Патенты с меткой «рекомбинации»

Номер патента: 442398

Опубликовано: 05.09.1974

Авторы: Белановский, Коломейчук, Малин

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: поверхностной, полупроводниках, рекомбинации, скорости

...возникающий бо в конденсаторных обкладках 11 и 12: в результате освещения полупровод-ника 13 и поступающий после усили-теля 1 Ф на вход пластин вертикального отклонения осциллографа 15, 55 не имеет одинаковой фазы с возбуждающим светом. Он запаздывает иа фазовый угол, который определяется временем жизйи неосновййх 1 носителей тока и частотОЙ модуляции, т., е. скоростью позерхностиой рекомбйыации. 4Чтобы определить фазовый сдвиг,иа вход пластик горизоитального отклонения осциллографа 15 с помощьюэлектронного формирователя импульсов тока 1 подается электрический -экспоиенциальный опориый сигиал,постоянная времени которого определяется Ж-цепочкой 16; При этом опорный сигнал не совпадает по фазе овозбуждающим светом.Так как сигналы,...

Номер патента: 489049

Опубликовано: 25.10.1975

Авторы: Жебрюнайте, Левитас, Пожела, Сталерайтис

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: носителей, поверхностной, полупроводников, рекомбинации, скорости

...поле; .ае 4 гостоянные,Способ измерения скорости поверхности й рекомбинации заключается в следуюшем,Под воздействием силы Лоренц, процор 25 циональной величине силы ток е 7 и и,., ТИ МВГНИ ТНОГО ПОЛЯ .Г И НВПРВВ,.);1 ендйкул)ярно К ГраНЯМ 1 скороСТЬ-"ной рекомбинации на ОднОЙ из ,;ется) а на противополоиной соз);)Вст с болу цюй с: о о)т ю реком ) 5у этих граней происходит о кло:- . ;Ины кс пснтрации носи. елей отНОЙ. 1.".) Е;ПГ 1 ИЕ В ОТК ЛОНЕ Ь.5 и, М 8%С КРатг)Д ЭКСПОЕЬЦИЬНО ): МЕНбидот, апой диффузии,,.и О)В).с;с.Г)рот;:ь),поло;кн)ыми Гэ)ая:;м)р н;" ,.ревышаюшем длину биполярной диф:, ."рость пдве)эхностнОЙ рекскоинВцииГРВН-.Й, ОПРЕДЕЛЯЮИ в ;и ВМЕСТЕ:,)и гарамеграми полупроводника "ной силы Лоренца величину от".онцентрации от...

Номер патента: 523336

Опубликовано: 30.07.1976

Авторы: Воронкин, Яхлаков

МПК: G01N 25/00

Метки: газа, газофазной, диссоциированного, константы, рекомбинации, скорости

...над диссоциацией. Составляющая теплового потока за счет рекомбинации атомов на поверхности зонда исключается путем нанесения некаталитического покрытия на 25 поверхность зонда, При этом радиусы притупления зондов г выбирают соответствующими диапазону чисел Дамкелера Г, в котором значения неравновесного теплового потока д заключены между равновесным ор и заморо женным у;:, его предельными значениями.523336 Чэ Чюз Чар Чюз от числа Дамкелера 10 Формула изобретения Составитель Б. РзянинТекред А. Камышникова Редактор Н. Коляда Корректор Л. Денискина Заказ 1790/11 Изд. М 1549 Тираж 1029 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 13035, Москва, Ж, Раушская наб., д....

Номер патента: 530285

Опубликовано: 30.09.1976

Авторы: Жебрюнайте, Левитас, Пожела, Сащук

МПК: H01L 21/66

Метки: отношения, поверхностей, рекомбинации, скоростей

...на образец постоянным магнитполем, напряженность которого увеличивают до величины, при которой падение напряжения на образце от переменного токаравно падению напряжения до воздействиямагнитным полем, и по величине напряжен -ности поля расчетнь 1 м путем определяю: отношение скоростей поверхнсстной екомблнации,Это дает возможность повыс мерения, так как измеряется ния разогрева, а зависимость выхе;,ого ала от величины магнитного поля, ,ете5302 аь =ХаКОО и)НР. - толщина образца; где С Составитель В. НемцевТехред А. Демьянова Корректор Н. Бугагова Редактор Н. Коляда Заказ 5243/643 Тираж 1029 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д....

Номер патента: 533892

Опубликовано: 30.10.1976

Авторы: Жебрюнайте, Левитас, Пожела, Сащук

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: отношения, поверхностной, рекомбинации, скоростей

...магнитном поле электромагнита 11, соединен с крайней точкой переменного резистора 5, подвижный контакт которого соединен через резистор 4 с выходом источника постоянного тока 7 и через конденсатор 8 с измерительным прибором 9. Источник постоянного тока 10 подключен к памагничивающей обмотке электромагнита 11.Измеряемый образец 6 ориентирован относительно направления вектора напряженности магнитного поля так, чтобы в постоянном электрическом и магнитном полях носители тока отклонялись к стороне с малой скоростью поверхностной рекомбинации, т. е. чтобы наблюдалось уменьшение сопротивления образца,В случае, когда носители тока отклоняются к стороне с малой скоростью рекомбинации, наблюдается увеличение проводимости, которое,...

Номер патента: 794566

Опубликовано: 07.01.1981

Авторы: Болгов, Малютенко, Пипа, Чайкин

МПК: H01L 21/66

Метки: рекомбинации, скоростиповерхностной

...30 20 где д - размерная скорость генерациинеравновесных пар;т, т - эффективная масса электронов идырок соответственно;й - постоянная Планка;25 с - скорость света;й - коэффициент Больцмана;)г - безразмерное поле;р - подвижность электронов;0 - коэффициент биполярной диффузии;п - показатель преломления материала;Ец - ширина запрещенной зоны;Т - температура;35 Е - напряженность электрическогополя;Й - концентрация нескомпенсированных примесей;Я - размерная скорость поверхност ной рекомбинации;О в напряженность магнитного поля;д - заряд электрона;1 в диффузионн длина;- толщина образца.45 На чертеже изображена схема реализации предлагаемого способа. Схема содержит исследуемый образец 1, снабженныйомическими контактами и выводами, полюса 2...

Номер патента: 799050

Опубликовано: 23.01.1981

Авторы: Берзин, Кривич, Левитас, Медвидь

МПК: H01L 21/66

Метки: поверх-ностной, рекомбинации, скорости

...поля, кривая 1 и кривая 2, соответственно.Способ осуществляется следующим образом.При облучении светом в полупроводниковом кристалле, толщиной 26 еЬ с асимметрично обработанными поверхностями, возникает распределение носителей тока по толщине этого крис- ЗО талла (фиг. 2 кривая 1). Поместив полупроводниковый кристалл в.перпендикулярно направленные электрическое и магнитное поля,так, чтобы сила Лоренца была направлена к освещаемой 33 поверхности, получаем перераспределение носителей тока, показанное на фиг. 2 кривая 2, Это перераспределение носителей тока приводит к изменению фототока, Регистрируемого на 4 О сопротивлении нагрузки. Спектральная зависимость фотопроводимости в магнитном поле и. без него представлена кривыми 1 и 2 на...

Номер патента: 987712

Опубликовано: 07.01.1983

Авторы: Болгов, Малютенко, Медвидь, Пипа

МПК: H01L 21/66

Метки: генерации, поверхностной, рекомбинации, скорости

...50 987712минесценции проводят при изменении напря женности магнитного поля при постоянной напряженности электрического поля и расчитывают скорость поверхностной генерации- рекомбинации по формуле 5 4ти равновесного рекомбинапионного излучения свободных электронно-дырочных пар. Рассмотренная ситуация характерна для полу-проводников с собственной проводимостью.При небольших отклонениях интенсивностирекомбинационного излучения Р от Ронаблюдается прямолинейная зависимость Р(Н )наклон которой определяется значением скорости поверхностной генерации- рекомбинациина исследуемой грани кристалла и независит от Я на другой грани.Поскольку в формулу (1) входит отноРошение мощностей,измерение сигРр -Рналов люминесценции достаточно производитьв...

Номер патента: 993998

Опубликовано: 07.02.1983

Авторы: Кузнецов, Мостинская

МПК: B01J 8/04

Метки: каталитической, рекомбинации

...без опасности нерасчет 44 оговзрыва гремучей смеси. При этом старя товый кабельный нагреватель 8 выключается, и устройство работает без20 дополнительной затраты. энергии.Изобретение позволит сократитьозатраты электроэнергии на обеспечениепроцесса рекомбинации водорода и кислорода непосредственно за счет от 25 ключения электронагревателя, так иза счет снижения мощности, расходуемой на прокачку меньшего количествахладагента в холодильнике.1Формула изобретенияЭОУстройство для каталитическойрекомбинации, например для радиолизной парогазовой смеси водорода и кислорода, содержащее корпус с входными выходным патрубками, внутри последнего последовательно размещены камера предварительного нагрева парогазовой смеси с нагревателем,...

Номер патента: 997139

Опубликовано: 15.02.1983

Автор: Медвидь

МПК: H01L 21/66

Метки: отношения, поверхностной, рекомбинации, скоростей

...во взаимно перпендикулярные электрическое ЕХ и магнитное Н поля, источник электрического напряжения 2,сопротивление нагрузки 3 и источниксильнопоглощаемого света 4.Если полупроводниковую пластину поместить во взаимно перпендикулярныеэлектрическое Еи магнитное Н поляи облучить сильнопоглощаемым светом,то на диффузионное растекание электронно-дырочных пар, созданных светом,55накладывается сила Лоренца Р (Фиг,1)Причем, если освещается поверхностьс максимальной скоростью поверхностной рекомбинации и сила Лоренца направлена к поверхности с минимальной 60скоростью поверхностной рекомбинации,фототок будет больше, чем в отсутствие силы Лоренца, так как уменьшается влияние поверхности с максимальнойскоростью поверхностной рекомбинации, 65...

Номер патента: 1213510

Опубликовано: 23.02.1986

Авторы: Витусевич, Малозовский, Малютенко

МПК: H01L 21/66

Метки: генерации, поверхностной, рекомбинации, скорости

...см 5, толщиной, срав нимой с биполярной диффузионной длиной, из монокристаллического германия р-типа с удельным сопротивлением при комнатной температурей 40 Омф см и концентрацией остаточ. ,иой примеси10 см ф К узким торцам пластины изготавливают контактын один антизапорный, другой - оми ческий. Антизапорный контакт изготавливают вплавлением 1 п на травленую в пергидроле ( НОг) поверхность германия, омический - вплавле 5нием 1 по зз Оао,оо 5Диффузионнаядлина в исследуемом материалесоставляет Ь, =0,25 см, Широкие грани пластины обрабатывают симметрично. Изменение величины скорости поверхностной генерации-рекомбинации достигается различнойобработкой широких граней, Малаяскорость поверхностной генерациирекомбинации (Я О см/с)...

Номер патента: 1320841

Опубликовано: 30.06.1987

Авторы: Кройтор, Мустя

МПК: G09B 23/18

Метки: аэроинов, демонстрации, прибор, рекомбинации, учебный, явления

...по физике.Цель изобретения - повышение наглядностии.На чертеже приведена схема предлагаемого учебного прибора.Учеоный прибор соде) жи 1 пг)озрз(цую цилиндрическую емкость 1, в 1(оторо 1 О, ин напротив другого установлены элекгродь 2 на некотором расстоянии от одного из се концов. Емкость закреплена в кольце 3, связанном со стойками 4 с возможностью поворота вокру ГоризонтзльноЙ Стойки 4 установлены цз основании 5 и имеют связаннуго с кольцом 8 рукоятку 6. Один из электродов соединен с элек рометром 7, который связан с одним из конд кторов 8 электрофорной машины, другой КОНДУКТОР КатОРОй СОЕДИНСЦ С Вт.)РдМ ЭЛЕ- ктродом.Два электрода 2 образуют воздушный конденсатор, Под емкостью на основании установлена горелка 9. Для проведения...

Номер патента: 1681722

Опубликовано: 30.09.1991

Авторы: Вилли, Клаус, Райнхард

МПК: B01J 8/04

Метки: водорода, кислорода, рекомбинации

...и соединяется с атмосферой.В центре корпуса 1 расположен катализатор 16. Он содержит вертикальную плоскую пластину 17 прямоугольного сечения, ширина которой 40 мм и длина приблизительно 75 мм. Нижний край 18 оканчивается острием 19, причем наклон сторон составляет 45.Являясь носителем катстина 17 выполнена иэ нери покрыта слоем платины. Е1681722 75 кромки 20 и 21 загнуты на ширину нескольких миллиметров, В загнугых участках проложены платиновые проволоки 22 и 23, которые выступают из пластины 17 приблизительно на 40 мм вверх и вниз, По меньшей мере в двух местах и в нижней и верхней части пластины 17 отгибы закреплены точечной сваркой, при этом обеспечивается хорошая теплопроводность соединения проволок 22 и 23 с пластиной 17.Пластина 17...

Номер патента: 1762290

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Беликович, Бенедиктов

МПК: G01S 13/95

Метки: времени, д-области, ионами, ионосферы, рекомбинации, электронов

...электронов с ионами на этой высоте,На фиг. 1 представлена схема устройства для реализации разработанного способа; на фиг. 2 - высотные зависимости Е (Ь) поля2 стоячих радиоволн, воздействующих на ионосферу (а), амплитуды Л М(Ь) искусственных неоднородностей Гб), амплитуды А(Ь) Гв) и фазы ср(Ь) Гг) обратно рассеянногс радиоимпульса,Устройство, реализующее способ, содержит задающий генератор 1, передатчик 2 с антенной 3, передатчик 4 с антенной 5, приемник б с антенной 7, детектор 8, регистратор 9 и синхронизатор 10.Воздействуют на ионосферу возмущающим радиоизлучением с поляризацией, со. ответствующей одной иэ магнитоионных компонент на частоте ниже критической для Е-слоя ионосферы. Для этого формируют с помощью зада ю щего генератора...

Номер патента: 1783405

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Гранкин, Семкина, Стыров, Тюрин

МПК: G01N 27/62

Метки: атомов, гетерогенной, коэффициента, поверхности, радикалов, рекомбинации, свободных, твердых, тел

...наносить материал исследуемого образца на стенки измерительной ячейки;исследуемый образец (небольших размеров) выдвигается изтефлоновой трубки, Это заметно расширяет класс исследуемых материалов, т,к, становится возможным исследовать различные по структуре материалы, а именно; порошки, монокристаллы, тонкие пленки, поликристаллы. В заявляемом изобретении каждый образец может быть нанесен тонким слоем на индивидуальный нагреватель, что позволяет работать в более широком интервале температур образцов (77 10 К) и давлений (10 10 Па) атомизированных газов и свободных радикалов. При этом может варьироваться соотношение температур между газом и твердым телом,Одновременное использование моно- кристаллических образцов и их порошкообразных...

Номер патента: 1789912

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Андреев, Кабанский, Поташник

МПК: G01N 21/62

Метки: атомов, гетерогенной, поверхности, радикалов, рекомбинации, свободных, скорости, твердых, тел

...качестве которого можно использовать порошкообразные люминофоры типа 2 пЯ-А 9, 2 п 2504-Мп играющие роль хемилюминесцентного датчика атомов; узла модуляции потока газа 4 (фиг.4), приводимого в действие электромагнитом и предназначенного для регулирования потока атомов в сосуд и, в частности, для его перекрывания, генератора атомов (радикалов) 5, использующего высокочастотный безэлектродный разряд, приводящий к диссоциации молекул газа, поступающего из баллона б; системы откачки 7, необходимой для подготовки вакуумной части устройства к измерениям и проведение измерений; и, наконец, электронной схемы устройства.Электронная с хема устройства включает фотоэлектронный умножитель (ФЭУ) 8, обращенный входным окном к ХЛ-датчику; блок питания к...

Номер патента: 1807381

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Гранкин, Семкина, Стыров, Тюрин

МПК: G01N 27/62

Метки: атомов, гетерогенной, коэффициента, поверхности, радикалов, рекомбинации, свободных, твердых, тел

...(жестко закрепленную в подводящем канале сильфона и проходящую через измерительную камеру); установленную внутри цилиндрической трубки подвижную тефлоновую подложку 12 с гнездами 13, в которых на нагревателе 14 размещаются образцы 15, и с "пустыми" гнездами 16, (т. е, на подложке между гнездами, в которых размещаются образцы, имеются пассивные тефлоновые промежутки - "пустые" гнезда). В цилиндрической трубке 10 с окном 11 высверлены отверстия 17 малого диаметра так, что их общая площадь над исследуемым образцом много меньше площади образца, (с целью создания условий предварительного заполнения поверхности образцов свободными атомами). Тонкие малоинерциональные нагреватели 14 соединены с токоподводящими элементами 18, каждое гнездо...

Номер патента: 814055

Опубликовано: 20.05.2000

Автор: Булатецкий

МПК: G01R 31/26

Метки: времени, излучательной, рекомбинации, светодиода

Способ определения времени излучательной рекомбинации светодиода с одновременным измерением интенсивности излучения, включающий возбуждение светодиода и проекцию выбранного участка излучающей поверхности на фотоприемник, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона в области малых времен релаксации, световой поток, идущий от светодиода, перекрывают и измеряют высокочастотный ток, проходящий через светодиод, затем, постепенно увеличивая световой поток, измеряют минимальное значение этого тока и по отношению минимального тока к первоначальному току светодиода находят время излучательной рекомбинации светодиода по формулеarctg2