Патенты с меткой «р-п»

Номер патента: 145665

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Заргарьянц, Попов, Таубкин

МПК: H01L 23/00

Метки: глубины, залегания, переходов, р-п

...чем обеспечивается постоянство давления. С целью ослабления динамических нагру145665зок и устранения опасности повреждения образца, применен воздушный демпфер 9,Столик б (фиг. 3) с креплением для образца может поворачиваться на небольшой угол а вокруг оси 10 относительно каретки 5.Поворот столика в вертикальной плоскости осуществляется специальным винтом 11 и пружиной 12, угол поворота указывается индикатором 1 ", горизонтальное перемещение каретки 5 со столиком б производится микрометрическим виконтом 14 (фиг. 2), а величина перемещения фиксируется индикатором 15,Оптическая система 7, предназначенная для измерения угла косого среза образца, представляет собой тубус с объективом от микроскопа и окуляром.Измерение глубины залегания р -...

Номер патента: 150941

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Антонов, Борисов, Дохман, Иоселевич, Уклонский, Чичерова

МПК: H01B 3/46, H01L 23/18

Метки: вазелина, защиты, паста, переходов, поверхности, р-п, типа

...жидкости с вязкостью от 300 до б 00 сст. В качестве наполнителя используются мелкодисперсные порошки окисей титана, к емнияи алюминия, которые вводятся в зависимости от требуемой консистенции в количествах от 5 до 100% к весу жидкости, Смесь тщательно пе Ъ 150941ретирается и подвергается прогреву в вакууме для удаления летучих составляющих. Полученная высоковязкая вазелиноподобная паста нассится непосредственно на р - и переход, пастой можно также заполять корпус прибора.Предлагаемые пасты могут применяться для защиты переходов как ерманиевых, так и кремниевых полупроводниковых приборов.В качестве исходных компонентов для изготовления пасты КВприменяются: полиметилсилоксановая жидкость ПМСс вязкостью 432 сст (20), белая сажа У-ЗЗЗ,...

Номер патента: 151397

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Савченко

МПК: H01L 21/66

Метки: германия, глубины, залегания, перехода, пластинах, р-п

...держателя 5.Пластина б или кристаллик германия после диффузии в него примесей для образования р - п перехода соединяется с графитовым держателем 5, Держатель помещается в ванне 1, в которую заливается дистиллированная вода первой перегонки. К поверхности пластины подводится острая игла 7 из никеля или вольфрама под напряжением 5 - 8 в. При этом в наушниках 5 будет слышен щелчок, а миллиамперметр 2 покажет прирост тока. Затем игла отводится.Напряжение повышается до 50 - 60 в и игла вручную (поворотом рукоятки) подается вниз до контакта с дном лунки, находящимся в р - и слое германия и выдерживается 25 - 30 сек, п слой электролитически вытравливается и образуется коническая лунка, обнажающая переход. Лунка имеет переходную поверхность...

Номер патента: 152033

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Зеликман, Лукашова, Цитовский

МПК: H01L 21/24

Метки: переходов, р-п

...особ получения р-и-п тличающийся т фузии примеси до 10 еходов, в исходную п т предварительно на бора,са дифр-и-невжига Известны способы получения р-и-переходов на кремтем диффузии бора, нанесенного на пластину кремния в о раствора борной кислоты, и последующего нагрева пласти р ратуре 1300 в течение 30 - 40 час.Предлагаемый способ отличается от известных тем, что позволяет сократить время процесса диффузии примеси до 10 - 16 час и упростить технологию получения р-п-переходов Это достигается тем, что в исходную пластину кремния перед нанесением бора вжигают предварительно нанесенный слой алюминия.При осуществлении способа в пластину кремния при температуре 700 - 800 вжигают предварительно нанесенный слой алюминия, затем с помощью...

Номер патента: 152034

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Батавин, Волков, Русаков

МПК: C22F 1/02

Метки: переходов, полупроводниковых, приборов, р-п

...тем, что после создания окисной пленки ее подвергают термической обработке в атмосфере инертного газа или вакууме при температуре 600 в 8 в течение 10 - 20 мин.Для осуществления предлагаемого способа после травления полупроводникового прибора в травителе СРили в смеси плавиковой и азотной кислот производится промывка в циркулирующем потоке деионизированной воды с удельным сопротивлением о=12 мгом и анодное оксидирование обычным порядком. Затем производится сушка в вакууме (10мм рт, ст.) при температуре 120 в течение одного часа н кратковременная термообработка в инертном газе или вакууме при температуре 600 - 800 в течение 10 - 20 мин.152034 Предмет изобретения Редактор Е. Г. Манежева Техред Т. П, Курилко Корректор Г, Кудрявцева...

Номер патента: 194138

Опубликовано: 01.01.1967

Автор: Сутормин

МПК: B61F 3/02, B61F 5/06

Метки: 11tcxnoilciiafl, авдаgt, есссоюзгг, лплте, р-п, то

...на рессорные комплекты. Боковые рамы, воспринимающие нагрузку от рессорных комплектов, передают усилие на буксу, через которую уси лие передается на упругие элементы.При нагрузке на тележку от тары вагона(см, фиг, 2) усилие распределяется между пружинами 7, 8 и 9. В этом случае усилие, воспринимаемое пружиной 8, передается через 30 стакан б на пружину 9 и дальше ца вкладыш10, создавая трение между вкладышем и ооковой поверхностью надрессорной балки.Благодаря тому что пружина 8 укорочена на величину Л и при таких нагрузках не воздействует непосредственно ца вкладыш, гибкость пружин 8 и 9 суммируется, в результате чего гибкость рессорного подвешивания в целом увеличивается, а усилие, воспринимаемое пружинами 8 и 9, уменьшается.При...

Номер патента: 244503

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Чеснавичюс

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: импульсный, мост, параметров, перехода, р-п, электрических

...точность измерений. На чертеже показана принципиальная схема описываемого моста.Позициями 1 и 2 обозначены переменные сопротивления, 8 - переменная емкость, 4 - 7 - ом ические сопротивления, 8 - измеряемый образец с . р - п-переходом, 9 - генератор П-образных импульсов уравновешивания;10 - генератор переменного напряжения (например звуковой), 11 - ограничитель и 12 - осциллограф с дифференциальным входом. Импульсный мост уравновешивают по переменному напряжению и ио амплитуде П-образного импульса напряжения уравновешивания в следующем порядке.5 Регулированием сопротивления 1 на экранеосциллографа вершину импульса уравновешивания совмещают с вершиной импульса смещения.Регулированием сопротивления 2 и емкости10 8 синусоиду на экране...

Номер патента: 248086

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Бченко, Гордиенко, Дидевич, Некрасов, Смирнов

МПК: H01L 21/04

Метки: германиевых, переходов, р-п

...относится к технологии получения полупроводниковых приборов.При существующих способах получения термостабильных германиевых р-п переходов изменяются объемные свойства полупроводникового кристалла в процессе термической обработки, что приводит к ухудшению некоторых параметров приборов, в частности появляется текучесть обратных токов, ухудшаются усилительные свойства транзисторов.Предлагаемый способ устраняет указанные недостатки и позволяет улучшать термостабильность приборов без их дополнительной обработки.Сущность способа заключается в том, что в германий с удельным сопротивлением 5 й 1 ом, см,и легированный сурьмой, идущий на,изготовление монокристаллов для р-п переходов, вводятся добавки кремния от 0,5 и более вес. %.Введение атомов...

Номер патента: 443341

Опубликовано: 15.09.1974

Авторы: Дмитриев, Малкин, Мастеров, Царенков

МПК: H01L 21/66

Метки: закона, измерений, квазиконтактного, перехода, потенциала, примесей, р-п, распределения

...частоты 5, детектор б, сравнивающее устройство , первый генератор экспоненциально падающего напряжения 8, блок синхронизации 9, второй генератор экспоненциально падающего напряжения 10, управляемый ключ 11, переключающее реле 12 и осциллограф 13.Устройство работает следующим образом, Блок синхронизации (СИНХР) периодически с частотой /=400 Гц запускает оба генератора экспоненциального напряжения ГЭНи ГЭН. Зависимость напряжения (У 1) на выходе ГЭНимеет вид:г.гг= г.гог ехртгде тг - постоянная времени спадания напряженич, которая дискретно (или непрерывно) может быть пзменена оператором, но выбирается такой,1чтооы т 1 (Зависимость напряжения (г.,г 2) на выходе ГЭНимеет вид;(/02 ехртггде т 2 - постояиная времени спадания напряжения,...

Номер патента: 460454

Опубликовано: 15.02.1975

Авторы: Ештокин, Соллогуб

МПК: G01K 7/22

Метки: диода, лавино-пролетного, перехода, р-п, температуры

...сопротивлении перехода ЗО 2тносительно корпуса, обусловленного рассеиаемой на переходе мощностью Р=У , где У и- соответственно, напряжение и ток пеехода, тогда Т= Т+ Я,У тде Т, - температура перехода диодТ - температура корпуса диодаР, в теплов сопротивление,Величину теплового сопротивленио определить по формуле:р н гвв, цвде р - температурный коэффициентия на переходе,Приращиода ЛУ1 и темпеПриращоющейся е ЛТ - приращение температуры корпуса При питании р-и перехода диода от неизменного напряжения АУ=О, тогда из (3) и(7) Составитель Н, НикитинТехред Е. Борисова Корректор И. Позняковская Редактор Е. Семанова Заказ 612 Г 14 Изд.1080 Тираж 740 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий...

Номер патента: 480041

Опубликовано: 05.08.1975

Авторы: Бочкарева, Парицкий

МПК: G03C 5/16

Метки: кондуктографической, переходом, полупроводниковой, р-п, системе, съемки, фотографической

...электрический ток при величине внешнего напряжения, соответствующем рабочему участку вольтамперной характеристики электрохимической ячейки, Время пропускания тока (1) выбирается таким, чтобы плотность вуали на регистрирующей пленке была достаточно малойУ (10 мин о( где ( - величина тока; 0, - порог почернения регистрирующей пленки; Оо - плотность вуали; у - коэффициент контраста регистрирующей планки.Затем регулировкой внешнего напряжения устанавливается нулевой ток и открывается световой затвор, световое изображение при этом проектируется в плоскость р - и перехода. Далее следует одновременно и световая, и электрическая экспозиция. При таком способе съемки в регистрирующей электрохимической ячейке происходят процессы, приводящие...

Номер патента: 392839

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Нуров, Пиорунский, Федоров

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: вольтамперной, переходов, р-п, характеристики

...переСоставитель М. ФримщтейнРедактор Т, Рыбалова Техред Н, Анцрейчук Корректор Н. Бабурка Заказ 4912/424 Тираж 963 ПодписноеБНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5 филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 392839 3 откуда, переходя к конечным приращениям, ЪОп=При поддержании постоянным отношения - во всем диапазоне рабочих токов через р- Ь -перехоц и при данной температуре (= СОибй) всегда имеет место прямая пропорциональность между Фй и ЬО. Формула изобретения ных приращений тока и измерения получаемых приращений напряжения ЬЯ на р-Ипереходе, о т л и ч а ю щ и й с я тем,что, с целью определения отклонения реальной характеристики р- й -перехода от...

Номер патента: 554512

Опубликовано: 15.04.1977

Авторы: Иванов, Куликов

МПК: G01R 31/26

Метки: импульсном, переходов, р-п, режиме

...пробоя на фильтре выделяет нулевой сдвиг фаз тока и напряжение на переходе в момент пробоя, когда сопротивление р-и-перехода носит чисто активный ха рактер.К недостатку известного устройства следует отнести невозможность измерений напряжения пробоя при коротких импульсах 1 мкс - : - :100 нс, так как при этом р-п-переход генерирует широкий спектр частот, его дифференциальное сопротивление становится не активным, а отрицательным. Спектр шума в момент пробоя попадает в полосу фильтра ВЧ и является помехой при определении нулевой фа. зы,Для повышения точности измерений в предлагаемом устройстве индикатор начала пробоя состоит из резонатора, связанного индуктивными петлями с испытуемым переходом и усилителем, Собственная частота резонатора...

Номер патента: 579654

Опубликовано: 05.11.1977

Авторы: Володин, Ольховский, Рычков

МПК: G11C 11/34

Метки: переходах, полупроводникового, р-п, сигнала, считывания, фотоприемника

...5в прямом направлении на дЧ (ЬЧ пропорционально лучистой энергии).Этот импульс восполняет заряд конденсатора 15 через эмиттерный переход .5 Ток через этот переход, усиленный враз, является током 14 регистрации. Он тем больше, чем больше эмиттерный переход 5 смещен в прямом на;правлении, т.е, чем бОльше ЬЧ , а, сяедовательно, и дЦ . Из-за нелинейности ВАХ р -п -перехода считываемый сигнал(ток 14) зависит от принятой лучистой энергии нелинейно. При этом сильно меняется и постоянная времени изменения тока 14 (от 10до 10 8 сек). Таким образом, при малых лучистых энергиях, когда дЧ меньше термического потенциала щ (для ;р,26.мб ), инерционность приемника очень велйка, и один импульс считывания не восполняет требуемый для равновесия заряд.В...

Номер патента: 555814

Опубликовано: 25.12.1977

Авторы: Головко, Шермергор

МПК: G01R 31/26

Метки: барьеров, насыщения, переходов, р-п, шоттки

...5 где З-ток, при котором флуктуацпряжения на образце максимальны.е - основание натуральных лог5 д 58пропустить прямой ток. Изменяя величинутока, цо индикатору установить максимумфлуктуаций. Затем необходимо измерить ве-личину тока и разделить ее на коеффициейт(е 1), где е - основание натуральных логарифмов.П р и м е р 1. Барьер Шоттки иэготовлен напылением золота на химически травленную поверхность фосфида галлия и гипас Концентрацией доноров п смПлощадь металлического контакта равна20,78 мм, Измерения тока, при которомФазкочастожые флуктуации напряжения максимальны, определили, чтомсхс 1,1 мкА.15Следовательно, ток насьпцения равенЮ, 1,1 (2,718-1) 0,64 мкА,П р и м е р 2. Концентрация, доноровв полупроводнике в отличие от предыдущего...

Номер патента: 654917

Опубликовано: 30.03.1979

Авторы: Иванов, Погодин

МПК: G01R 31/26

Метки: перехода, пробивного, р-п

...изобретения - обеспечение неразрушающего контроля пробивного напряжения полупроводниковых приборов.Поставленная цель достигается тем, что в предлагаемое устройство введен конденсатор, подключенный между выходом генератора импульсного напряжения и клеммами для подключения испытуемого элемента.Конденсатор образует с испытуемым образцом дифференцирующую цепь, постоянная времени которой зависит от сопротивления испытуемого полупроводникового прибора.На чертеже приведена схема предлагаемого устройства.Устройство состоит из гпульсного напряжения с р654917 5 где 10 Составитель И. МузановРедактор Т. Рыбалова Техред Н, Строганова Корректор О. Тюрина Заказ 318/13 Изд. ЛЪ 256 Тираж 1089 Подписное НПО Государственного комитета СССР по делам...

Номер патента: 639358

Опубликовано: 30.07.1979

Авторы: Лисовенко, Марончук, Масенко, Сушко

МПК: H01L 21/208

Метки: р-п, структур

...в арсениде галлия и его твердых растворах путем изменения температуры соответственно выше или ниже точки инверсии амфотерной примеси.Однако этот способ не пригоден для получения многослойных переходов с толстой площадью р - п-перехода; кроме того невозможно сохранить толщину перекристаллизуемой области, неизменной при значительной глубине перекристаллизации.Известен способ получения р - п-структур жидкостной эпитаксией при переходе через критическую температуру, а именно точку инверсии амфотерной примеси.Однако при использовании этого способа с понижением температуры изменяются коэффициенты согрегации примесей, что затрудняет получение структур с контролируемым распределением примесей (и состава твердого раствора) по толщине....

Номер патента: 621239

Опубликовано: 15.08.1979

Авторы: Милевский, Ткачева

МПК: H01L 21/02

Метки: диодного, кристалле, п-типа, перехода, полупроводниковом, р-п, транзисторного

...по делам изобретений и открытий 113035 Иосква ЖРа ская наб. . 4 5филиал ППП Патент, г, Ужгород, ул. Проектная, 4 тем самым более четкую, гранину между р-п"областями, увеличивая эффектвыпрямления и, следовательно, улучшая качество изделий,Примеры выполнения предлагаемого способа.П р и м е р 1. Изготовление полевого транзистора из монокристалла.кремния и-типа с исходным удельнымсопротивлением 100 Ом см, выращенного по методу Чохральского и содержащего ростовые дислокации10 смДеформацию осуществляют пуансонамииз ЯО при 900 С втечение, ЬО мйнс нагрузкой 1 кг/мм 2. Толщина исходной пластины кремния равна 0,1 мм.Для одновременности проведения дефор"мации и легирования перед началомдеформации на острия пуансонов наь 3носят каплю спиртового...

Номер патента: 693273

Опубликовано: 25.10.1979

Авторы: Голосов, Крылова, Митряев

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: вольтфарадных, переходов, р-п, характеристик

...к периоду1.с,ь изобретения - повышение точности пзчсрсния. Поставленная цель лостигается тем, что :выхол генератора соелицец со входом Х осциллографа, д выход второго кочмута"ора сосдицсц со вторыч вхолоч первого кочмутатора.На чертеже прелставлепд схсмд сшисываемого хстроиствд.Устройство солержит лвд кочмута"ора . 1, 2 генератор 3, цослсловдтельно включсццыс двтогсцерятор 4 и частотный летсктс.р 5, .осциллограф б, источник калиброванного цацря)кения 7, эталонную ечкость 8 и измеряемый р-и-перехол 9.Устройство работдсг следуощим образом. Генератор 3 вырабатывает пилообразное напряжение, ачплитула кох)рого может иЗ хецяться. )то напряжение через коммутатор 2 цоластся ца измеряемый р-и-переход. С лругого вхола кочмутдтора 2 ца...

Номер патента: 711502

Опубликовано: 25.01.1980

Автор: Головко

МПК: G01R 31/26

Метки: переходов, пробоя, р-п

...что в иэвестных способах напряжение пробоя определяется при токе, на 3,5 порядков превышаошем Зрто очевидно существенное повышение точности измерения параметра и возможность контроля первичного пробоя р- п -перехода.На фиг. 1 показана блок-схема устройства для осуществления способа измерения напряжения пробоя р- ц -переходов;,- на фиг. 2 представлена токовая зависимость 1-шумов обратно-смещенного кремниевого диода; на фиг. 3 представлена зависимость 1шумов от напряжения.25Блок-схема содержит регулируемый историк обратного тока 1, ламповый вольтметр 2, нагрузочный резистор 3, измеряемый р- д -переход 4 включенныйв обратном направлении, регистратор 5 Способ измерения напряжения пробояр- и -переходов, заключающийся в пропускании обратного...

Номер патента: 779911

Опубликовано: 15.11.1980

Авторы: Задорожный, Лихтцинтер, Шпилевой

МПК: G01R 27/00

Метки: двухполюсников, емкости, перехода, полупроводниковых, р-п, сопротивления, шунтирующем, элементов

...в цепи обратной 20связи операционного усилителя 19,блок20 фазочувствительных детекторов сотсчетными устройствами,Устройство работает следующим образом.Источник 1 вырабатывает переменноенапряжение фиксированной частоты, которое через делитель частоты 2, управляемый программным устройством (ПУ),поступает на стабилизатор 3. Применение управляемого делителя частоты 2 З 0позволяет выбрать рабОчую частоту исходя иэ предполагаемой величины измеряемой емкости 16 и выполняется путем подачи соответствующего кода от(ПУ) для обеспечения работы операционного усилителя 19 на линейномучастке характеристики .Напряжение на выходе суммирующегоусилителя 14 образуется в результатесуййирования выходных напряжений, поданных соответственно на входы 9 и110:...

Номер патента: 555761

Опубликовано: 23.04.1981

Авторы: Кияк, Орлецкий, Пляцко, Товстюк

МПК: H01L 21/04

Метки: переходов, р-п

...выпрямление(см.фиг Л, кривая 1). Наиболее хорошие р-и-переходы образуются приоблучении кристалла плотностьюэнергии Е = 0,4 Дж/мм и длитель 2ностью = 4-7 мс (см.фиг.2,кривая 2), При плотности энергии излучения Е = 0,5 Дж/мм и выше образование р-и-перехода сопровождаетсясильным растрескиванием и разрушением кристалла (см.фиг.2,кривая 3),Быстрое, со скоростью У = 103 104 град/с, охлаждение расплава ,сопровождается рекристаллизацией и фиксацией резких градиентов концен траций примеси в исходной и рекристаллиэованной частях полупроводника. Применение лазеров с модулированной добротностью позволяет получить скорость охлаждения до 10 град/с.8Эти особенности не имеют аналогии ни в одном известном способе и обуславливают полное сохранение...

Номер патента: 873164

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Денисенко, Кухаренко

МПК: G01R 31/26

Метки: измеритель, насыщения, переходов, р-п, т-фактора

...компенсации температурных зависимостей тока насыщения .и теплового потенциала р-и-переходов измеряемого прибора и транзистора.873164 Формула изобретения оставитель В, Немцехред Т.Маточка Корректор М. Шароши едактор Н. Воловик 765 Поденного комитета СССРтений и открытий5, Раушская наб., д. 4/ писное Заказ 9026 Тираж ВНИИПИ Государст по делам изобр 13035, Москва, Ж филиал ППП "Патент",г. Ужгород, ул, Проектна на чертеже представлена принципиальная электрическая схема предлагаемого устройства.Схема содержит источник 1 тока, операционный усилитель 2, транзистор 3, амперметр 4 и испытуемяй прибор 5.Транзистор 3 ббеспечивает компен" сацию температурных зависимостей параметров измеряемого о-и-перехода испытуемого поибооа 5Используя...

Номер патента: 951198

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Ромейков, Семушкина

МПК: G01R 31/26

Метки: времени, жизни, заряда, неосновных, носителей, переходах, полупроводниковых, р-п

...Кроме того, укаэанный способ не позволяет проводить измерения времени жизни Ф неосновных носителей заряда при вы- . соких уровнях инжекции, так как прибольших активных токах погрешностьизмерения емкости известными способами становится очень велика.Наиболее близким по техническойсущности к изобретению является способ измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковых приборах, основанный на использовании зависимости переходныххарактеристик от этого времени и заключающийся в том, что по осциллографуустанавливают нулевую длительностьвершины импульса обратного тока и 15 измеряют сопротивление цепи в прямомили обратном направлениях, по которому определяют искомое время жизни 23. 20Недостатками известного...

Номер патента: 951199

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Романенко, Шиянов

МПК: G01R 31/26

Метки: лавинного, переходов, пробоя, р-п, регистрации

...и источник тока 5 образуют схему управляемогоисточника питания, Выходы фаэовращателя 2 и полосового усилителя бподключены ко входам фазочувствительного детектора 7, выход которого соединен со входом интегратора 8,подключенного своим выходом к управляющему входу аттенюатора,Выход смесителя 3 подключен кпоследовательно соединенным заграждающему фильтру 9 и регистратору10, а также к одной иэ клемм 11 дляподключения испытуемого перехода,а другая клемма 12 соединена с комплексной нагрузкой 13 и входом полосового усилителя б,Устройство работает следующим образом.Постоянный ток, выдаваемый источником 5 тока, проходя управляемыйаттенюатор 4, смешивается в смесителе 3 с током от генератора 1 высокочастотного напряжения. Суммарныйток протекает в...