H01L 27/00 — Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее

Номер патента: 205155

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Вычислительной, Гертман, Шипов

МПК: H01L 27/00

Метки: гибридных, пленочных, подложка, схем

...например из стекла, снабженные токопроводящими выводами, установленными заподлицо с поверхностью подложки, характеризуются невысокой механической прочностью и не обеспечивают вакуумную герметизацию микросхемы.В описываемой подложке для пленочных гибридных схем одновременное использование подложки в качестве корпуса, а также повышение механической прочности и обеспечение вакуумной герметизации микросхемы достигнуто размещением указанной подложки в корытообразном металлическом основании, образующем корпус-подложку посредством спая стекла с металлом,Конструкция описываемой подложки приведена на чертеже.Как видно из чертежа, стеклянная подложка 1 образует спай с металлическим тонкостенным корытообразным основанием 2. Расположенные по...

Номер патента: 256091

Опубликовано: 01.01.1969

МПК: H01L 27/00

Метки: 256091

...этих приборов.По основному авт. св.133531 известна паркетная сетка для электронных и ионных приборов, но эта сетка при малых междуэлектродных расстояниях и больших площадях поверхности катода не обеспечивает эффективного управления электронным потоком.Предложенная сетка отличается тем, что в каждую ячейку вводят одну или несколько перемычек, расположенных параллельно большей,стороне ячейки, причем сечение перемычек меньше сечения прутков, образующих ячейку.Такая конструкция сетки обеспечивает эффективное управление электронным потоком и увеличивает однородность структуры в,плоскости, параллельной катоду. В каждую ячейку 1 сетки вка 2 параллельно большей с 5 причем сечение перемычкипрутков 4, образующих ячейк 10 Плоская сетка для...

Номер патента: 320862

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Непокойчицкий

МПК: H01L 21/02, H01L 27/00

Метки: всесоюзная, г-шбтисг, мшш4х

...го токов путем установл окисла металла двух эл приложено напряжение,что, с целью получения такта любой произволь 20 электродов перемещают ла под защитным слоемпрово метал оянно ения ектро отлич элект ной ф по по жидко дящих металлилов в зоне элеК- о и переменнона поверхности дов, к которым аюи 1 ийся те М,рического коцормы, один нзверхности окиссти. Изобретение относится к области электрбтехнической промышленности и может быть применено для нанесения электродов на полупроводники, представляющие собой окислы металлов.Известен, способ нанесения токопроводящих слоев на полупроводники, заключающийся в проведении единичного электрического разряда с целью вжигания материала электрода. Этим способом можно получать только точечные электрические...

Номер патента: 339070

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Германска, Иностранец, Иностранное

МПК: H01L 27/00

Метки: интегральная, микросхема

...значительноувеличивает общее число годных функциональных областей. Для изготовления этой интегральной схемы используются только известные технологические операции, Кроме того,15 используются обе годные функциональные области одного элемента пластины прп монтажев один общий корпус. ипя,Предмет изо Иц микполупроводниковойтем, что, с целью повгодных микросхем, фразмещены на обеихпротив друга,Изобретение относится к,полупроводниковой технике и может быть использовано для изготовления интегральных схем различного назначения.Известны интегральные твердые схемы, выполненные с обеих сторон полупроводниковой пластины, причем каждая функциональная область с одной стороны пластины находится между двумя функциональными областями с другой стороны....

Номер патента: 361487

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Гаврилкин

МПК: H01L 27/00

Метки: подложка, полупроводниковая

...как в отраженном видимом свете, так и в проходящих лучах для ближней ИК - области спектра. Однако он изменяет положение своих фотометрических осей при несимметричном заполнении его профиля различными веществами, например фоторезистом, в процессе технологических операций изготовления интегральных схем.Стабильность фотометрической осн глубинного реперного знака достигается благодаря тому, что канавка заполняется химически неактивным материалом полупроводниковой подложки веществом 4 и значительно отличающимся оптическими свойствами как для видимого света, так и для ИК - области спектра. Таким требованиям удовлетворяет ситалл, который совершенно непрозрачен в ИК - области спектра и обладает диффузным отражением для видимой области,...

Номер патента: 369635

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Безруков, Бутузов, Вител, Ворожейкин, Лаптев, Никитин, Самойлович, Фотченков

МПК: H01C 7/06, H01L 27/00

Метки: 369635

...токопленка 3 (толщиной от десятыхскольких десятков микрон),образом, предлагаемый резисторрезистором объемно-поверхностзначение сопротивления коопределяется выражением дляьно соединенных сопротивленийЛ Ла ЮпаФЙа + Йпа тал- про- дояв- ого де Яа - омическое Япл - омическое опротивление алмаза; опротивление пленки При повышпротивления+Ыпл ( Лтивления полратурой имеюки. Следоватводниковоготивление иизменения тоНа макетнленных из сиполучены элепературный2 - 3% в имаксимальна ый объе монокрищую пленслужит за, леги талла сн ми 2, Д няться р б аз 3 На чертеже показан предлагаемиый резистор.Резистор содержит тугоплавкийсталл 1, электроды 2 и токопроводку 3.Основным элементом резисторанокристалл 1 синтетического алмаванный бором. Рабочие...

Номер патента: 274839

Опубликовано: 15.07.1974

Авторы: Думаневич, Молибог, Челноков, Шмелев, Якивчик

МПК: H01L 27/00

Метки: многослойная

...рабочей частоты слс;Овация импульсов тока, я та 1(же искл 10- чсцпя искрения и эрозии поверхности цлчИзвестна многослойная структура полуп 1)ОВОдппкОВОГО прибора, содержащая 11 с мсцсс четырех слоев, чередующихся цо типу проводимости, и выход по крайней мере от одной из базовых областей, к которому примыкает слой эмиттерцой области, свободной от омического контакта.Цсль изООретспия - создяцис копстрмкии, кОГОРЯ 51 позВОл 51 сГ Умецп 1 иь ВРС.51;Я винного роста тока цри вклк)чсции тцристоря, я с(сдОГ 1(1 тсл 1 ИО, ускорить рост яцОДИОГЙ тока и узспьшить цсрсгрсв вклк)чсццой зоПредлагаемая структура отличается тем, что ца свободной от омического контакта части эмипсра имеется участок с улучшенным отводом тепла, отделенный от...

Номер патента: 327884

Опубликовано: 25.10.1974

Авторы: Бабенко, Боева, Виолин, Водаков, Иванова, Кмита, Круглов, Ломакина, Новиков, Павличенко, Рыжиков, Холуянов

МПК: H01L 27/00, H01L 33/00

Метки: 327884

...превышает 5 по крайней мерв в 10 раз сопротивление этого слоя по нормали к переходу.На чертеже изображен многоэлементный индикатор на карбиде кремния еВ пластине 1 карбида кремния,легированной азотом, формируют дввобласти: высокоомную р-область 2толщиной,напримвре Ое 2-Ов 5 мкм и 25 1 слаболегйрованную компенсированнуюсоставитель ЯЛОпешкин Редакгор 1 ЛарИНа ехред Н.СЕг 1 ИНЭ Корректор И Л 6 НИйа11 одиигиое зааз Дг/ над 11 з г о 1 Тираж 1) 1111111111 Государствеииого комитета Совета Мииисгров СССР ио делам изобретений и открытий Москва, 113035, Раушская иаб., 4 Предприятие Патеит, Москва, Г.59, 1 ережковская иаб., 24 область 5 толщиной не более 0,5- 1,2 мкм. Со стороны р-области вышлифовывают ступеньку Ф на глубину порядка 10-15...

Номер патента: 470237

Опубликовано: 05.07.1977

Авторы: Поляков, Тромбовецкий

МПК: H01L 27/00

Метки: интегральная, схема

...воспроизводимость электрофиэических характеристик области пересечения достигается при размере зерен поликристаллического кремния в ней от 100 до 10000 АНа чертеже показан участмы с разрезом по А-А, соделожку 1 из поликрпсталличес Я с удельным сопротивлением около 2,10 омсм, размером зерен до 1 мки преимушественной ориентацией зерен в кристаллографической плоскости ( 1 10);углубления 2 в подложке 1, заполненные монокристаллическим кремйием с удельным сопротивлением 1 омсм и ориентацией в кристаллографической плоскости (111), изолированные слоем двуокиси кремния 3 толшиной 2 мкм; область 4 П -типа про водимости, созданной методом локальной диффузии примесей в поликристаллическом 10 кремнии подложки 1, и обладающей концентраВОцией...

Номер патента: 426602

Опубликовано: 05.07.1977

Авторы: Казанов, Сазанов

МПК: H01L 27/00

Метки: изоляции, интегральной, схемы, элементов

...кремния; исключит" образование кристаллитов на незащищенныхокислом участках поверхности монокристаллической подножки. Выполнение этих условийсущественно ограничивает технологические воз.можности, затрудняет получение воспроизводимыхрезультатов и отрицательно влияет на качествоизоляции, что снижает процент выхода годныхинтегральных схем и, соответственно, увеличиваетих себестоимость,Цель изобретения . повышение воспроизводимости параметров приборов,Цель достигается тем, что по предлагаемомуспособу на поверхности оклсной пленки до выращивания слоя кремния создают промежуточныйслой из тугоплавкого материала, температураобразования эвтектики которого с кремнием нижете мпературы энитаксиальноговыращиваниякремния. Для создания...

Номер патента: 571155

Опубликовано: 25.05.1978

Авторы: Казеннов, Кремлев, Стороженко

МПК: H01L 27/00

Метки: интегральная, схема

...диффуэионная область 8+ц - типа проводимости. В подложке 1 тыже расголожены области 9-12, имеющией - тип проводимости, причем области 9-12частично примыкают ко всем диффузионным Ообластям 2-7 р-типа проводимости. Все диффузионные области, за исключением области .7 имеют омические контакты, условно показвнные на чертеже пунктиром и штриховкой. Упомянутые контакты к областям 3-6служат. входами иите 1 ральной схеьы, контакт к области 8 - выходом, а контакты кобластям 2 и 12 - соответственно для подклсчения плюсовой и земляной шин источника питания схемы, Области 9 и 10используются для подавлении параэитноготранзисторного взаимодействия между областими 3 и 5 и областями 4 и 6 соответственно. Высоколегированные области 11 и 12и -...

Номер патента: 602055

Опубликовано: 15.01.1979

Авторы: Кокив, Кремлев, Назарьян

МПК: H01L 27/00

Метки: интегральный, логический, элемент

...носителями заряда. Эти носители заряда коллектируются затворнымиобластями 6 и 7.В зависимости от напряжения на входах1 и 11 логический элемент может находитьОся в одном из следующих состояций.Если на обоих входах приложено низкоенапряжение, близкое к потенциалу земли",то коллектировднные переходами областей6 и 7 носители заряда стекают на "землю,При этом электрод "выход не имеет гальванической связи с электродом "земля", иесли гальванический элемент нагружен цааналогичный, то на выходе области 5 будает высокое напряжение, равное напряжени 1 о 5 Ооптирования перехода между областями б,7 и подложкой. Нарушение упомянутой гальваническойсвязи происходит вследствие перекрытияучастка подложки, расположенного междуэлектродами...

Номер патента: 519102

Опубликовано: 30.01.1979

Авторы: Ержанов, Кремлев, Лебедев

МПК: H01L 27/00

Метки: инвертор, интегральный

...р - и - р-транзистора (фиг. 1) подключается к положительному полюсу источника тока питания, базовая область 2 заземляется, Заземляется и отрицательный полюс источника тока питания. Электрод б (вход инвертора) подключается к источнику входного сигнала, электрод 7 (выход инвертора) - ,к цепи нагрузки. Обозначим логическим 0 состояние замыкания данного электрода на землю (низкий положительный потенциал 0 - 0,1 В), логической 1 - состояние отсутствия замыкания данного электрода на землю (высокий положительный потенциал, равный прямому падению напряжения на р - л-переходе, т. е.0,5 - 0,7 В для кремниевого прибора).При подаче сигнала логического 0 на электрод б (вход прибора) на затворной области 3 вертикального переключательного...

Номер патента: 602056

Опубликовано: 30.01.1979

Авторы: Кокин, Кремлев, Лубашевский, Назарьян

МПК: H01L 27/00

Метки: инвертор, интегральный

...транзисторы имеют каналы 9 и 10 соответственно. 5Инвертор работает следующим образом. К электроду б прикладывается положительное напряжение, величина которого может составлять несколько десятков долей вольта. При этом если электрод б заземлен, то ток источника питания (на чертеже не показан) протекает через сток нагрузочного полевого транзистора к электроду 8. В этом режиме затвор переключательного транзистора находится под потенциалом, 15 равным потенциалу земли и, следовательно, канал 10 переключательного транзистор а перекрыт слоем объемного заряда, При этом переключательный транзистор закрыт для токов по цепи исток 2 - сток 3, 20 Если на электроде б имеется положительный потенциал (или электрод б оборван), то ток...

Номер патента: 667173

Опубликовано: 05.06.1979

Автор: Уолтер

МПК: H01L 27/00

Метки: аналоговая, задержки, линия

...напряжения 10, общую шину 11, шину выходного сигнала 12, каскад-инжектор 13.устройство работает следующим образом.Входная информация в виде заряда поступает на исток первого МдП-транзистора первого звена линии задержки и стекает в потенциальную яму, возникающую под затвором первого МДП-транзистора первого звена, на затвор которого подается импульсное напряжение с первой шины синхрониэирующих импульсов,Пративофазное импульсное напряжение, поступающее на затвор второго667173 Наличие заряда в потенциальных ямах под затворами первого и второго транзисторов каждого звена обусловливает отпирающий потенциал на затворах третьего и четвертого транзисторов, 10 пропорциональный заряду. Потенциалы затворов третьего и четвертого транзйсторов...

Номер патента: 401275

Опубликовано: 05.06.1979

Автор: Гуляев

МПК: H01L 27/00

Метки: радиосигналов, усилитель

...длины волны звука Я , тог Я Ыз, (7)д пдогде численный множитель Х порядка 15 единицы и определяется конкретной геометрией контактов, Кроме того, всегда можно написатьй = --о аК 20 где И, - положительный фактор размерности длины, также определяемый геометрией контактов.Если (дК Йо,то амплитуды переменной составляющей тока через на грузочное сопротивление и переменного напряжения на нем Коэффициент усиления ЗИТ по мощности в децибелах соответственноГ = ЮОЕКр, (14) Формулы (13) и (14,) решают поставленную задачу в общем виде. Максимиэируя выражейие для)(рпо отношению к параметрам коллекторной цепи, легко увидеть,что последний множитель в формуле (1 З достигает максимума приЯ = - ф2 м ко (15) и Равен 27 В Ь 0,103 Я, . Под 256ставляя это в...

Номер патента: 587808

Опубликовано: 07.08.1981

Авторы: Ержанов, Кремлев, Стороженко, Щетинин

МПК: H01L 27/00

Метки: интегральная, схема

...5, являющимся выходнымэлектродом схемы; дополнительныеинжектнрующие области 6 п-типа проводимостй, расположенные междуобластями 2 и 3 и имеющие диодныеструктуры (диоды Шоттки), анодамикоторых являются входные (например,алюминиевые), электроды 7, катодами - области б. Периферия областейБ для улучшения их инжектирующихсвойств может быть более легированной,чем участки, на которых размещены Одиодные структуры, например легированной в одном диффузионном процессес областью 2, Диодные структуры,образованные электродами 7 и областямн б, характеризуются малым (по 15сравнению с р-п-переходами) прямымпадением напряжения.Предложенная интегральная схемаработает следующим образом.Области 1 и 2 через контактные 2 Оэлектроды подключаются...

Номер патента: 1749954

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Сидоров, Соха

МПК: H01L 23/48, H01L 25/00, H01L 27/00 ...

Метки: микросхема

...на расстояние не менее 0,1 мм ат термоизолированной платы обеспечивает тепловое сопротивление более 4 50000 к/Вт, что практически не оказывает шунтирующега теплового воздействия на термоизолированную плату 1.Микросхема совместима с гибридной технологией, поэтому с точки зрения технико-эканамической целесообразности возможен вариант реализации всей алектаической схемы в виде гибридной интегральной схемы, компоненты катоаай, реализующие вторичный преобразователь, размещены вне линии обрыва на фиг.1 и 2 на общей, например, паликаравой изотермической плате 9, Расстояниеопределяется из соотношения где Л - теплоправодность диэлектрической платы 8;Я - площадь поперечного сечения диэлектрической платы 8, в направлении рассматриваемого...

Номер патента: 1099703

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Белов, Зубкова, Кузнецов, Лихтман, Родионов, Сейдман, Харин

МПК: G01D 15/10, H01L 27/00

Метки: головки, орган, рабочий, термопечатающей

...сс)ггс Г- Рг 31 ОГтИ ГУСС с гыт;сс с Псс)КДЯ ПОДЛККс) ОЬпсс Дс) Г ВЫСОКй г 8 ДН)цеской проц,остью, оое;псчивд:;т ВьС 03:уоДДГЕЗИ 10 ОГДЖЦВНУг.,)г С У)с)св;3 ДСВЭ 30 0 гОКРЫТИЛ г ГгМО 111,С) ГГсЛ, 08115 1 (РОО, Г,СОГПДСуЕТСс ПО ТЕ 4)Ордт/р,РМ,г Гос,)г.И цс 8)ГУ )ДСВИЭЕ 31 С МД) сРИ.)ЛОГ) П;)КРЫ Л,ПОМИМО ЭТОГО Сг)ТДЛЛ Обл ЗД)01О.)Пгдгс 1)гдВОДНОСТЬЮ, ОГ)ТИМДПЬНОЙ С С)с 3 К3,)С 1 Я Эг)сфективнссГ) и сыст)с)дс,с(3183151 У 31Егс) сКОЗф(с 1)ЦИЕ 13 -гСПЛОГГгО) 31 Г ТиКД 1/С 11 Г:;ЭДД, цТО Р .:)дд рдЗД ВЬ 113)сд, 1 г;гСТЕКЛс 1, и В ПЯТЬ Р;13 НИ;,(Е, ЧЕМК;:, )ДУс 1 ИКцЭГО ПОЗВОЛЕЭ ОООЙТИСЬ бсЗ Кдс;)Х Ли; СоеЦИДЛЬ)1 ЬУК 101(ЭЫ)ИЙ 11 ОДЛО с(Кс. Г. .г;".,5381" 1;НО сниз 3 В трудоемкость 1 Эгэтов;)е".353Эдбо 18 ГО огР Дцс 1П , . Т)г) 1 г)( ТЬс Г"...

Номер патента: 2003205

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Егоров, Питулин

МПК: H01L 27/00

Метки: выводов, контактными, площадками, свч-элементов, соединение

...выполняют с зазором между витками и предварительно залуживают в местах соприкосновения с выводом и контактной площадкой, а пайку производят общим нагревом,Сущность предлагаемого способа опреде яется совокупностью механических и электрических свойств круглого одиночного витка спирали, как одного из М элементов промежуточного электрического монтажа. Выбранная геометрия элемента допускает смещение соединяемых поверхностей во всех трех плоскостях изменением формы витка без растяжения проволоки, т.к. разрушающие механические усилия в точках пайки отсутствуют,Активное и реактивное сопротивления соединения уменьшаются приблизительно в Й раз по сравнению с одиночным витком, поэтому выбором диаметра и шага спирали эти величины могут быть...

Номер патента: 2003206

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Лифшиц

МПК: H01L 27/00

Метки: затворами, кмоп-интегральная, поликремниевыми, схема

...области подложки и кармана иметаллические шины истоков, параллельные шинам питания,На фиг.1 приведена электрическая схема О-триггера, на примере которой рассматриваются различные конструкции ИС; на фиг.2 - конструкция ИС О-триггера по прототипу, в которой металлические шины питания и межсоединений элементов размещены непосредственно над МОП транзисторами, на фиг.З - та же, в которой ширина МОП транзисторов сделана минимально возможной с целью минимизации тока потребления, шины питания размещены по обе стороны параллельно рядам транзисторов, а межсоединения вдоль рядов транзисторов выполнены с использованием поликремниевых "подныров" под шинами питания; на фиг.4 - та же, в которой ширина транзисторов сделана минимальной. э питание к...

Номер патента: 997580

Опубликовано: 10.05.1999

Авторы: Гурин, Гурина

МПК: H01L 27/00, H04N 3/18

Метки: нейроскоп

Нейроскоп, строки которого выполнены в виде нейристорной линии, содержащей полупроводниковые элементы с отрицательным дифференциальным сопротивлением, электролюминесцентный слой со светопроницаемым электродом и фоточувствительный слой, между которыми расположены островковые прослойки, проводящую подложку и общий электрод, отличающийся тем, что, с целью стабилизации скорости сканирования, дополнительно сформированы основные и дополнительные матричные электроды, расположенные между фоточувствительным слоем и емкостным нагрузочным слоем, размещенным на проводящей подложке, при этом общий электрод расположен на электролюминесцентном слое и под ним размещены основные островковые светопроницаемые...