Подласкин

Номер патента: 1625178

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Берковская, Кириллова, Подласкин, Столовицкий

МПК: G01J 1/44

Метки: освещенности, распределения

1. Способ измерения распределения освещенности, основанный на преобразовании освещенности в распределение токов элементарных ячеек мультискана, разделении токов элементарных ячеек на две группы линией нулевого потенциала, усилении токов, причем усиление от первой группы производят в K1 раз, вычитании усиленных токов, интегрировании во времени результата вычитания токов, управлении положением линии нулевого потенциала сигналом, полученным в результате интегрирования, измерении величины выходного напряжения мультискана, по которому судят о распределении освещенности, отличающийся тем, что, с целью увеличения информативности, дополнительно усиливают суммарный ток от всех элементарных ячеек в K2 (n) раз, из...

Номер патента: 1654768

Опубликовано: 07.06.1991

Авторы: Боков, Веселова, Морозов, Навасардян, Подласкин, Столовицкий

МПК: G02B 26/10

Метки: сканирующее

...вдоль оси совместно с кареткой 1 (У), так как оптико-механический блок 13 жестко связан с ней. Точки изображения на фотопленке освещаются световым потокам, формируемым конденсором 6, и с помощью объектива 16 и плоскопараллельного зеркала 17 проецируется на фоточувствительный слой мультискана. Объектив и плоскопараллельное зеркало оптико-механического блока расположены на пути светового потока, несущего информацию от изображения на фотопленке к экрану в область измерения; изображение проецируется на мультискан или при выведенных из фильмового канала оптических элементах в на экран. Оптико-механический блок при перемещении каретки У вводит 5 оптические элементы одновременно в дваканала и выводит их также одновременно из обоих...

Номер патента: 1362925

Опубликовано: 30.12.1987

Авторы: Берковская, Кириллова, Осипов, Подласкин, Роготнев, Столовицкий, Шелковников

МПК: G01B 21/00

Метки: фотоэлектрический

...узла 6 дефлектора, Под действием управляющего напряжения с выхода блока 8 управления дефлектором зеркальный отражатель узла 25 6 дефлектора совершает периодическиеколебания с частотой й при этомотраженный от него колеблющийся узкийлуч поступает на второй вход светоделительной призмы 2, а с ее выхода - З 0 на фоточувствительную линейку мультискана 1.При опросе,мультискана 1 пилообразными напряжениями.(фиг. 2 в) свыхода блока 9 опроса с частотой135 й = -- на выходе блока 13 формиоп Труется информационный видеоимпульс(фиг. 2 г) от изображения объекта 4или связанного с ним светового зонда.40 На выходе блока 12 выделения координатоопределяющих импульсов прикаждом сканировании лучом оптическойразвертки фоточувствительной...

Номер патента: 1290281

Опубликовано: 15.02.1987

Авторы: Берковская, Кириллова, Подласкин, Столовицкий

МПК: G06C 9/00, G06K 9/00, H04N 5/208 ...

Метки: изображения, оптического, преобразования

...с вольт-амперной характеристикой симметричной р - и - р (и - р - и) -структуры.20При условии равенства фототоков, генерируемых лицевым и тыльным р - и-переходами, нормированный ток через элемент в зависимости от 11(управляющего потенциала) записывается в видеУи, Й 25+" ейск,ь+ 30где 1, - темновой ток через р - и - р-структуРУ1 - фототок через р - и - р-структуру;Фх Та 351)о=9Вольт-амперная характеристика р - и - рструктуры приведена на фиг. 2. В непосредственной близости от 0 характеристика 40 практически линейна. По заданным кодируюшей функцией краевым значениям в соответствии с вольт-амперной характеристикой либо по аналитическому выражению (1) ОПрЕДЕЛЯЮтСЯ ЗНачЕнИЯ 1.)ее макс И 1 1 и мии, КО- торые генерируют на парных...

Номер патента: 1285545

Опубликовано: 23.01.1987

Авторы: Берковская, Кириллова, Подласкин, Столовицкий, Суханов

МПК: H01L 31/18

Метки: мультискана

...1 мкм. Затем производят осаждение поликремния при 1100 С. После этого производят прецизионную шлифовку пластины со стороны, противоположной нанесенному рельефу, Предусмотрены специальные реперные изолирующие области, которые 35 протравливают на глубину 12 мкм. С помощью этих реперов шлифовку останавливают за 4 мкм до выхода на дно изо- лирующих областей: сигналом к прекращению шлифовки является выход на 4 О дно реперных областей.Лицевую сторону пластины отмывают и окисляют в атмосфере сухого кислорода в присутствии хлорсодержащих веществ, что обеспечивает фиксированный 45 заряд на поверхности 10 см и плотмность поверхностных состояний 10 смэВ. Затем вскрывают окна в окисле под токоотводящие 5 и делительные б и 7 слои, 11 роводят диффузию...

Номер патента: 766471

Опубликовано: 30.12.1985

Авторы: Берковская, Кругликов, Подласкин, Столовицкий

МПК: H01L 31/04

Метки: полупроводниковый

...30 45 транзисторов.На фиг. 1 изображена принципиальная блок-схема; на Фиг. 2карта суммирования Фототоксв элементарных ячеек с учетом знака Фототокадля положения ключевых элементов,в ,показанного на фиг. 1.ФК общей подложке 1, снабженнойобщей шиной 2, выполнена матрицаэлементарных ячеек 3. Каждая элементарная ячейка содержит фотоприемный элемент 4 и два Г 1 ОП-транзистора 351(ключи) 5 и 5 , имеющих исток 6,сток 7, затвор 8. Матрица снабженадвумя системами взаимно-ортоганальных токоотводящих шин: вертикаль 1/них 9 - Х и 10 - Х , а также 40Йгоризонтальных 11 - Г, и 12 - 11Истоки ключей 5 подключены к фотоприемным элементам 4. Затворы 8ключей 5 - и шинам О. Стоки 7ключей 5 подключены к шинам 11,а стоки 7 ключей 5 - к шинам 12.Линейка...

Номер патента: 1106425

Опубликовано: 23.11.1985

Авторы: Берковская, Кириллова, Подласкин, Столовицкий

МПК: H04N 5/30

Метки: измеритель, одиночного, положения, пятна, светового

...10 и 11 питания и тем самым изменяет распределение напряжения на делительных слоях.Необходимо для функционирования устэройства чтобы нулевая эквипотенциаль, перемещаясь вдоль структуры,оставалась на двух делительных слояхна одной прямой, перпендикулярнойоси измерений. Поэтому управляющеенапряжение с выходов интегратора 17должно в рассматриваемом случае поступать в нижнюю цепь со знаком "+",а в верхнюю - со знаком "-11, Развязывающие элементы 12 и 13 не пропускают управляющее напряжение в прямые цепи, на усилители 14 и 15,Под действием управляющего напряжения нулевая эквнпотенциаль начина.ет перемещаться из положения посередине структуры - отсчетного по ложения при данном включении источников 10 и 11 питания, когда все четыре...

Номер патента: 1156102

Опубликовано: 15.05.1985

Авторы: Берковская, Кириллова, Подласкин

МПК: G06K 9/00

Метки: движущегося, объекта, поверхности, поступательно, цилиндрического, шероховатости

...которой предварительно создана двустрочная структура сканистора,40Устройство работает следующимобразом.В исходный момент времени на дветорцовые поверхности строк сканистора проецируются два участка волнового фронта отраженного оптическогосигнала от анализируемой поверхности цилиндра, К контактам делительныхслоев 5 и 5 параллельно подключенисточник 7 постоянного смещения Е, .Линии равного потенциала располагают.ся в делительных слоях идентичнопо радиусам, причем напряжение вдольполуокружности изменяется от +,изменяющий напряжение за время комХа, Ыа мутации полуколец Т от +;-а до ,а.2 2 Дифференцирующие усилители 6, и 6 подключены к контактам 4, и 4. Таким образом, генератор пилообразного напряжения оказывается включенным параллельно...

Номер патента: 1019667

Опубликовано: 23.05.1983

Авторы: Берковская, Кириллова, Подласкин, Столовицкий

МПК: H04N 5/30

Метки: света, сигнал, электрический

...в том числе и разделенным на дискретные элементы. Общий слой 2 снабжен общейтакоотводящей шиной 5, конФигурациякоторой обеспечивает Фоточувствительность общего слоя 2. Делитель- .ные слои 3 и 4 снабжены соответственно контактами 6,7 и 8,9.К делительным слоям навстречу другдругу подключены источники 10 и 11распределенного смещения, а такжегенераторы 12 и 13 считывающего напряжения разной полярности.Общая токоотводящая шина 5 злект.рически соединена с общим усилителем 14. НеФотсчувствительность делительных слоев 3 и 4 достигается,например, нанесением металлических. слоей 15 и 16 поверх слоя изолирую"щего окисла. К выходам генераторов12 и 13 счйтывающего напряжения35подключены кодирующие усилители 17и 18 считывания, К общему усилителю14...

Номер патента: 833119

Опубликовано: 07.11.1982

Авторы: Берковская, Кириллова, Муратиков, Подласкин, Суханов

МПК: H01L 31/06

Метки: фоточувствительный, элемент

...р-и - переходом регистрирующего элементаЭто достигается тем, что легированный наружный слой ЗО выступает над диэлектрической маской, а легированная экранирующая рамка нв имеет окантовки. Тем самым носители, рожденные слабопоглащаемым светом в основном разделяются р-и - переходом З 5 регистрирующего элемента. Носители, созданные глубокопоглощаемым светом в этом промежутке, либо рекомбинируют на тыльной стороне ив слоя, либо раэ" деляются обоигли р-и - переходами в 40 равной мере.Таким образом, в таком устройстве достигается уменьшение линейных размеров элемента, Ширина внешней диэлектрической рамки и экранирующей рамки может быть выбрана существенноменьше В.Сущность изобретения поясняется чертежом, на котором дано поперечное сечение...

Номер патента: 842875

Опубликовано: 30.06.1981

Авторы: Острейко, Подласкин, Столовицкий, Черников

МПК: G06K 11/00

Метки: графическойинформации, считывания

...магнит, поле которого нормально к рабочей поверхности планшета, и элемент считывания, обмотки которого подключены через усилители к интеграторам, тем, что в нем пластинчатый постоянный магнит выполнен в форме симметричного креста, центральная прямоугольная часть которого совмещена с рабочей поверхностью планшета и имеет удвоенную намагниченность по отношению к остальным частям креста.Такое выполнение магнита устраняет краевые. эффекты поля в областях рабочей поверхности.Для унификации применяемых магнитных материалов центральная часть креста может быть выполнена из двух одинаковых наложенных друг на друга магнитов, имеющих ту же намагниченность, что и остальные части креста.На фиг. 1 представлена блок-схема устройства; на фиг. 2...

Номер патента: 744790

Опубликовано: 30.06.1980

Авторы: Берковская, Кирилова, Подласкин, Суханов, Тучкевич, Явич

МПК: G06K 9/00, H01L 27/14

Метки: полупроводниковый

...форме пространственно-частотного спектраизображения. Операции над спектром, в отличии от операций над видеосигналом, позволяют эффективно отфильтровывать неинформативные составляющие, исключать влияние параллельных переносов, изменениямасштаба, яркости изображений, использовать непосредственно значения пространственно-частотных составляющих в качествепервичных признаков для проведения разделяющих поверхностей между классами изображений. Таким образом, число тактовработы устройства может быть существенноменьше числа тактов, обеспечивающих по 4 Ю элементно-последовательный опрос всей матрицы.Устройство работает следующим образом.В исходный момент времени на матрицуфотоприемных элементов спроецировано регистрируемое линейное...

Номер патента: 652829

Опубликовано: 15.03.1980

Авторы: Берковская, Кириллова, Подласкин, Чертков

МПК: H01L 31/04

Метки: полупроводниковый

...и Ги, Суммарный сигнал обеспечивает такое распределениепотенциалов по линейке фотодиодов Оцчто на ячейках номера 9 и иОц =О.Соответственно, фототок через эти ячейки равен нулю, а токи через все осталь 40ные ячейки пропорциональны их освещенности. Число ячеек, находящихся под нулевым напряжением, зависит от амплитуды управляющего. импульса, и может из-,меняться каждый такт работы устройст 45ва. Таким образом, осуществляется оперативное управление апертурой сканирования без перестройки устройства.В случае использования р-и фото 5 одиодов устройство работает следующимобразом. В исходном состоянии регистрируемое распределение освещенности создает электронно-дырочные пары. Положительное смешение на линейке достаточно для того, чтобы область...

Номер патента: 615506

Опубликовано: 15.07.1978

Авторы: Берковская, Бернштейн, Гуревич, Кулиманина, Луизова, Подласкин

МПК: G06K 9/00

Метки: поверхности, степени, шероховатости

...Н, Тупица Заказ 3912/40 Тираж 826 П однисно ПНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по дел.1 м изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Рвушскля нвбд. )/5,гГгчувствитепьные строки ориентированы перпендикулярно интерференционным полосам.Входы анализатора соединены порознь с Кстроками фотоприемника. К контактам параппельно подключен источник постоянного напряжения, создающий равномерное 5распределение потенциала в высокоомномслое, выполняющем роль делителя напряжения источника. Линии равного потенциала рвспопагаются в высокоомном споепараплельно электрическим шинам от величины/2 до+ (2. Последовательнос источником постоянного напряжения ис р-И -р структурой включен источникком мутируюшего пипообразного...

Номер патента: 434843

Опубликовано: 25.08.1977

Авторы: Берковская, Подласкин

МПК: G06G 9/00

Метки: анализатор, оптоэлектронный

...сицтезирована первая маска 5, , тах кех она соответствует полной нечувствительности матрицы, напряжения на шинах 11 и 12 от блока 4 синтеза масох должны быть равныО;г ОДействительно, подача напряжения -- Р 2 на все шины создает в перекрестиях смещение, близкое к нулю, фотоприемцые ячеЭ- ки свет практически не воспринимают, а ток через них близок к нулю или не превышает ( (тох насыщения в непереключецном состоянии).ФВ следующий интервал времени Т = Тна излучающей матрице снова синтезируется анализируемая излучающая конфигурация, та же, что в Т(а на фотоприемной матрице- новая маска 5(г, Для этого на шинах Х 1ХгХХ(,У У(от блока синтеза масок в течение ийтервала времени ТТг поддерживается напряжениеОР , е ца шинах У и У (- - Такимг...

Номер патента: 541182

Опубликовано: 30.12.1976

Авторы: Берковская, Бернштейн, Гуревич, Кулиманина, Луизова, Подласкин

МПК: G06G 9/00

Метки: коррелометр, некогерентный, оптический

...линейки фотоприемников 2.На фиг. 2, б представлена вольт-ампернаяхарактеристика элементарной ячейки линейкифотоприемников, При отрицательном (положительном) смещении на р - п - р (и - р - п)ячейке относительно общей шины ток определяется темновым током через тыльный р - ппереход гт, При положительном (отрицательном) смещении на р - п - р (и - р - п)ячейке ток определяется в отсутствии освещения темновым током лицевого р - п-перехода ячейки гт а при освещении световой добавкой тока через лицевой р - и-переход гс,1 с причем с, соответствует большим освещенностям. Рабочее напряжение на ячейкахБраг выбирается в пределах Уо(.:раб( -пргде Ров =МТ 2(й - постоянная Больцмана,Т - температура, К, и - коэффициент, зависящий от полупроводникового...

Номер патента: 452285

Опубликовано: 05.11.1976

Авторы: Берковская, Кириллова, Подласкин, Суханов

МПК: G11C 11/42

Метки: выборкой, пространственно-распределенный, прямой, слова, фотоприемник

...В каждом участке сформированы две области 3 и 4 р(И )-типа проводимости, симметрично расположенные относительно разделяющей их базовой области5, которой служит материал этого же изолированного участка, Области 3 электрически соединены с адресными шинами 6, а области 4 - с разрядными шинами 7, Шины 6и 7 электрически изолироьаны одна от другой на площадках ь. Расстояние междур( п )-областями 3 и 4, т, е, ширина базовой области 5, не превышает длины диффузионного смещения нсосновных носителейтока, созданных светом в базовой области,Лгпиа диффузионного смещения зависит отчистоты материала, составляющего участки 2и может быть выбрана в случае использования кремния от десятых долей микрона досотен микрон.11 исходном состоянии на матрицу...

Номер патента: 442742

Опубликовано: 25.02.1976

Авторы: Берковская, Подласкин

МПК: G11C 11/42

Метки: пространственно-распределенный, фотоприемник

...на поверхности областей 3, адресными шинами - контакты 5 и 6, расположенные на краях области 3. Разряд" ные и адресные шины взаимно ортогональны,Изоляция элементарных ячеек друг от друга достигается за счет того, что область 1 обладает повышенным удельным сопротивлением,) и малым временем жизни. Повышение удельного сопротивления базовой области в случае использования кремния може" б,ыть достигнуто, например, за счет, компен сации примесей, даюших мелкие уровни, зо лотом до величины = 4.10 ом см, Вы 5бор толщины исходной пластины монокристалла и глубин диффузии при формировании р-ипереходов, а также выбор удельного сопротивления базовой области диктуется требованием, чтобы динамическое падение напряжении на - и переходах...

Номер патента: 401298

Опубликовано: 25.09.1974

Авторы: Берковская, Кириллова, Меськин, Пекный, Подласкин, Равич

МПК: H01L 33/00

Метки: 401298

...В соответствии с цз.лененц8 М Ве 11-ЛНЫ Е ВОрстЛепт НЗМВНЛгтсяСДНС ттЯРтоС Т СМеШецня ЦЯ и ЧЕ гтСЯХ И ОСУ гЦЕ,слвтяеся скя 11 црованц Излуч 8 гия, про фцесс продолжается Вредс Т, равное нерцопу чзменения напряжения ЕЗа это врес тслмя высвечивается весь набор излучающихконфигураций К, где г равно тислуЗг.Ет 81 ТЯРНЫХ ЛЧЕЕК.ЯТас., простейшем случае при линейномДЕЛНТЕЛЗ НаНРЛт 8 НИЯ 1, , ", -., ЛЦг-г 4Нтзтгпог ИЗд.:81 ЕНгц анрякеПЛя 1- = ", г.СМ СМ. 0щг раВНОМериой раСВЕТКЕ ВСЕХ фОТОПИОДОВ и ПОГ,:18 ДОтатеЛтОД РаСПОЛОжЕНИИ СВС Тот ПОДО тгВ СПНСгй СТООКЕ За ВрЕЛя 1 Грапцпа тг 81 т ттг). Ю 1 Л 1".: Элед 8 НТОВ РЯВНОт 8 Рто ПЕРОМ 8 Цае" с од;сно края излучателя к другомуЯ ГтцскрвттЬХ НОтОг 81 цт,.,ЬН 1 тянгтлгпепгтт...

Номер патента: 434617

Опубликовано: 30.06.1974

Авторы: Берковска, Литтебрандт, Ордена, Подласкин, Шуман

МПК: H04N 5/335

Метки: преобразования, света, сигнал, электрический

...счет более точной компенсации коммутнЗО рующего напряжения на ьходе дифференцпрующего усилителя. Компенсирующее напряжение формируется на основе сигнала, прошсднгего через компенсирующую фоточувствительную площадку сканистора, полученную на той же грани моокристалла в едином технологическом процессе, что и фотоприемная площадка. Таким образом, устраняется существенная часть ложных сигналов, связанных с протяженными неоднородностями структуры в целом, с изменением фоновой засветки или температуры.Кроме того, компенсирующая фоточувствительная площадка может быть использована, например, для регистрации эталонного изображения.Если на регистрирующую фотоплощадку спроектировать изображение изделия с контролируемым параметром,...

Номер патента: 360000

Опубликовано: 15.04.1974

Авторы: Берковска, Подласкин, Физико

МПК: G06K 9/56

Метки: 360000

...которое расширяет линейный участок изменения характеристики 11 (см. фиг. 3, 6).С целью увеличения числа воспроизводимых маскирующим устройством конфигураций при числе выходов многофункционального генератора (УМ вместо Л 1 М элементарные ячейки внутри подгрупп разделены между собой омическими сопротивлениями г (см. фиг. 2, а). Включенные в шины и подключенные к выходам генераторов, они образуют собой лелители напряжения и обеспечивают на ячейках одной подгруппы разное смещение, С этой же целью можно использовать для формирования маски оба фоточувствительных элемента одной элементарной ячейки, Тогда фоточувствительные площади фотодиодов Р; и Р, должны располагаться так, чтобы оптический элемент изображения равномерно засвечивал оба...