Берковская

Номер патента: 1625178

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Берковская, Кириллова, Подласкин, Столовицкий

МПК: G01J 1/44

Метки: освещенности, распределения

1. Способ измерения распределения освещенности, основанный на преобразовании освещенности в распределение токов элементарных ячеек мультискана, разделении токов элементарных ячеек на две группы линией нулевого потенциала, усилении токов, причем усиление от первой группы производят в K1 раз, вычитании усиленных токов, интегрировании во времени результата вычитания токов, управлении положением линии нулевого потенциала сигналом, полученным в результате интегрирования, измерении величины выходного напряжения мультискана, по которому судят о распределении освещенности, отличающийся тем, что, с целью увеличения информативности, дополнительно усиливают суммарный ток от всех элементарных ячеек в K2 (n) раз, из...

Номер патента: 1516805

Опубликовано: 23.10.1989

Авторы: Берковская, Гуревич, Луизова, Токранова

МПК: G01J 3/50

Метки: координат, цвета

...шины каждой из трех линеек подается напряжение от поэлементныхисточников смещения. Один и тот жеоптический сигнал, поступающий через дисперсионную систему на трифотоприемных элемента трех линеек,оказывается промодулирован в соответствии с тремя координатами цвета.Суммирование усиленных сигналов повсем элементам в каждом канале осуществляется сумматором, подключеннымк общей шине,Устойчивость вольт-амперной характеристики каждого фотоприемного элемента и ее независимость от интенсивности регистрируемого светового потока в нормированной форме обеспечивается кЬнструкцией линейки,Синтеэируемые на фотоприемных линейках весовые функции могут иметь самую разную форму: с любым числом перемен знака, с участками резких и плавных изменений...

Номер патента: 1362925

Опубликовано: 30.12.1987

Авторы: Берковская, Кириллова, Осипов, Подласкин, Роготнев, Столовицкий, Шелковников

МПК: G01B 21/00

Метки: фотоэлектрический

...узла 6 дефлектора, Под действием управляющего напряжения с выхода блока 8 управления дефлектором зеркальный отражатель узла 25 6 дефлектора совершает периодическиеколебания с частотой й при этомотраженный от него колеблющийся узкийлуч поступает на второй вход светоделительной призмы 2, а с ее выхода - З 0 на фоточувствительную линейку мультискана 1.При опросе,мультискана 1 пилообразными напряжениями.(фиг. 2 в) свыхода блока 9 опроса с частотой135 й = -- на выходе блока 13 формиоп Труется информационный видеоимпульс(фиг. 2 г) от изображения объекта 4или связанного с ним светового зонда.40 На выходе блока 12 выделения координатоопределяющих импульсов прикаждом сканировании лучом оптическойразвертки фоточувствительной...

Номер патента: 1290281

Опубликовано: 15.02.1987

Авторы: Берковская, Кириллова, Подласкин, Столовицкий

МПК: G06C 9/00, G06K 9/00, H04N 5/208 ...

Метки: изображения, оптического, преобразования

...с вольт-амперной характеристикой симметричной р - и - р (и - р - и) -структуры.20При условии равенства фототоков, генерируемых лицевым и тыльным р - и-переходами, нормированный ток через элемент в зависимости от 11(управляющего потенциала) записывается в видеУи, Й 25+" ейск,ь+ 30где 1, - темновой ток через р - и - р-структуРУ1 - фототок через р - и - р-структуру;Фх Та 351)о=9Вольт-амперная характеристика р - и - рструктуры приведена на фиг. 2. В непосредственной близости от 0 характеристика 40 практически линейна. По заданным кодируюшей функцией краевым значениям в соответствии с вольт-амперной характеристикой либо по аналитическому выражению (1) ОПрЕДЕЛЯЮтСЯ ЗНачЕнИЯ 1.)ее макс И 1 1 и мии, КО- торые генерируют на парных...

Номер патента: 1285545

Опубликовано: 23.01.1987

Авторы: Берковская, Кириллова, Подласкин, Столовицкий, Суханов

МПК: H01L 31/18

Метки: мультискана

...1 мкм. Затем производят осаждение поликремния при 1100 С. После этого производят прецизионную шлифовку пластины со стороны, противоположной нанесенному рельефу, Предусмотрены специальные реперные изолирующие области, которые 35 протравливают на глубину 12 мкм. С помощью этих реперов шлифовку останавливают за 4 мкм до выхода на дно изо- лирующих областей: сигналом к прекращению шлифовки является выход на 4 О дно реперных областей.Лицевую сторону пластины отмывают и окисляют в атмосфере сухого кислорода в присутствии хлорсодержащих веществ, что обеспечивает фиксированный 45 заряд на поверхности 10 см и плотмность поверхностных состояний 10 смэВ. Затем вскрывают окна в окисле под токоотводящие 5 и делительные б и 7 слои, 11 роводят диффузию...

Номер патента: 1282241

Опубликовано: 07.01.1987

Автор: Берковская

МПК: H01L 31/16

Метки: одномерного, оптического, пространственно-частотный, сигнала, фильтр

...слою 6, выбирают с учетом аппроксимированного импульсного отклика и формы ВАХ элементарной ячейки.Конструкциямультискана, используемого в качестве фильтра оптического сигнала, должна обеспечивать симметричность ВАХ элементарных ячеек как относительно светового воздействия, так и относительно напряжения питания управляющего квантовой эффективностью. Такая ВАХ обеспечена равенством фотоприемных площадок трех фотодио 1282241дов каждой элементарной ячейки, образованных р-дискретным базовым слоем 2 с одной стороны, и и-сплошными делительными 5 и 6 слоями с общим 3 слоем, с другой стороны, Физические параметры делительных и общего слоя выбраны одинаковыми. Отведенные под контакты участки делительных слоев экранированы от воздействия света....

Номер патента: 1272076

Опубликовано: 23.11.1986

Авторы: Асцатуров, Берковская, Заславский, Ивлиев, Шабашев

МПК: F27B 9/18

Метки: заготовок, конвективного, нагрева, печь, скоростного

...каналами 5, под, выполненный в виде шагающих балок с подвижным 6 и неподвижным 7 участками, окна загрузки 8 и выгрузки (не показаны). Методическая зона 4 снабжена двухскатным промежуточным сводом 9, опираюшимся на неподвижный 7 участок пода, гребень 10 двухскатного свода 9 расположен на высоте 0,6 - 0,8 высоты рабочей камеры, расстояние от выхода из методической зоны 4 до ближайшего горелочного устройства 3 составляет 0,5 - 1,0 ширины рабочей камеры.Межсводовое пространство 11 методической зоны 4 соединено с дымоотводяшим каналом 5.Промежуточный перфорированный свод 9 выполнен переменной высоты, уменьшающейся в направлении окна загрузки с соотношением крайних высот 0,7 - 0,9. Промежуточный свод 9 установлен с образованием...

Номер патента: 766471

Опубликовано: 30.12.1985

Авторы: Берковская, Кругликов, Подласкин, Столовицкий

МПК: H01L 31/04

Метки: полупроводниковый

...30 45 транзисторов.На фиг. 1 изображена принципиальная блок-схема; на Фиг. 2карта суммирования Фототоксв элементарных ячеек с учетом знака Фототокадля положения ключевых элементов,в ,показанного на фиг. 1.ФК общей подложке 1, снабженнойобщей шиной 2, выполнена матрицаэлементарных ячеек 3. Каждая элементарная ячейка содержит фотоприемный элемент 4 и два Г 1 ОП-транзистора 351(ключи) 5 и 5 , имеющих исток 6,сток 7, затвор 8. Матрица снабженадвумя системами взаимно-ортоганальных токоотводящих шин: вертикаль 1/них 9 - Х и 10 - Х , а также 40Йгоризонтальных 11 - Г, и 12 - 11Истоки ключей 5 подключены к фотоприемным элементам 4. Затворы 8ключей 5 - и шинам О. Стоки 7ключей 5 подключены к шинам 11,а стоки 7 ключей 5 - к шинам 12.Линейка...

Номер патента: 1141952

Опубликовано: 30.11.1985

Автор: Берковская

МПК: H01L 31/06

Метки: фоточувствительный, элемент

...смещения на Фоточувствительном элементе.Что касается выбора физическихпараметров трех слоев из условия (11,то решение этой задачи в общем видедля конкретнойневозможно. Однако, если задаться рядом физическихпарйметров,таких,как: й, р, Ь, Ьр ,, р, Р, Рр, положить известными ЫсЛ 1, р, то можно на ЭЦВМ рассчитать, например, И = Ид(М) и Юр == Ц р(1).Расчеты осложнены тем обстоятельством, что Ир и И не являются независимыми величинами Ю= У р (И ро)Выбор У и У также зависит от конрцентрации неосновных носителей в рслоях п и в п-нелегированном слоерДля расчетов положили: па1200 см В " С "; с = 250 см В фхС-; Ь= 0,04 см; Ьр 0,3 см;0 =31 см с "; Рр 6,5 смф С "1 смс. Мр/У для сокращения объема вычислений придавалисьследующие первые...

Номер патента: 1106425

Опубликовано: 23.11.1985

Авторы: Берковская, Кириллова, Подласкин, Столовицкий

МПК: H04N 5/30

Метки: измеритель, одиночного, положения, пятна, светового

...10 и 11 питания и тем самым изменяет распределение напряжения на делительных слоях.Необходимо для функционирования устэройства чтобы нулевая эквипотенциаль, перемещаясь вдоль структуры,оставалась на двух делительных слояхна одной прямой, перпендикулярнойоси измерений. Поэтому управляющеенапряжение с выходов интегратора 17должно в рассматриваемом случае поступать в нижнюю цепь со знаком "+",а в верхнюю - со знаком "-11, Развязывающие элементы 12 и 13 не пропускают управляющее напряжение в прямые цепи, на усилители 14 и 15,Под действием управляющего напряжения нулевая эквнпотенциаль начина.ет перемещаться из положения посередине структуры - отсчетного по ложения при данном включении источников 10 и 11 питания, когда все четыре...

Номер патента: 1156102

Опубликовано: 15.05.1985

Авторы: Берковская, Кириллова, Подласкин

МПК: G06K 9/00

Метки: движущегося, объекта, поверхности, поступательно, цилиндрического, шероховатости

...которой предварительно создана двустрочная структура сканистора,40Устройство работает следующимобразом.В исходный момент времени на дветорцовые поверхности строк сканистора проецируются два участка волнового фронта отраженного оптическогосигнала от анализируемой поверхности цилиндра, К контактам делительныхслоев 5 и 5 параллельно подключенисточник 7 постоянного смещения Е, .Линии равного потенциала располагают.ся в делительных слоях идентичнопо радиусам, причем напряжение вдольполуокружности изменяется от +,изменяющий напряжение за время комХа, Ыа мутации полуколец Т от +;-а до ,а.2 2 Дифференцирующие усилители 6, и 6 подключены к контактам 4, и 4. Таким образом, генератор пилообразного напряжения оказывается включенным параллельно...

Номер патента: 1150634

Опубликовано: 15.04.1985

Автор: Берковская

МПК: G06K 9/58

Метки: объектов, поверхности, цилиндрических, чистоты

...Т/4, внутренняя рас сеивающая поверхность 10 осветителя 6 - угол й/4. Причем эти две поверхности между собой должны составлять угол л/2, При соблюдении этих условий угол падения подсвечивающего из О лучения будет равен углу отражения излучения, несущего информацию об анализируемой поверхности, реализуется квазифокусировка беэ использования специальной оптики. Точность установки поверхности достаточна 3 Ч 100. Сканистор 1 расположен параллельно осветителю 6 в плоскости, составляющей с продольной осью контролируемого объекта угол о. Величина угла д выбирается иэ следующих соображений. Чтобы обеспечить максимальную скорость контроля поверхности, ее необходимо непрерывно перемещать со скоростью Ч мимо апертуры фото- преобразователя, роль...

Номер патента: 1129616

Опубликовано: 15.12.1984

Авторы: Берковская, Дядюченко, Кузьмина, Фирле, Шек-Иовсепянц

МПК: G06F 11/26

Метки: логических, узлов

...2 памяти. Из блока 2 памяти выбирается команда, которая поступает в блок 3 наинформационные входы регистра 23 команд иэлемента 26 ИЕдиничный сигнал с инверсноговыхода триггера 25 числа разрешаетприем команды в регистр 23 команд.Команда состоит из кода операции, адреса и признака числа, Адрес с первого выхода регистра 23 команд поступает на вход регистра 22 адреса, кодоперации с третьего выхода регистра23 поступает,в дешифратор 24 кода операций, признак числа с второго выходарегистра 23 - на триггер 25 числа,Дешифратор 24 вырабатывает управляющие сигналы, поступающие на управляющий вход счетчика 20 команд приоперации передачи управления, науправляющий вход элемента 29 И и науправляющий вход регистра-накопителя28 при операциях...

Номер патента: 1019667

Опубликовано: 23.05.1983

Авторы: Берковская, Кириллова, Подласкин, Столовицкий

МПК: H04N 5/30

Метки: света, сигнал, электрический

...в том числе и разделенным на дискретные элементы. Общий слой 2 снабжен общейтакоотводящей шиной 5, конФигурациякоторой обеспечивает Фоточувствительность общего слоя 2. Делитель- .ные слои 3 и 4 снабжены соответственно контактами 6,7 и 8,9.К делительным слоям навстречу другдругу подключены источники 10 и 11распределенного смещения, а такжегенераторы 12 и 13 считывающего напряжения разной полярности.Общая токоотводящая шина 5 злект.рически соединена с общим усилителем 14. НеФотсчувствительность делительных слоев 3 и 4 достигается,например, нанесением металлических. слоей 15 и 16 поверх слоя изолирую"щего окисла. К выходам генераторов12 и 13 счйтывающего напряжения35подключены кодирующие усилители 17и 18 считывания, К общему усилителю14...

Номер патента: 833119

Опубликовано: 07.11.1982

Авторы: Берковская, Кириллова, Муратиков, Подласкин, Суханов

МПК: H01L 31/06

Метки: фоточувствительный, элемент

...р-и - переходом регистрирующего элементаЭто достигается тем, что легированный наружный слой ЗО выступает над диэлектрической маской, а легированная экранирующая рамка нв имеет окантовки. Тем самым носители, рожденные слабопоглащаемым светом в основном разделяются р-и - переходом З 5 регистрирующего элемента. Носители, созданные глубокопоглощаемым светом в этом промежутке, либо рекомбинируют на тыльной стороне ив слоя, либо раэ" деляются обоигли р-и - переходами в 40 равной мере.Таким образом, в таком устройстве достигается уменьшение линейных размеров элемента, Ширина внешней диэлектрической рамки и экранирующей рамки может быть выбрана существенноменьше В.Сущность изобретения поясняется чертежом, на котором дано поперечное сечение...

Номер патента: 744790

Опубликовано: 30.06.1980

Авторы: Берковская, Кирилова, Подласкин, Суханов, Тучкевич, Явич

МПК: G06K 9/00, H01L 27/14

Метки: полупроводниковый

...форме пространственно-частотного спектраизображения. Операции над спектром, в отличии от операций над видеосигналом, позволяют эффективно отфильтровывать неинформативные составляющие, исключать влияние параллельных переносов, изменениямасштаба, яркости изображений, использовать непосредственно значения пространственно-частотных составляющих в качествепервичных признаков для проведения разделяющих поверхностей между классами изображений. Таким образом, число тактовработы устройства может быть существенноменьше числа тактов, обеспечивающих по 4 Ю элементно-последовательный опрос всей матрицы.Устройство работает следующим образом.В исходный момент времени на матрицуфотоприемных элементов спроецировано регистрируемое линейное...

Номер патента: 744653

Опубликовано: 30.06.1980

Автор: Берковская

МПК: G06G 9/00

Метки: изображений, коррелятор, некогерентный, оптических

...от местоположения ячейки относительно тыльного делительного р-и (п-р) - перехода, от момента коммутации напряжения источника пилообразного напряжения, от местоположения ячейки относительно отводов делителя блока синтеза, от мгновенного значения напряжения на выходе блока перемещений эталонной функции. В исходный момент времени все ячейки - элементы матрицы свет воспринимают. Устройство работает следующим образом.В первый интервал времени Ыпереключаются нижние (верхние) ячейки, не более одной в каждой строке, в соответствии с синтезируемой функцией. Это переключение происходит под воздействием генератора коммутирующего пилообразного напряжения. Фототок с элементарных ячеек, расположенных выше (ниже) нулевой эквипотенциали, суммируется...

Номер патента: 652829

Опубликовано: 15.03.1980

Авторы: Берковская, Кириллова, Подласкин, Чертков

МПК: H01L 31/04

Метки: полупроводниковый

...и Ги, Суммарный сигнал обеспечивает такое распределениепотенциалов по линейке фотодиодов Оцчто на ячейках номера 9 и иОц =О.Соответственно, фототок через эти ячейки равен нулю, а токи через все осталь 40ные ячейки пропорциональны их освещенности. Число ячеек, находящихся под нулевым напряжением, зависит от амплитуды управляющего. импульса, и может из-,меняться каждый такт работы устройст 45ва. Таким образом, осуществляется оперативное управление апертурой сканирования без перестройки устройства.В случае использования р-и фото 5 одиодов устройство работает следующимобразом. В исходном состоянии регистрируемое распределение освещенности создает электронно-дырочные пары. Положительное смешение на линейке достаточно для того, чтобы область...

Номер патента: 615506

Опубликовано: 15.07.1978

Авторы: Берковская, Бернштейн, Гуревич, Кулиманина, Луизова, Подласкин

МПК: G06K 9/00

Метки: поверхности, степени, шероховатости

...Н, Тупица Заказ 3912/40 Тираж 826 П однисно ПНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по дел.1 м изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Рвушскля нвбд. )/5,гГгчувствитепьные строки ориентированы перпендикулярно интерференционным полосам.Входы анализатора соединены порознь с Кстроками фотоприемника. К контактам параппельно подключен источник постоянного напряжения, создающий равномерное 5распределение потенциала в высокоомномслое, выполняющем роль делителя напряжения источника. Линии равного потенциала рвспопагаются в высокоомном споепараплельно электрическим шинам от величины/2 до+ (2. Последовательнос источником постоянного напряжения ис р-И -р структурой включен источникком мутируюшего пипообразного...

Номер патента: 434843

Опубликовано: 25.08.1977

Авторы: Берковская, Подласкин

МПК: G06G 9/00

Метки: анализатор, оптоэлектронный

...сицтезирована первая маска 5, , тах кех она соответствует полной нечувствительности матрицы, напряжения на шинах 11 и 12 от блока 4 синтеза масох должны быть равныО;г ОДействительно, подача напряжения -- Р 2 на все шины создает в перекрестиях смещение, близкое к нулю, фотоприемцые ячеЭ- ки свет практически не воспринимают, а ток через них близок к нулю или не превышает ( (тох насыщения в непереключецном состоянии).ФВ следующий интервал времени Т = Тна излучающей матрице снова синтезируется анализируемая излучающая конфигурация, та же, что в Т(а на фотоприемной матрице- новая маска 5(г, Для этого на шинах Х 1ХгХХ(,У У(от блока синтеза масок в течение ийтервала времени ТТг поддерживается напряжениеОР , е ца шинах У и У (- - Такимг...

Номер патента: 541182

Опубликовано: 30.12.1976

Авторы: Берковская, Бернштейн, Гуревич, Кулиманина, Луизова, Подласкин

МПК: G06G 9/00

Метки: коррелометр, некогерентный, оптический

...линейки фотоприемников 2.На фиг. 2, б представлена вольт-ампернаяхарактеристика элементарной ячейки линейкифотоприемников, При отрицательном (положительном) смещении на р - п - р (и - р - п)ячейке относительно общей шины ток определяется темновым током через тыльный р - ппереход гт, При положительном (отрицательном) смещении на р - п - р (и - р - п)ячейке ток определяется в отсутствии освещения темновым током лицевого р - п-перехода ячейки гт а при освещении световой добавкой тока через лицевой р - и-переход гс,1 с причем с, соответствует большим освещенностям. Рабочее напряжение на ячейкахБраг выбирается в пределах Уо(.:раб( -пргде Ров =МТ 2(й - постоянная Больцмана,Т - температура, К, и - коэффициент, зависящий от полупроводникового...

Номер патента: 452285

Опубликовано: 05.11.1976

Авторы: Берковская, Кириллова, Подласкин, Суханов

МПК: G11C 11/42

Метки: выборкой, пространственно-распределенный, прямой, слова, фотоприемник

...В каждом участке сформированы две области 3 и 4 р(И )-типа проводимости, симметрично расположенные относительно разделяющей их базовой области5, которой служит материал этого же изолированного участка, Области 3 электрически соединены с адресными шинами 6, а области 4 - с разрядными шинами 7, Шины 6и 7 электрически изолироьаны одна от другой на площадках ь. Расстояние междур( п )-областями 3 и 4, т, е, ширина базовой области 5, не превышает длины диффузионного смещения нсосновных носителейтока, созданных светом в базовой области,Лгпиа диффузионного смещения зависит отчистоты материала, составляющего участки 2и может быть выбрана в случае использования кремния от десятых долей микрона досотен микрон.11 исходном состоянии на матрицу...

Номер патента: 442742

Опубликовано: 25.02.1976

Авторы: Берковская, Подласкин

МПК: G11C 11/42

Метки: пространственно-распределенный, фотоприемник

...на поверхности областей 3, адресными шинами - контакты 5 и 6, расположенные на краях области 3. Разряд" ные и адресные шины взаимно ортогональны,Изоляция элементарных ячеек друг от друга достигается за счет того, что область 1 обладает повышенным удельным сопротивлением,) и малым временем жизни. Повышение удельного сопротивления базовой области в случае использования кремния може" б,ыть достигнуто, например, за счет, компен сации примесей, даюших мелкие уровни, зо лотом до величины = 4.10 ом см, Вы 5бор толщины исходной пластины монокристалла и глубин диффузии при формировании р-ипереходов, а также выбор удельного сопротивления базовой области диктуется требованием, чтобы динамическое падение напряжении на - и переходах...

Номер патента: 401298

Опубликовано: 25.09.1974

Авторы: Берковская, Кириллова, Меськин, Пекный, Подласкин, Равич

МПК: H01L 33/00

Метки: 401298

...В соответствии с цз.лененц8 М Ве 11-ЛНЫ Е ВОрстЛепт НЗМВНЛгтсяСДНС ттЯРтоС Т СМеШецня ЦЯ и ЧЕ гтСЯХ И ОСУ гЦЕ,слвтяеся скя 11 црованц Излуч 8 гия, про фцесс продолжается Вредс Т, равное нерцопу чзменения напряжения ЕЗа это врес тслмя высвечивается весь набор излучающихконфигураций К, где г равно тислуЗг.Ет 81 ТЯРНЫХ ЛЧЕЕК.ЯТас., простейшем случае при линейномДЕЛНТЕЛЗ НаНРЛт 8 НИЯ 1, , ", -., ЛЦг-г 4Нтзтгпог ИЗд.:81 ЕНгц анрякеПЛя 1- = ", г.СМ СМ. 0щг раВНОМериой раСВЕТКЕ ВСЕХ фОТОПИОДОВ и ПОГ,:18 ДОтатеЛтОД РаСПОЛОжЕНИИ СВС Тот ПОДО тгВ СПНСгй СТООКЕ За ВрЕЛя 1 Грапцпа тг 81 т ттг). Ю 1 Л 1".: Элед 8 НТОВ РЯВНОт 8 Рто ПЕРОМ 8 Цае" с од;сно края излучателя к другомуЯ ГтцскрвттЬХ НОтОг 81 цт,.,ЬН 1 тянгтлгпепгтт...

Номер патента: 151705

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Берковская, Ильин, Крейцер

МПК: H03K 17/04, H03K 17/16

Метки: быстродействующий, коммутатор, электронный

...открывают триоды Т, н Т. Конденсаторы С и С через обмотки Ь, трансформатора Тр и триоды быстро заряжаются до напряжения, зависящего только от потенциала, подаваемого на базы триодов. Во время отсутствия селекторного импульса триоды закрыты и через параллельные им сопротивления Р, и Р, успевает произойти полный разряд конденса. торов С и С. Разброс и неустойчивость параметров триодов Т, и Т, а также неравенство емкостей конденсаторов С и Ср и обмоток 1. может сказаться лишь на постоянных времени разряда и заряда конденсаторов. Потенциометрами Р и Рз можно осуществлять выравнивание постоянных времени разряда и заряда соответственно, что позволяег в значительной мере осуществить баланс в моменты переднего и заднего фронтов импульса....

Номер патента: 69006

Опубликовано: 01.01.1947

Авторы: Берковская, Файнштейн

МПК: A61K 31/43, A61K 9/14, A61K 9/19 ...

Метки: безводной, выделения, натриевой, органических, пенициллина, раствора, растворителях, соли

...в нормальном бутилово бавляют эфир нли другой о триевая соль пеьпцпллина промывают и высушивают пз еп цплл щпйся ициллпн срН 64ь в кот отфильтр а пз ее тем, что11 Е П Р 11- - 6,8 прим павают ИзВестны спосооы Выделеня Оезпо 1 ОЙ нет 1)пеВОЙ соли пеппцпллина из ее водных растворов вымораживанием в специальной аппаратуре или оса 5 кде 1 Ием ее тимол 51 том натрия и пз эф 1 грных раств 01)ОВ пе нициллина не 11 т 1)агизацией их сухих бпка 1 оонатОм натрия.Предлагаемый способ выделения безводной натрпсвой соли пенициллина нз ее растворов В органических растворителях состоит в следующем.К концентрированому очищенному растворуатрпевой соли пенициллина в органическом растворителе (нормальный бутиловы Плп амиловый спирт и др.) с рН 6,4 - 6,8...

Номер патента: 69005

Опубликовано: 01.01.1947

Авторы: Берковская, Файнштейн

МПК: A61K 31/43, A61K 9/14, B01D 12/00 ...

Метки: выделения, пенициллина, сухого

...соль пенициллина безводным эфиром, то получается порошок сухого пенициллина (натриевая соль).Преимущества предлагаемого способа:1. Простота и выполнимость без специального оборудования (аппаратура для вымораживания),2. Сокращается процесс получения концентрированного пенициллина,3, Выход сухого пенициллина составляет 98 - 100/о от очищенного пенициллина,4. Полученный сухой пенициллин менее гигроскопичен, чем полученный по старому способу.М 69005 П р и м е р, К раствору пенициллиновой кислоты в эфире, содержащему 1 000 000 оксф, ед, пенициллина, прибавляют сухой бикарбонат натрия в количестве, потребном для нейтрализации пенициллиновой кислоты 1 количество бикарбоната натрия определяется предварительным титрованием 2 мл эфирного...

Номер патента: 67567

Опубликовано: 01.01.1946

Авторы: Берковская, Файнштейн

МПК: A61K 31/43, A61K 9/14, A61K 9/19 ...

Метки: пенициллина, препарата, сухого

...температуре.Применение пенициллина в смеси с инъекционными препаратами возможно; при глотании же пенициллина желательно содержание в препарате цитрата натрия или фосфата натрия, так как последние стабилизируют пенициллин в кислой среде желудочного сока,Безводную глюкозу, цитрат натрия или фосфат натрия 1 Ха 2 НРО 44 НО) смешивают с небольшим количеством эфира и концентрированным очищенным раствором пенициллина-Ха (содержагцим пс менее 100 окс. ед, в 1 мг сухого вещества). Полученный порошок (осадок) промывают эфиром и высушивают в вакууме при комнатной температуре, Прим ер. Берут 40 - 40 г безводной глюкозы или 5 - 6 г цитрата натрия (для инъекционного препарата) и 50 - 30 г цитрата натрия или 30 г двузамещенного фосфата натрия...

Номер патента: 66864

Опубликовано: 01.01.1946

Авторы: Бергольц, Берковская, Порудоминский

МПК: A61K 31/43, A61K 9/20

Метки: пенициллина, пилюль, таблеток