструктур вихревыми токами.ом нельзя одновременно измео параметров полупроводнико Из лер 5 позволяет электрически икцочать концентраторы последовательно пли параллельно. Концентраторы включены в цепь эт(члоп(- ного контура клемм 6 и 7. Импеданс контура измеряется при последовательном (,:(и параллельном соединении концентрагр в ц стандартном измерителе добротцосг и цл 1( мосте. Измеряемая структура д 1 ожог сме:- шаться плоско-параллельно относиг ельно плоскости концентраторов; Величина сл 1 ешения фиксируется на шкале 8, Средняя плоскосгь 9 между концентраторало 1 является плоскостью отсчета.Теоретический расчет импеданса двухких концентраторов электромагци гпоо поля в зав змер оводн Этим ия тх спо ть нех струколь У изобретени ух и более- одновременное изме араметров исследуемой ие структуры.Поставленная цельтому, что измеряют веструктуры, соответстви минимальным потеряпри синфазном и протиях осевой компонентынитного поля, затем рп игается бл агодаряия ичину смеше юшую максимм, последовате льным н офазном напр апряженности ределяют иско влепи мамый И плос параметр шения стСушно ется черОбраз казыва руктуры, сть предложе тежо м. тству инфаз соотО(при ясняго спосо в 1, 2,аторагполеесостоя ший из с такс помешаюми 3,4ными вбольшой Т МЕЖДУ СООСНЬэлектромагнит иде плоских спплотностью вит тми конце ного поля,гдем иральных к ков в центр е ум го зависимости от величины смеисимости от смешения структурычто величина смешения Кмаксюшая максимальным потерямном включении), равна:412 Ф 2 (2 бД+б 1 2452793 Составнтель 3 ЧениоковаКорректор Л,Ь з).о." редактор Г,Орловская Техред Н.Манеева Тираж ба одниспо каз 4 О о вета Мннис открытий я наб 4 ИИ 11 И Государственного комитетано делам изобретенийМосква, 113035, Раушс кая наб 24 59, Бврежв, Москва приятие сПате р и 11 в 2толщина слоя 1 и слоя2 соответственно.При противофазном включении величинаб, (6 1 ь+ь р что соответствует минимуму потерь. Зная величины смешения К , К , а также щмакс миндва исходных параметра структуры (например д и), можно рассчитать остальные2 ф 2параиетрйс 1 ирешением урввнений (11 1 1 Ь и (2). Предмет изобретения "Ьескойтактный спосоь- измерения элект- рофизических параметров полупроводниковых двухслойных структур путем воздействия на исследуемый образец электромагнитным полем,отличающийся тем,что, с целью одновременного измерения двух и более параметров, например толшины и удел 1- ного сопротивления, измеряют величину смешения структуры, соответствуюшую максимальным и минимальным потерям,последовательно при синфазном и противофазном направлениях осевой компоненты напряженности магнитного поля с последующим определю ,нием искомого параметра по зависимости от величины смешения структуры,
СмотретьЗаявка
1728690, 23.12.1971
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Х-5885
МАТВЕЕВ ВИТАЛИЙ ВИКТОРОВИЧ, СУРИН ЮРИЙ ВАСИЛЬЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01L 21/66
Метки: бесконтактный, двухслойных, параметров, полупроводниковых, структур, электрофизических
Опубликовано: 05.12.1974
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-452793-beskontaktnyjj-sposob-izmereniya-ehlektrofizicheskikh-parametrov-poluprovodnikovykh-dvukhslojjnykh-struktur.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Бесконтактный способ измерения электрофизических параметров полупроводниковых двухслойных структур</a>
Предыдущий патент: Способ измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводнике мдп-структуры
Следующий патент: Устройство для измерения магнитных полей
Случайный патент: Устройство для закалки деталей