Патенты с меткой «мдп-структуры»

Способ измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводнике мдп-структуры

Загрузка...

Номер патента: 452792

Опубликовано: 05.12.1974

Авторы: Гончаренко, Королев

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: времени, жизни, заряда, мдп-структуры, неосновных, носителей, полупроводнике

...как постоянным поддерживается объем обедненного слоя. Для поддержания постоянной емкости необходимо изменять напряжение, приложенное к МДП- структуре, пропорционально количеству накопленного вблизи границы раздела эврядв, генерированного во всем объеме обедненного слоя. Время жизни ( неосновных носителей заряда связано с изменением напряжения на МДП-структуре следующей формулой ческих свойст луп ерени особы из гх носите я времени ряда в лов подаче н егистрвции жизни неосновнлупроводниках,МДП-структурьизменения егоНедостаток ей звгиеся кпючаю напряже о времен и и,бо стоит в х спос значительном объе счетов и снижении математических раезупьтвте этого то эультатов,лью повышения т ост С це согласно МДП-ст путем и ности измерений,пособу,...