H01L 21/288 — из жидкости, например способом электролитического осаждения

Номер патента: 22817

Опубликовано: 30.09.1931

Автор: Митяев

МПК: H01L 21/288

Метки: выпрямителей, контактных, медно-окисных

...фия Советский Печатник", 11 щовая. 1 В патенте8473 описан контактный медноокисный выпрямитель переменного тока, в котором окисная пленка несимметрично проводящей пары снабжена наращенным металлическим слоем, служащим в качестве контактной поверхности. Обычно наращивание этого слоя производится при помощи постоянного тока, однако, при этом по краям пленки и по различным трещинкам получаются короткие замыкания выпрямительного элемента осаждающимся металлом;Согласно предлагаемому изобретению, с целью устранения этого недостатка, электролитическое наращивание окисной пленки слоем металла производится с применением переменного тока. Тогда в местах, где имеется слой закиси меди, будет происходить выпрямление переменного тока и осаждение...

Номер патента: 104970

Опубликовано: 01.01.1956

Авторы: Ефимов, Невежин

МПК: C25D 3/22, C25F 3/14, H01L 21/288, H01L 21/3063 ...

Метки: барьерного, поверхностно, триода, цинко-германиевого

...ПОВЕРХНОСТНО-БА И Н КО-ГЕРМАН И ЕВОЕРНОГО ТРИОДА ЪЕТР ГУИКИ, с ОСаЖЛЕИИЕ ПИИКс) П 1)И плотности т(и(д 0,2 - 0,6 Гг,(,5-", отнесенной к попсре помм сс ичию ОсапКс 1Д,151 ,.Сипссиия Обрдтиог тока коллектора блок триоцд иолвергдет- С 51 ." И . ИсС С К и ) 1 Т Г) а В, 1 СЧ И И О В ТЕ с Е И И Е 3 сскмил и " -но раствоие;зот;ой кис,оты и иосгеу,.юцсм) -1 Й-сск)и;иотл травлению и растворе:100 г.г С)0, и 3 гг НО 1 релмет изобретения1. СГособ изгОтовгсии 51 )пикс)-Геи маииевого повсркностио-бдрьс рного ТИПО;с 1 ПМТЕ)1 Эг СКТИОСИТИсЕСКОГс) струиого Г( рвлеиия;вл: СОГ)спы.с ,1 МИОК. В ГСИМс 11 ИЕВОП П,ЯСТИКЕ С ПО- с,ел к)ци. э,ско,ип и 1 ким осаж- ПЕНИЕМ ЦсКОЬЫК ЭМИттЕРД И КОЛЛЕК- тора, от,(ичдюцийся тем, что, С ЦЕЛЬЮ ОСУ 1 ИССТВ 1 ЕПИЯ...

Номер патента: 156250

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: H01L 21/288

Метки: 156250

...необходимую плошадь р - п-перехода. Режим диффузии и вплавления подбирается так, чтобы алюминий проплавил образованный при диффузии р - и-переход. Затем алюминий и силумин вытравливаются, например, в соляной кислоте, при этом снимаются механические напряжения в р - п-переходе. По всей поверхности пластины кремния, це156250зависимо от площади сплавного р - ц-перехода, способом гальванического никелпрования наносится металлизированный невыпрямляющий контакт, Далее пластина разрезается на квадраты, которые после травления и лакировки боковых граней поступают на сборку,Режим диффузии подбирается таким образом, что напряжение пробоя диффузионного р - и-перехода больше сплавного в 2 - 3 раза, и следовательно, р - ц-переход малой...

Номер патента: 315229

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Курносое, Лавровска, Романова, Тажирова

МПК: H01L 21/288

Метки: выступов, контактных

...одной пластины не представляется возможным.315229 Составитель А. Б. КотРедактор Т. 3. Орловская Техред 3. Н. Тараненко Корректор Л, А. Царькова Заказ 3154/12 Изд. Мз 1325 Тираж 473 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 3Разброс выводов по высоте затрудняет сборку матриц из-за отсутствия надежного электрического контакта.Целью изобретения является усовершенствование способа получения выводов в планарных полупроводниковых приборахпозволяющего увеличить механическую прочность и уменьшить контактное сопротивление выводов, обеспечить правильную геометрию и уменьшение разброса по высоте выводных электродов, полученных электролитическим...

Номер патента: 328518

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Ильичев, Пио, Худ

МПК: H01L 21/288

Метки: выводов, лужения, полупроводниковыхприборов

...выводов от попадания частиц припоя на изолятор. После этого прибор промывают. Предмет изобСпособ лужения вывод вых приборов, например д сепия защитного слоя на флюсованпя выводаи нане чаои 1 ийся тем, что, с цель водптельностп, защитный с изолятора прибора созда наплыва флюса прп одпов ниц вывода прибора. р ете упроводникопутем нанетор прибора, припоя, отлишения произповерхности ем нанесения ом флюсоваов полиодов,изолясенияо повы,юй нают путоемегп Изобретенне относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в процессе обслуживания выводов полупроводниковых приборов, в частности диодов, стабилитронов и т, д, 5Известен способ лужения выводов полупроводниковых приборов, например диодов, путем...

Номер патента: 381119

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H01L 21/288

Метки: заготовок, полупроводниковых, приборов, припоя, сборки

...не восстанавливается при пайке в водороде (не диссоциирует в вакууме) и препятствует полной смачиваемости поверхности. Низкое качество контактов снижает надежность и циклостойкость приборов и повышает их тепловое сопротивление.Согласно предлагаемому способу, с поверхности прокатанной ленты или вырубленных заготовок удаляется пленка окислов химическим или механическим путем и наносится тонкий слой металла, окислы которого восстанавливаются водородом (например, слой никеля) или диссоциируют (например, слой серебра) при нагреве в процессе пайки до расплавления припоя. Нанесенный металл защищает припой от окисления, а в процессе пайки растворяется в припое. Толщина металлизации определяегся химическим составом припоя. Этот способ...

Номер патента: 429483

Опубликовано: 25.05.1974

Авторы: Богданова, Зайцев, Пинчук, Рахленко, Френкель

МПК: H01L 21/288

Метки: 429483

...и несплошность покрытий.Покрытия из кислых растворов, содержащих хлорид никеля, гипосульфит натрия, натриевые соли органических кислот и глицин, в целом, давая более качественные покрытия, не обеспечивают достаточной прочности и сплошности покрытия на полупроводниковых структурах.Цель изобретения - разработка состава кислого раствора, обеспечивающего высокое качество покрытий на полупроводниковых структурах.Это достигается оптимизацией количества глицина в растворе.Уменьшение количества глицина (15 г/л) по сравнению с вводимым в известных растворах (30 г/л) повышает в 2 - 3 раза стабильность раствора и обеспечивает высокое качество сцепления и сплошность получаемых покрытий.5 Оптимальный состав раствора для получения покрытия на...

Номер патента: 439862

Опубликовано: 15.08.1974

Авторы: Алекперов, Мамедов

МПК: H01L 21/288

Метки: висмутом, слоев, сплава, теллура, тонких, электрохимический

...сплава теллура с висмутом па платине и титане с целью получения равномерной и компактной пленки проводят из раствора, содержащего 5 - 00 лслсоль/,г ТеС 4 и 20 - 115 лслсоль/,г ВС 12 в уксусной кислоте.Процесс электролиза ведется при добавлении и электролит 0,75 лсоль/л 1.С и плотности тока 0,5 - 5 лса/слс 2. Электролиз проводят в стеклянном герметично закрытом электролизере с двумя анодами из платины или графита, прокаленного при 300 - 350 С. Катодом служит гитаповая или платиновая пластинка. Состав и компактность осадка зависит от соотношения концентрации ТеС 1 и ВсС 1 электролите. 1-1 апр имер,сплава висмут -тановой основеэлектролита с2 о . 1 до 1 . 5 пПреим 1 щестляется то, чтококристалличесмерно покрываО сплава висмут -технологии...