H01L 23/367 — охлаждение, обусловленное формой прибора

Номер патента: 253931

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Корпус

МПК: H01L 23/367

Метки: полупроводникового, прибора

...структурные изменения, обусловленные переменными напряжениями, что приводит к усталостному разрушению паяного соединения после определенного числа циклов.Микроскопический анализ начальной, стадии разрушения и внешний вид разрушенных контактов свидетельствуют о том, что разрушение припоя начинается на периферии шва и развивается к его центру, постепенно сокращая площадь, через которую отводится тепло. Кон такт полностью нарушается при оплавленииучастка в середине шва, когда температура внутри прибора резко возрастает, Развитие процесса термической усталости можно затормозить, снизив напряжения среза иа перифе рии паяиого соединения, что возможно, еслиувеличить здесь толщ ну припоя. С целью снижения теплового сопротивленияприбора,...

Номер патента: 389363

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Косоротов

МПК: H01L 23/34, H01L 23/367

Метки: охлаждения, тепловыделяющей

Номер патента: 405144

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Зайцев

МПК: H01L 23/34, H01L 23/367

Метки: охлаждения

...образуется полость 4 за счет выступов б ца внутреннем чашеобразцом элементе.Полость 4 сообщена с тепловыми трубка. ми б, представляющими собой трубчатый корпус с ребрами 7, внутри которого помещен фитиль 8. Тепловые трубки располойе 11 ы по окружности.Пространство между тиристс рами 1 и ьцутренними чашеобразнымц элементами,3 заполнено изоляционным материалом 9,Тепловой и электрический контакт осущест. вляется сжатием всех элементов с по, ощьо шпилек 10 и гаек 11. Блок изолирован от шпилек изоляционными втулками 12. Управляю щие импульсы поступают ца управляют;цс электроды 18.Устройство расположено ца основании 1:/.1.1 апряжение к блоку подводится через контактные шпильки 15 и 1 б, причем всрхняя шпилька прикреплена к флаццу 17,В...

Номер патента: 414657

Опубликовано: 05.02.1974

МПК: H01L 23/34, H01L 23/367

Метки: 414657

...кожух 2 с разъемом по горизоц тали. Охладители 3 размещены отцосительпо оси машины по обеим сторонам фундаментной плиты 1 цепосредствеццо в зоне расположения вецтилирующих каналов 4 вращающегося выг;рямительцого устройства б и закреплены ца 25 лите 1 ца флаццах б. Благодаря последнему демоцтаж верхней половины кожуха 2 (этого достаточно, чтобы огкрыть доступ для переустановки вышедших из строя элементов устройства 5) осуществляется без снятия охлади- зо телей 3 и отсоединения их от питающей магистрали. Для улучшения аэродинамических свойств системы вецтиляциоццый кожух 2 в зоне вецтилирующих каналов 4 выполнен с двумя спиральными камералги (улитками) 7, соединенными с охладителями 3. При вращеции выпрямительцого устройства б нагретый...

Номер патента: 420056

Опубликовано: 15.03.1974

Авторы: Витченко, Смирнов, Фонд, Шалаев

МПК: H01L 23/367, H02K 19/36

Метки: бесщеточных, вращающееся, выпрямительное, генераторов

...из радиальных промежутков б и интенсивно отводит Спло как с 10 15 20 ВРАЩАЮЩЕЕСЯ ВЫПРЯ ДЛЯ БЕСЩЕТОЧНЬ сится к электрическим мак гснер а тора м с бестцезбуждения, в которых исоводниковые выпрямители, оторе машины и вращаюИзвестны вращающиеся выпрямительные устройства для бесщеточных генераторов, выполнеьиые в виде токосъемного диска с венти. лирующими отверстиями и жестко связанными с ним полупроводниковыми выпрямителями, установленными на радиаторах с ребрами. Радиаторы в таких устройствах охлаждаются потоком газа, создаваемым при вращении машины вентилирующими радиальными отверстиями диска, и расположены относительно отверстий так, что преобладающим потоком, охгакдающим радиаторы, является горизонтальный поток, скорость которого...

Номер патента: 429565

Опубликовано: 25.05.1974

Авторы: Ройзен, Рубин

МПК: H01L 23/367

Метки: испарительного, охлаждения

...расположенному с ней на одном уровне, а избыток - по переливному устрой ству 9 поступает в нижележащую секцию емкости и т, д. Число секций емкости равно числу модулей.Устройство работает следующим образом.Переливное устройство обеспечивает оди наковый уровень жидкости во всех модуляхи секциях. Для предотвращения поступления пара в конденсатор через подпитывающую емкость нижние концы переливных устройств опущены под слой жидкости нижележащей 25 секции емкости, в результате чего создаетсягидравлический затвор. Для устойчивой работы охладителей паровой коллектор 5 связан с паровым пространством соответсгвующей секции емкости, Конденсатор через гру бу 10 сообщается с атмосферой, что позволяет поддерживать постоянное давление (практически...

Номер патента: 436408

Опубликовано: 15.07.1974

Авторы: Войцехов, Черн

МПК: H01L 23/367

Метки: радиатор

...их основных параметров таких, как коэффициент усиления, обратное сопротивление р-и-переходов и т, д., что отрицательно оказывается на работе аппаратуры на полупроводниковых элементах.1 436408 ных охлаждающих расутствие температурной тепловьоделяющих элеа, находящегося в непосредконтакте с охлаждаемым проходит,капнллярный каного канала 4 соеди ы охлаждения 1, а выхо ожегин у выходного конц убка 6.. Шубина дакт Тираж 760овета Миниоткрытийаб., д. 4/5 Изд.1827сударственного комитета С по делам изобретений и Москва, 5 К, Раушскан н Заказ 3304/9ЦНИИПИ Г ПодписноеСССР пография, пр. Сапунова, 2 Г 1 ринцип действия предложенного устройства состоит в следующем.Охлаждающий воздух, поступает в патрубок системы охлаждения и выходящая из него струя...

Номер патента: 1118242

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Вальд-Перлов, Сибирцев

МПК: H01L 23/367

Метки: многоэлементный, полупроводниковый, свч-прибор

МНОГОЭЛЕМЕНТНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ СВЧ-ПРИБОР, состоящий из по крайней мере трех одинаковых диодных структур на основе широкозонного материала, преимущественно арсенида галлия, непосредственно контактирующих по плоскости перехода с металлическим теплоотводом и соединенных межэлементными соединениями, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных и повышения надежности работы прибора, диодные структуры расположены в углублениях в теле теплоотвода в форме цилиндра или усеченного конуса, боковые поверхности диодных структур непосредственно контактируют с теплоотводом, переходы изолированы по периферии от теплоотвода полуизолирующими слоями из того же широкозонного материала, а поверхность теплоотвода покрыта слоем...