Патенты с меткой «металл-полупроводник»

Способ измерения сопротивления электрического контакта металл-полупроводник

Загрузка...

Номер патента: 443339

Опубликовано: 15.09.1974

Авторы: Овчаренко, Севостьянов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: контакта, металл-полупроводник, сопротивления, электрического

...спруктуры,Сущность предлатаемого способа заключается в следующем. При подаче на сток по 15 стоянного напряжения Р и на затвор постоянного напряжения Ро имеющего р - и-переход в прямом направлении (переключатель Вв положении 1), в цепи стока протекает ток201 о, а в цепи затвора - ток 1 о .1Ток затвора устанавливается так, что вы.,полняется условие 1 р, 7 а,. Напряжение настоке выбирается так, чтобы верхний и нижний р - и-переходы были смещены почти по5 всей длине и прямой ток затвора протекал через нижний р - и-переход преимущественнопод контактом истока,Направление преимущественното протека.ния тока затвора показано на чертеже стрел 30 кой с обозначением Уа443339 Предмет изобретения Отсюда Лзс -Л 1 о: о Составитель Т. Дозоров Редактор...

Способ измерения высоты потенциального барьера в переходах металл-полупроводник

Загрузка...

Номер патента: 530284

Опубликовано: 30.09.1976

Авторы: Божков, Куркан

МПК: H01L 21/66

Метки: барьера, высоты, металл-полупроводник, переходах, потенциального

...является 25 Известен способ измерения высоты потенциального барьера впроводник2 путем,составляюшей импедантеременном сигнале,обеспечивает высокуюЦелью изобретенияточности измерений.Поставленная цель достигается тем, чтоопределяют температурную зависимость напряжения инверсии реактивной составляюшейимпеданса перехода металл-полупроводникои экстраполируют ее к температуре 0 К,На чертеже изображена температурнаязависимость напряжения инверсии реактив,направлении. Составитель Б, НемцовКоляда Техред А. Демьянова Коррек угако едакто Заказ 5243/6431 ШИИПИ 29 (ого коми изобретен ква, ЖТираж 10 сударствен по делам3035, Мо Подписноета Совета Министи открытий Раушская наб д СССР илиал ППП Патент", г. Ужгород, ул, Проектна ной составляющей...

Способ определения тензоэлектрических характеристик структуры металл-полупроводник

Загрузка...

Номер патента: 1506400

Опубликовано: 07.09.1989

Авторы: Бондарь, Козеев

МПК: G01R 31/26

Метки: металл-полупроводник, структуры, тензоэлектрических, характеристик

...- с входом устройства 9 для измерения температуры, выход которого подключен к второму входу коммутатора 4. 20 Первый выход образца 5 электрически соединен с источником 10 питания, а второй выход - с входом нагрузочного сопротивления 11, выход которого соединен с входом усилителя 12. Выход усилителя. 12 подключен к входу детектора 13, выход которого соединен с третьим входом коммутатора 4, выход которого подключен к входу регистрирующего устройства 14 . Образец 5 30 оптически соединен с монохроматором 15, кроме того, к второму входу его подключено устройство 16 для определения параметров глубоких примесных центров, выход которого подключен к 35 четвертому входу коммутатора 4. Коммутатор 4 соединен с микро-ЭВМ 17.Сигнал...