Водаков

Номер патента: 913762

Опубликовано: 20.11.1996

Авторы: Водаков, Мохов

МПК: C30B 23/02, C30B 29/36

Метки: выращивания, карбида, кремния, политипа, эпитаксиального

1. Способ эпитаксиального выращивания карбида кремния политипа 4Н путем пересублимации исходного материала на монокристаллическую подложку карбида кремния в присутствии паров вещества, трансформирующего ее в политип 4Н, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных кристаллов, их совершенства и чистоты, в качестве трансформирующего вещества используют олово, или свинец, или германий, или их смесь.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью уменьшения толщины переходного слоя, пересублимацию ведут со скоростью нагрева исходного материала 100 1000oС/мин.3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что, с целью легирования кристаллов, пересублимацию ведут в присутствии паров легирующего вещества из ряда:...

Номер патента: 1136501

Опубликовано: 20.11.1996

Авторы: Водаков, Мохов, Роенков

МПК: C30B 25/02, C30B 29/40

Метки: выращивания, газовой, галлия, нитрида, фазы, эпитаксиального

Способ эпитаксиального выращивания нитрида галлия из газовой фазы, включающий пропускание потока аммиака над источником металлического галлия и осаждение слоев на подложки, отличающийся тем, что, с целью увеличения толщины слоев, источник галлия располагают напротив подложек на расстоянии 2 5 мм, поток аммиака пропускают между ними со скоростью 25 50 л/ч и осаждение ведут при температуре 1170 1270oС и температуре источника на 10 50oС выше этой температуры.

Номер патента: 882247

Опубликовано: 20.11.1996

Авторы: Водаков, Мохов, Рамм, Роенков

МПК: C30B 23/00, C30B 29/36

Метки: выращивания, монокристаллического

Способ выращивания монокристаллического SiC, включающий сублимацию источника SiC, размещенного в тигле, на подложку SiC при 1600 2000oС, отличающийся тем, что, с целью снижения плотности дефектов типа пор, дислокаций и включений второй фазы и увеличения объема кристаллов, сублимацию ведут в присутствии Та, взятого в количестве 1% от веса источника.

Номер патента: 1398484

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Водаков, Мохов, Рамм, Роенков

МПК: C30B 23/02, C30B 29/36

Метки: карбида, кремния, слоев

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЕВ КАРБИДА КРЕМНИЯ путем конденсации паров источника на подложку карбида кремния в инертной атмосфере при температуре выше 1800oС и температурном градиенте, перпендикулярно поверхности подложки, отличающийся тем, что, с целью повышения морфологического и структурного совершенства слоев, конденсацию паров ведут на подложку с одной или несколькими выступающими квадратными площадками высотой 5 - 200 мкм, площадью 0,01 - 1,0 мм2 при дополнительном радиальном температурном градиенте 10 - 50 град/см, скорости роста не более 100 мкм/ч в течение не менее 10 мин.

Номер патента: 1632278

Опубликовано: 15.10.1994

Авторы: Веренчикова, Водаков, Гирка, Мокрушин, Мохов, Роенков, Свирида, Шишкин

МПК: H01L 21/263

Метки: светодиодных, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕТОДИОДНЫХ СТРУКТУР путем эпитаксиального наращивания на подложку SiC слоя SiC n-типа проводимости, на слой SiC n-типа проводимости слоя SiC p-типа проводимости, облучения и отжига, отличающийся тем, что, с целью обеспечения воспроизводимости параметров, облучение проводят электронами с энергией 2 - 5 МэВ дозой 1018 - 5 1018 см-2 при температуре 30 - 500oС, а отжиг проводят при температуре 1700 - 1800oС.

Номер патента: 1753885

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Водаков, Мохов, Роенков

МПК: H01L 21/205

Метки: излучающих, области, светодиодов, спектра, фиолетовой

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕТОДИОДОВ, ИЗЛУЧАЮЩИХ В ФИОЛЕТОВОЙ ОБЛАСТИ СПЕКТРА, включающий эпитаксиальное наращивание в среде инертного газа на подложке карбида кремния слоя SiC n-типа проводимости, легированного азотом с концентрацией (2 - 10) 1018 см-3, слоя SiC p-типа проводимости, легированного алюминием, и нанесение омических контактов, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения способа за счет возможности использования подложки карбида кремния любого политипа, в качестве подложки выбирают пластину с ориентацией (000 )C с углом разориентации не более 30

Номер патента: 1774400

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Водаков, Вольфсон, Мохов, Роенков, Семенов

МПК: H01L 21/363, H01L 33/00

Метки: источник, полупроводниковый, света

...способствует подавлению не только дефектной ЭЛ, но и других, более низкоэнергетических, нежелательных примесных полос люминесценции (в частности - борной смаксимумом излучения в зеленой области спектра). Концентрация Яп должна быть не16 -Эменее 110 см в материале как и-, так и р-типа. При меньшей концентрации Яп эффективность излучения резко снижается за счет наличия дефектных центров вблизи ри-перехода типа 01 с излучением в зелено- голубой области и ухудшается быстродействие, Верхний уровень легирования Яп.16 -З3 10 см определяется пределом его растворимости в Я 1 С.На чертеже приведена блок-схема устройства,Устройство содержит подложку 1 любого политипа и-типа проводимости, слой 2 и-типа проводимости политипа 4 Н, слой 3...

Номер патента: 1484112

Опубликовано: 23.04.1991

Авторы: Водаков, Осятинский, Соколов

МПК: G01V 1/053

Метки: волн, источник, поперечных, сейсмических

...элементами связи полостей высокого и низкого давленийс полостями цилиндра 12 являютсяГ-образные отверстия 21 и 22 в пробковом кране 16.Каждое из Г-образных отверстийсоединяет только одну полость исполнительного цилиндра (нли 23, или24), При этом при подаче жидкости водну из полостей цилиндра 12 необходим тут же отвод ее из другой егополости,Это достигается смещением отверстий друг относительно друга на 180и размещением отверстий в двух перпендикулярных продольной оси плосПолости 23, 24 исполнительныхгидроцилиндров 12 по каналам 25 и26, через отверстия 21 и 22, а также по каналам 19 и 20 связаны с полостями низкого 5 и высокого 7 давлений или наоборот, в зависимостиот положения пробкового крана 16.Бак 4 связан с транспортным...

Номер патента: 1038896

Опубликовано: 30.08.1983

Авторы: Бару, Водаков, Гершман, Макогон, Осятинский

МПК: G01V 1/04

Метки: возбуждения, колебаний, сейсмических

...устройстве для возбуждения сейсмических колебаний, содержащем электромеханический преобразователь с электрической схемой,включающей соединенные последовательно обмотку преобразователя, источник электрической энергии, зарядное и разрядное устройства и включенный параллельно им конденса" торный накопитель, параллельно конденсаторному накопителю включены последовательно соединенные индуктивность и вентиль, причем катод вентиля соецинен с положительным . выводом конденсаторного накопителя.На фиг. 1 представлена схема предлагаемого устройства; на фиг. 2 - графики изменения во времени тока и напряжения на накопителе.Устройство содержит электрическую схему, включающую источник. 1 электрической энергии, зарядное устройство 2, конденсаторный...

Номер патента: 316378

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Виолин, Водаков, Кмита, Круглов, Ломакина, Маслаковец, Мохов, Павличенко, Рыжиков, Холуянов

МПК: H01L 33/00

Метки: источник, полупроводниковый, света

...прибора в области низких температур наличие сильнолегированного низкоомного р . слоя, Такой слой позволяет эффективно инжекти. ровать носители заряда со стороны р - области при низких температурах, так как концентрация дырок в низкоомном сильнолегированном р - слое приотемпературе около 60 С оказывается (несмотря на значительное уменьшение концентрации дырок с понижением температуры в дырочном карбиде кремния) существенно выше, чем концентрация носителей заряда в высокоомном активированном слое. Это обстоятельство влияет и на рабочее напряжение прибора, позволяя снизить его до минимально возможного.31 б 378 Фор мула изобретения Со ставитель М, ЛенешкинаРедактор Б. Федотов Техред Н. Андрийчук Корректор Т. КравченкоЗаказ 5055/423...

Номер патента: 270080

Опубликовано: 15.10.1975

Автор: Водаков

МПК: H01L 21/306

Метки: высокотемпературном, защиты, карбида, кремния, поверхности, травлении

...Метод вакуумного напыления позволяет получать слои любой толщи 15 ны и на большом числе монокристаллов заодин технологический цикл. Кроме того, используя маски, можно непосредственно принапылении получать слои нужной конфигурации.20 Если необходимо получить очень точный рисунок с резкоочерченными краями (с микронной точностью), его вытравляют фотолитографическим способом. Наиболее прочно скрепленные с поверхностью и плотные слои алю 25 миния (толщиной 1 р и выше) получают привакууме не уже 10 - 4 тор и температуре кристаллов карбида кремния 5700 - 6100 С, причем алюминий в виде гусариков подвешиваютна вольфрамовой спирали, нагреваемой при270080 Предмет изобретения 15 Составитель М, Сорокина текоед Т. Мп;:онова Редактор Б, федотов...

Номер патента: 473111

Опубликовано: 05.06.1975

Авторы: Берман, Водаков

МПК: G01R 19/04

Метки: амплитудного, запоминания, значения, импульса, одиночного

...значения одиноч ного импульса электрического напряжения;на фиг. 2 - зависимость значения емкости р - и перехода от обратного напряжения и от амплитуды импульса; на фиг. 3 - зависи.мость выходного напряжения после оконча ния действия импульса от амплитуды импульУстройство представляет собой схему, которая образована двумя ми вторичной обмотки трансформа 25 лупроводниковым диодом 2 с глу месью в р - п переходе, а также конденсатором 3 и резистором 4, с для балансировки моста. Трансф служит для подачи на диод измер 30 пульса напряжения, Переключател3для пропускания через диод прямого тока и последующего возвращения к обратному напряжению У=. К первичной обмотке трансформатора 1 подведено переменное напряжение. К диоду приложено обратное...

Номер патента: 327884

Опубликовано: 25.10.1974

Авторы: Бабенко, Боева, Виолин, Водаков, Иванова, Кмита, Круглов, Ломакина, Новиков, Павличенко, Рыжиков, Холуянов

МПК: H01L 27/00, H01L 33/00

Метки: 327884

...превышает 5 по крайней мерв в 10 раз сопротивление этого слоя по нормали к переходу.На чертеже изображен многоэлементный индикатор на карбиде кремния еВ пластине 1 карбида кремния,легированной азотом, формируют дввобласти: высокоомную р-область 2толщиной,напримвре Ое 2-Ов 5 мкм и 25 1 слаболегйрованную компенсированнуюсоставитель ЯЛОпешкин Редакгор 1 ЛарИНа ехред Н.СЕг 1 ИНЭ Корректор И Л 6 НИйа11 одиигиое зааз Дг/ над 11 з г о 1 Тираж 1) 1111111111 Государствеииого комитета Совета Мииисгров СССР ио делам изобретений и открытий Москва, 113035, Раушская иаб., 4 Предприятие Патеит, Москва, Г.59, 1 ережковская иаб., 24 область 5 толщиной не более 0,5- 1,2 мкм. Со стороны р-области вышлифовывают ступеньку Ф на глубину порядка 10-15...

Номер патента: 315155

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Аксельрод, Водаков, Горшков, Иванов, Ленинградский, Оптики, Петродворцовый, Пинчук, Раскин, Салтыков, Толмачева, Штерл

МПК: G04G 3/00

Метки: ibiii, li, vrv"=f, и1ш, часыт-йтмп, электронные

...- 37 соединены с контактами переключателя 45 таким образом, что каждый из выходов триггеров 28 - 37 может быть заведен на схему совпадения 25, От других разрядов кольцевых делителей 3 - 8 через переключатели, аналогичные переключателю 45, также подаются потенциалы триггеров кольцевых делителей 3 - 8.Таким образом, становится возможной выработка импульса с дискретностью 1 сек в диапазоне О - 24 час в заданный момент времени.После включения питания прибора нажимается кнопка ручного сброса 22, при котором триггеры делителя частоты кольцевых делителей 3 - 8 устанавливаются в исходное состояние. При этом цифровые индикаторы показывают нулевоп отсчет. Кварцевый генератор 1 генерирует импульсы, частота следования которых равна 2".Делитель...