Способ измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводнике мдп-структуры

Номер патента: 919486

Опубликовано: 30.08.1983

Авторы: Захаров, Настаушев

МПК: H01L 21/66

Метки: времени, генерационного, жизни, заряда, мдп-конденсаторах, неосновных, носителей

...частоты для исключения влияния помех. Целью изобретения является повы"шение производительности и точностиустройства.Цель. достигается тем, что в устройстве для определения генерационного времени жизни неосновных носителей заряда в МДП-конденсаторе,содержащем усилитель высокой частоты с амплитудным детектором, генератор импульсов, генератор высокойчастоты, стробоскопический детектор,два выхода которого соединены с входами самопишущего потенциометра,схему синхронизации, первый выход 55 которой соединен с первым входом стробоскопического детектора, а второйвыход соединен с генератором импульсов, выход которого соединен с пер486Устройство работает следующим образом.Импульсное напряжение с выходагенератора 1 через разделительнуюсхему 11...

Номер патента: 951198

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Ромейков, Семушкина

МПК: G01R 31/26

Метки: времени, жизни, заряда, неосновных, носителей, переходах, полупроводниковых, р-п

...Кроме того, укаэанный способ не позволяет проводить измерения времени жизни Ф неосновных носителей заряда при вы- . соких уровнях инжекции, так как прибольших активных токах погрешностьизмерения емкости известными способами становится очень велика.Наиболее близким по техническойсущности к изобретению является способ измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковых приборах, основанный на использовании зависимости переходныххарактеристик от этого времени и заключающийся в том, что по осциллографуустанавливают нулевую длительностьвершины импульса обратного тока и 15 измеряют сопротивление цепи в прямомили обратном направлениях, по которому определяют искомое время жизни 23. 20Недостатками известного...

Номер патента: 983595

Опубликовано: 23.12.1982

Авторы: Гостищев, Любивый

МПК: G01R 31/27, H01L 21/66

Метки: времени, жизни, заряда, материалах, неосновных, носителей, полупроводниковых

...усилитель 7, измеритель 8 временных интервалов, генератор 9 импульсов, светоиэлучающийэлемент 10, запредельное отверстие11. Светоиэлучающий элемент 10 соединен оптически с образцом 4 череззапредельное отверстие 11 в волноводном тракте направленного ответвителя 3,Устройство работает следующимобразом. 10Поток мощности СВЧ электромагнитной волны с генератора 1 через вентиль 2, предназначенный для пропусканин мощности только в сторону измеряемого образца, т.е. для развязки генератора и измерительной цепи,направленный ответвитель (НО) падает на образец 4. Согласующий элементв виде короткоэаьыкающего подвижногоплунжера 5, включенного после образца 4, увеличивает дифференциальныйотклик системы путем настройки наминимальный отраженный...

Номер патента: 1020788

Опубликовано: 30.05.1983

Авторы: Жуков, Лошкарев, Мусатов, Улимов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: базе, времени, жизни, заряда, неосновных, носителей, транзистора

...с . через баверзу транзистора и коэффициент передачи тока змиттера сС транзистора, включенного по Схеме с общей базой и вычисляют время жизни неосновных носителей в базе по формуле(1) ф " эффетивность эмиттера,коэффициент переноса носктелей, определяемый по фор.муле пер 1.5 фчРч(2) о; - коэффициент размноженияв коллекторе. Недостаток способа заключается в том, что из формул 1 и 2 получают некоторое усредненное значение времени жизни Т, так как константа р состоит из двух составляющих рчопределяемое рекомбинацией носителей в объеме базы, 5 - определяемое рекомбинацией на поверхности базовой области р = рч р . Формула 1 преобразуется в вйд Для более точного определения объемного времени жизни неосновных носителей в базе транзистора...

Номер патента: 1075202

Опубликовано: 23.02.1984

Авторы: Стельмах, Уренев

МПК: H01L 21/66

Метки: времени, жизни, заряда, неосновных, носителей, полупроводниках

...вследствие низкой чувствительности выделение полезногосигнала на фоне паразитных фото-ЭДСтребует увеличения времени регистрации.Цель изобретения - повышение точности измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниках.Эта цель достигается тем, чтов устройстве, содержащем блок намагничивания, соединенный с генератором переменного тока, источник светаи оптически связанный с ним модулятор света, блок регистрации, блокнамагничивания выполнен в виде двухпараллельных пластин со сквознойпродольной щелью, один конец которых замкнут, а два других подключены к генератору тока, при этомпродольная ось симметрии щели перпендикулярна продольной оси источника и модулятора света и пересекает ее,На чертеже представлена схема данного...