H01L 21/443 — из газа или пара, например конденсацией

Номер патента: 306650

Опубликовано: 01.01.1971

МПК: H01L 21/443

Метки: барьером, диодов, полупроводниковых, шоттки

...того, толщина пленки не ограничивается вследствие термического разложения, как это обычно имеет место при использовании шестифтористого вольфрама. Можно легко образовать пленки вольфрама толщиной боле 1 лк.В соответствии с предложенным способом, на подложку может быть осаждена пленка вольфрама, однородная по толщине, с металлическим блеском, не содержащая неразложившихся галоидных соединений вольфрама.Кроме того, поскольку температура полупроводниковой подложки остается ниже 500 С, химически устойчивые промежуточные вещества на границе между этой подложкой и пленкой вольфрама не образуются, и на границе формируется барьер Шоттки, обладающий хорошим выпрямительным действием.На фиг. 1 показана установка для осу.цествления способа; на...

Номер патента: 409631

Опубликовано: 05.09.1974

Авторы: Акимов, Логунов, Цырлин

МПК: H01L 21/443

Метки: 409631

...(10 - 30) к поверхности диэлектрика, причем направление потока атомов распыляемого металла перпендикулярно к образующей ступенек в слое диэлектрика, а толщина напыленного слоя не превышает высоту последних.При напылении металл наносят лишь на поверхности, образующие положительные углы с направлением напыления, а именно, на внешнюю поверхность рельефа, передние склоны канавок и примыкающие к ним участки оснований последних. Задние склоны канавок, образующие с направлением напыления отрицательный угол, и экранируемые ими участки оснований канавок, остаются непокрытыми металлом, в результате чего между электродами образуются зазоры субмикронных размеров, величина которых определяется высотой ступенек и углом напыления.5 Предлагаемый способ...