H01L 21/3105 — последующая обработка

Номер патента: 232391

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Журавлев, Кольцов

МПК: H01L 21/3105

Метки: засветки, фоторезистов, экспозиции

...или азидов, свойственно сильное поглощение в области 2000 - 2500 сл-г, обусловленное валентными колебаниями СХз и СМз-групп. При облучении ультрафиолетовым или видимым светом, или обоими вместе эти материалы необратимо распадаются, давая продукты, не югегощие указанных функциональных групп в молекулах. В результате в этой же области спектра отсутствуст характерное для этих групп поглсцение. Определение времени исчезновения по.лосы поглощения в инфракрасном спектре в области 2000 - 2500 с,гг-г при облучении фо торезиста позволяет фиксировать экспозицигозасветки. Влагоприятным фактором являсгся прозрачность полупроводниковых материапов (германия, кремния и др.) в области поглощения С. и Слз-групп.10 П р и м ер. Определение экспозиции...

Номер патента: 354681

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Германска, Иностранец, Иностранное

МПК: H01L 21/3105

Метки: 354681

...10 ограничена линиями 21, 19, 22 и т, д.ОбРаботка подложки заключается в том,что электронно-вычислительная машина раз деляет изготавливаемую структуру 3 на зоныобработки так, что все тубусы работают почти одновременно. При этом на структуре д возникают перекрывающиеся области (заштрихованы крест накрест). редме пособ изготовлен омощьк, паприв лоскостных структур метода фотолитограИзобретение относится к электронной промышленности, в частности, к способу получения плоскостных структур на подложках из различных материалов.Известны способы получения полупроводниковых и других структур, в которых применяют устройства с координатными столами и световым лучом. Обработка световым лучом фоторезиста на подложках производится с помощью одного...

Номер патента: 447110

Опубликовано: 15.10.1974

Авторы: Глазков, Михневич, Никифоров, Хворостина

МПК: H01L 21/3105

Метки: изображений, линейных

...менее 1 - 2 мкм.С целью получения линейных изображений субмикронного размера по предлагаемому способу по окончании операции нанесения фоторезиста формируют один край линейного изооражеиия, после чего на протравленную поверхность наносят негативный фоторезистна который накладывают подложку поверхностью, имеющей слой с наружным отражением, и формируют второй край линейНа прозрачной подложке 1 с предварительно нанесенным тонким слоем маскирующей пленки 2 способом фотолитографии формируется один край 3 линейного изображения, после чего на ту ке поверхность подложки 1 наносят слой негативного фоторезиста 4, а затем накладывают подложку 5 с отражательным слоем 6, обращенным в сторону фоторезиста, Экспонирование производят через подложку 1,...

Номер патента: 1099776

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Бугай, Ткаченко, Ярандин

МПК: H01L 21/3105

Метки: маски, плазменного, травления, формирования, фоторезистивной

...д.ттель) тьГнтес(о)ГО дик:аГОТГОе: .. Г Г.зцстивной маски; з-а цскб р Н,Г," ПРОВЕДЕНИЯ ДОНОГНИТЕЛЬН т( СПР) :;нанесения заципого слоя па Б 1 С)нанесения втсрогс ело 1:тоар(:3 с -его экипопироватптя рояв.Генц исушки, реак гивно. о ионного тра;1 сБ 102 и слоя толе:ого фоторетц.т;,11 елью изобретения явгтяегс;5 сстНИЕ ТЕХНОЛОгтНЕСКОГО 1 ИК 51;.эгт,:ния фоторезстВпойт аски спрофил"м ооковых с тонок11(.,ГЬ д 3 С Т 1РТ.бе формиров анЯ фос р=3 и гив,ОКИ ДЛЯ ЫаЗМЕННОГО ттэаВНЕПГГ ".К,щем операции Янесэ 5 фо Орес:сна ;Од 110)(к у . сушкус нонн с: Гц."Гспроявлс.ние эо бра кс:.я о-ле,эо,;пения изобракения проводят театнО,5-5 мин плсз."еп:у",. обработку;к. -.рЕЗИСта В БЧ дОдНО с 1 Сто:Е .- :ной среде прц павлецп. 0-, .1 ОС ПВтудельной мощности О...

Номер патента: 1651697

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Корешков, Красницкий, Мамедов, Румак, Смаль, Турцевич

МПК: H01L 21/3105

Метки: мдп-интегральных, микросхем, структур

Способ изготовления структур МДП-интегральных микросхем, включающий формирование в кремниевой подложке охранных областей, создание слоя подзатворного окисла кремния, осаждение слоя кремния, легированного фосфором, при 550-580°C в реакторе при пониженном давлении, формирование на его основе затвора, создание истоковых и стоковых областей внедрением примеси и термообработкой при 800-10000°C, формирование межуровневого диэлектрика и металлизации, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и выхода годных МДП-интегральных микросхем путем повышения стабильности порогового напряжения, уменьшения токов утечки p-n-переходов, после осаждения слоя легированного фосфором кремния...