Патенты с меткой «неосновных»

Номер патента: 134728

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Ржевкин, Швейкин

МПК: G01R 31/26

Метки: времени, жизни, коэффициента, критической, неосновных, носителей, полупроводниковых, току, триодов, усиления, чистоты, эффективного

...базы диод 3 открыт, а диод 4 закрыт. Измерительный прибор б, например микроамперметр с малым внутренним сопротивлением, включается последовательно с диодом 4. Источник постоянного тока 7 и сопротивление 8 введены для компенсации обратного тока Уколлекторного перехода при отсутствнч входного сигнала.134728После прекращения входного импульса дырки, составляющие заряд неосновных носителей в базе за время переходного процесса, вытекают из базы через коллекторный переход. Равное количество электронов, нейтрализующее объемный заряд базы, за то же время вытекает из базы через последовательно включенные диод 4 и измерительный прибор б,Показания прибора б градуированы в единицах заряда;арРгде Р - частота повторения входного сигнала на зажимах...

Номер патента: 347699

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Изобретеии, Финкельштенн

МПК: G01R 31/26

Метки: времени, жизни, неосновных

...по делам изобретений и открытий иМосква, Ж, Раугискаи нао., л. писнос овсте Министров СССР агорская типографа 1 а 11 ряжсн 11 я 1 змсн 11 ю мскс 1 м 11 лыОс зн 11 е 1 нс напряжения таким образом, чтобы обе кривые пересеклись в точке максимума 1 орнвой полной эквивалентной емкости (фиг, 2); время жизнги отсчитывается по углу поворота ручки регулировки максимального значения амплитуды ннлоооразного напряжения. П р сдм ет из обр етен няСпособ измерения времени жизни неосновных носителей заряда в базе германиевых полупроводниковых быстродействующих диодов, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности измерения на низких частотах, б определяот отношение максимальной емкостидиода к соответствующей ей величине прямого тока с...

Номер патента: 452792

Опубликовано: 05.12.1974

Авторы: Гончаренко, Королев

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: времени, жизни, заряда, мдп-структуры, неосновных, носителей, полупроводнике

...как постоянным поддерживается объем обедненного слоя. Для поддержания постоянной емкости необходимо изменять напряжение, приложенное к МДП- структуре, пропорционально количеству накопленного вблизи границы раздела эврядв, генерированного во всем объеме обедненного слоя. Время жизни ( неосновных носителей заряда связано с изменением напряжения на МДП-структуре следующей формулой ческих свойст луп ерени особы из гх носите я времени ряда в лов подаче н егистрвции жизни неосновнлупроводниках,МДП-структурьизменения егоНедостаток ей звгиеся кпючаю напряже о времен и и,бо стоит в х спос значительном объе счетов и снижении математических раезупьтвте этого то эультатов,лью повышения т ост С це согласно МДП-ст путем и ности измерений,пособу,...

Номер патента: 748250

Опубликовано: 15.07.1980

Авторы: Писарский, Райхцаум, Смирнов, Уваров

МПК: G01R 31/26

Метки: времени, жизни, неосновных, носителей, полупроводниковых, приборов

...следующимобразом.В исходном состоянии с генератора 1 импульсы тока не поступают, электронный ключ 2 открыт, испытуемый полупроводниковый прибор 3 закрыт сигнала на токосъемном элементе 4 и усилителе 5 нет.При поступлении импульса прямого тока от генератора"1 импульс тока положительной полярности проходит через электронный ключ 2, поступает на испытуемый полупроводниковый прибор 3 и токосъемный элемент. Испы О туемый прибор 3. открывается и через него начинает протекать прямой ток. В п.-базе испытуемого полупроводни кового прибора происходит накопление заряда, 15По окончании импульса прямого тока с генератора 7 переключающих импульсов поступает импульс отрицательной полярности. При этом в и -базе испытуемого полупроводникового прибора...

Номер патента: 803759

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Крутоголов, Лебедева, Соколов, Стрельченко

МПК: H01L 21/66

Метки: диффузионной, длины, заряда, неосновных, носителей, полупроводниках

...излучением со стороны, дротнвоположнои переходу электролит - полундроводник, изменяя длину волны излучения, измеряют спектральную зависимость фото- тока 1 (Л) через переход. В спектральном диапазоне, где выполняются условия аТ 1 и а 1.)1 (т. е, аТ 10, а 1, 10), фототок 1, (Л) описывается выражением; где= О/5 есть отношение коэффициента диффузии 0 .неосновных носителей заряда к скорости их рекомзо бинации 5,на освещаемой поверхности полупроводника;В - коэффициент:пропорциональности,Построив график зависимости 1,(Л) от 35 1/а (Л) в указанном спектральном диапазоне,и продлив получившуюся прямую до дересечения с осью абсцисс, на которой отложены значения 1/а (это соответствует случаю, когда левая часть уравнения (2) обра...

Номер патента: 940089

Опубликовано: 30.06.1982

Авторы: Бородянский, Цопкало

МПК: H01L 21/66

Метки: времени, жизни, неосновных, носителей, полупроводниках

...третьего ключа, управляющий вход которого 15через дополнительный элемент задержкисоединен с управляющим входом второго ключа и выходом генератораодиночных импульсов, выход элементазадержки соединен с управляющим входом первого ключа, выход третьего ключа подключен к первому входу элементасравнения и к первому выводу резистора,второй вывод которого соединен с второйобкладкой конденсатора, подключеннойк второму выходу датчика, выход блокауставки соединен с вторым входомэлемента сравнения, выход которогосоединен с управляющим входом четвертого ключа, соединенного через счетчик с блоком регистрации, к входу четвертого ключа подсоединен генераторимпульсов.На чертеже представлена структурная схема поедлагаемого устройства.Устройство содержит...

Номер патента: 951198

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Ромейков, Семушкина

МПК: G01R 31/26

Метки: времени, жизни, заряда, неосновных, носителей, переходах, полупроводниковых, р-п

...Кроме того, укаэанный способ не позволяет проводить измерения времени жизни Ф неосновных носителей заряда при вы- . соких уровнях инжекции, так как прибольших активных токах погрешностьизмерения емкости известными способами становится очень велика.Наиболее близким по техническойсущности к изобретению является способ измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковых приборах, основанный на использовании зависимости переходныххарактеристик от этого времени и заключающийся в том, что по осциллографуустанавливают нулевую длительностьвершины импульса обратного тока и 15 измеряют сопротивление цепи в прямомили обратном направлениях, по которому определяют искомое время жизни 23. 20Недостатками известного...

Номер патента: 983595

Опубликовано: 23.12.1982

Авторы: Гостищев, Любивый

МПК: G01R 31/27, H01L 21/66

Метки: времени, жизни, заряда, материалах, неосновных, носителей, полупроводниковых

...усилитель 7, измеритель 8 временных интервалов, генератор 9 импульсов, светоиэлучающийэлемент 10, запредельное отверстие11. Светоиэлучающий элемент 10 соединен оптически с образцом 4 череззапредельное отверстие 11 в волноводном тракте направленного ответвителя 3,Устройство работает следующимобразом. 10Поток мощности СВЧ электромагнитной волны с генератора 1 через вентиль 2, предназначенный для пропусканин мощности только в сторону измеряемого образца, т.е. для развязки генератора и измерительной цепи,направленный ответвитель (НО) падает на образец 4. Согласующий элементв виде короткоэаьыкающего подвижногоплунжера 5, включенного после образца 4, увеличивает дифференциальныйотклик системы путем настройки наминимальный отраженный...

Номер патента: 805873

Опубликовано: 30.05.1983

Автор: Принц

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, ловушек, неосновных, носителей, полупроводниках

...для каждого полупроводникового соединения определяютпо появлению релаксации Ьарьерной емкости после пропускания прямоугольного импульса тока в прямом направлении через диод с барьером Ыоттки,Сущность способа заключается вследующем,При пропускании через диод с Ьарьером Шоттки на ь -полупроводникеимпульса тока с плотностью выше пороговой происходит заполнение дырочных ловушек в оЬласти полупроводника под барьером Лоттки. ( Пороговаяплотность тока для диодов с барьеромШоттки на арсениде галлия 100 А см 2.Для заполнения ловушек достаточнодлительности -1 мкс ).Заполнение ловушек дырками проис"ходит благодаря инжекции дырок изметалла в полупроводнике при пропускании импульса тока Ьольшой величины.На чертеже представлены графикиСИ....

Номер патента: 1020788

Опубликовано: 30.05.1983

Авторы: Жуков, Лошкарев, Мусатов, Улимов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: базе, времени, жизни, заряда, неосновных, носителей, транзистора

...с . через баверзу транзистора и коэффициент передачи тока змиттера сС транзистора, включенного по Схеме с общей базой и вычисляют время жизни неосновных носителей в базе по формуле(1) ф " эффетивность эмиттера,коэффициент переноса носктелей, определяемый по фор.муле пер 1.5 фчРч(2) о; - коэффициент размноженияв коллекторе. Недостаток способа заключается в том, что из формул 1 и 2 получают некоторое усредненное значение времени жизни Т, так как константа р состоит из двух составляющих рчопределяемое рекомбинацией носителей в объеме базы, 5 - определяемое рекомбинацией на поверхности базовой области р = рч р . Формула 1 преобразуется в вйд Для более точного определения объемного времени жизни неосновных носителей в базе транзистора...

Номер патента: 919486

Опубликовано: 30.08.1983

Авторы: Захаров, Настаушев

МПК: H01L 21/66

Метки: времени, генерационного, жизни, заряда, мдп-конденсаторах, неосновных, носителей

...частоты для исключения влияния помех. Целью изобретения является повы"шение производительности и точностиустройства.Цель. достигается тем, что в устройстве для определения генерационного времени жизни неосновных носителей заряда в МДП-конденсаторе,содержащем усилитель высокой частоты с амплитудным детектором, генератор импульсов, генератор высокойчастоты, стробоскопический детектор,два выхода которого соединены с входами самопишущего потенциометра,схему синхронизации, первый выход 55 которой соединен с первым входом стробоскопического детектора, а второйвыход соединен с генератором импульсов, выход которого соединен с пер486Устройство работает следующим образом.Импульсное напряжение с выходагенератора 1 через разделительнуюсхему 11...

Номер патента: 1056316

Опубликовано: 23.11.1983

Авторы: Болгов, Малютенко, Пипа, Яблоновский

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, неосновных, носителей, подвижности

...вектора напряженности электрического поля и вектора индукции магнитного поля было перпендикулярно поверхности образца, инжекции пакета, ННЗ путем освещения .поверхности образца импульсом сильно поглощаемого свбта, регистрируют сигнал Фотолюминесценции с поверхности образца противоположной освещаемой поверхности, измеряют время задержки максимально-. го сигнала фотолюминесценции относительно максимума интенсивности импульса сильно поглощаемого света и вычисляют подвижность ННЭ по формулегдЕ 0 оси внос " поДвижности оснозныхи неосновных носите-.лей заряда соответст;венно, рВсд - толщина образца внаправлении переносапакета ННЗ, м;- напряженность электрического поля, В/м;И - индукция магнитногополя, Т;те - время задержки сигнала...

Номер патента: 1064247

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Абросимов, Лукичева, Мартяшин, Светлов, Соловьев, Цыпин

МПК: H01L 21/66

Метки: времени, жизни, зарядов, неосновных, носителей, полупроводниках

...точностью контролявремени жизни н.нз., что обусловлено необходимостью визуального апре"деления изменения амплитуды тестового,импульса при различных значенияхвремени задержки,Кель изобретения - повышение точ 50ности контроля,Поставленная цель достигаетсятем, что в устройство контроля времени жизни неосновных носителей зарядов в полупроводниках, содержащеегенератор импульсов, резистор и клеммы для подключения исследуемой структуры, дополнительно введены блокформирования инжектирующих импуль-сов, блок формирования опорного напряжения,второй резистор, конденсатор, масштабирующий преобразователь,операционный усилитель, два блокавыборки и хранения и блок сравнения,при этом первый выход генератора 65 импульсов соединен с входом блока...

Номер патента: 1075202

Опубликовано: 23.02.1984

Авторы: Стельмах, Уренев

МПК: H01L 21/66

Метки: времени, жизни, заряда, неосновных, носителей, полупроводниках

...вследствие низкой чувствительности выделение полезногосигнала на фоне паразитных фото-ЭДСтребует увеличения времени регистрации.Цель изобретения - повышение точности измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниках.Эта цель достигается тем, чтов устройстве, содержащем блок намагничивания, соединенный с генератором переменного тока, источник светаи оптически связанный с ним модулятор света, блок регистрации, блокнамагничивания выполнен в виде двухпараллельных пластин со сквознойпродольной щелью, один конец которых замкнут, а два других подключены к генератору тока, при этомпродольная ось симметрии щели перпендикулярна продольной оси источника и модулятора света и пересекает ее,На чертеже представлена схема данного...

Номер патента: 1078357

Опубликовано: 07.03.1984

Авторы: Бойченко, Кулинич, Николашин, Петрик, Пудло, Шварцман

МПК: G01R 29/00

Метки: времени, жизни, неосновных, носителей, структурах

...в виде соосно расположенных электродов с Токоотводами, блок, контроля обратного сопротивления,измерительный блок и шлифовальныйкруг с электроприводом, снабженозакрепленным,на корпусе узлом прижима с кронштейном, при,этом электроды контактного узла выполнены в видеупорного и прижимного валиков, установленных в подшипниках вращения,закрепленных. в корпусе и кронштейнесоответственно,Причем подшипник прижимного ва-.лика выполнен самоустанавливающимся, 60На фиг. 1 дано схематическое изображение механической части предлагае"мого устройства, на Фиг. 2 - электрическая схема устройства; на фиг. 3,осциллограмма напряжения на структуре 5 Механическая часть устройства со.держит диэлектрическую плату 1 иприжимной валик 2, посредством...

Номер патента: 790996

Опубликовано: 23.03.1984

Авторы: Гуревич, Долгих, Салман

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: времени, жизни, неосновных, носителей, тиристоре

...жизни неосновных носителей в тиристоре; на фиг.2 - диаграммы, объясняющие работу предлагаемого устройства.Блок-схема содержит испытуемый тиристор 1, источник 2 обратного анодного напряжения и индикатор 3 анодного тока, который выполнен из датчика 4 анодного тока, запоминающего устройства 5, блока 6 вычислений и блок 7 цифровой индикации, при этом шунтирующий блок 8 подключен к источнику 2 обратного анодного напряжения, причем вход шунтирующего блока 8 соединен с первым выходом задающего устройства 9, три других выхода которого соединены с входами источника 2 обратного анодного напряжения, запоминающего устройства и источника 10 постоянного тока соответственно.При работе через испытуемый тиристор 1 по команде задающего устройства 9 от...

Номер патента: 1092436

Опубликовано: 15.05.1984

Авторы: Бунегин, Карапатницкий, Коротков

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: времени, жизни, заряда, неосновных, носителей, переходами, полупроводниковых, приборах

...импульса обратного тока измеряют максимальное значение обратного тока через испытуемый прибор, а временный интервал измеряют до момента смены знака тока через испытуемый прибор, по измеренным значениям сопротивлений и известным величинам пропускаемых токов рассчитывают семейство теоретических зависимостей обратного тока через полу О проводниковый прибор после момента переключения токов от времени, нормированного по величине времени жизни еосновных носителей заряда, выбират из этого семейства зависимость, 15которой значение максимального обратного тока совпадает с измеренным, и определяют время жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковом приборе из выражения 20- время жизни неосновных носителей заряда,- измеренный временный...

Номер патента: 1160484

Опубликовано: 07.06.1985

Авторы: Болгов, Ботте, Липтуга, Малютенко, Пипа, Яблоновский

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: варианты, его, заряда, неосновных, носителей, подвижности

...величины магнитного поля, находят максимальный сигнал отражения, рассчитывают подвижность неосновных носителей заряда по формулеС,Рнеосн,=где р - подвижность неосновныхГнеоснносителей заряда;В - индукция магнитного поляТ(соответствующая максимальному сигналу отражения);с - скорость света,причем величину электрического поля3 выбирают соответствующей линейномуучастку вольт-амперной характеристики образца в отсутствие магнитногополя.На фиг. 1 представлена схема изме 1 Ь рительной, установки, первый вариант;на фиг. 2 -.то же, второй вариант;на фиг. 3 - кривая, отвечающаяпространственному распределению но- ".сителей заряда в образце; на фиг. 4 -кривая зависимости интенсивностирекомбинационного излучения Р/Рот величины магнитной индукции В;на...

Номер патента: 1227999

Опубликовано: 30.04.1986

Авторы: Ахманаев, Медведев, Сафронов

МПК: G01N 22/00

Метки: времени, жизни, заряда, неосновных, носителей, полупроводнике

...полупроводник 10 прикладывается к наружной поверхноститорцевой стенки квазистатическогорезонатора 2 над кольцевым измерительным отверстием. ТранзисторныйСВЧ-генератор 1 работает в режимезатягивания частоты квазистатическим резонатором 2, что обеспечиваетавтоматическую подстройку датчика врезонанс при наложении исследуемогополупроводника 10 на квазистатический резонатор 2, На нагрузке 11 детектора 3 выделяется постоянное напряжение 0 , пропорциональное прошедшей через квазистатический резонатор 2 мощности СВЧ, которая, всвою очередь, определяется удельнымсопротивлением исследуемого полупроводника 10,Генератор 9 вырабатывает последовательность импульсов напряженияпрямоугольной Формы, преобразуемыеуправляемым...

Номер патента: 1746435

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Андреева, Махний

МПК: H01L 21/66

Метки: гомо-р-п-переходе, диффузионной, длины, заряда, неосновных, носителей

...к подавляющему числуполупровОдниковых структур с р-п-перехо. дом, у которых пи сгр мало различаются.Выражением(1) нельзя в ряде случаев пользоваться даже для резко асимметричных переходов, поскольку для получения этихсоотношений из формулы (1) должны выполняться Неравенства 1 зр пр Ипи 1 вр рр,гг Оп 20т,е, фактически - ) " или наоборот,1-р . 1-иУказанные критерии трудно установить, таккак для этого. требуется знание не толькоопределяемых из опыта проводимостей и- ир-областей диода и концентраций основныхносителей в них, но также значения 4 п и р,которые как раз и необходимо найти,Целью изобретения является обеспече-.ние возможности одновременного определения диффузионной длины для электронов 30и дырок в гомо-р-и-переходе с любым...

Номер патента: 1660532

Опубликовано: 27.10.1995

Автор: Варданян

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, неосновных, носителей, параметров, полупроводниках

...контакта, генерируются неосновные носители заряда, которые создают фототок короткого замыкания,Освещают образец монохроматическим светом длиной волны 1 мкм (при этомз -а= 5,7 10 мкм, и выполняется условие а а 1), Подаю-, напряжение обратного смещения 01= 1 В и измеряют соответствующее значение барьерной емкости С 1 фото- токакороткого замыкания при отсутствии магнитного поля. Воздействуют на образец магнитным полем. Под действием магнитного поля, вектор индукции которого параллелен поверхности образца, ННЗ диффундируют к выпрямляющему контакту под углом Холла относительно нормали к поверхности выпррмляющего контакта, Регистрируют фототок ;ь короткого замыкания при воздействии магнитного поля.Затем повторяют измерения (измеряются...

Номер патента: 1634060

Опубликовано: 27.10.1995

Автор: Варданян

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, неосновных, носителей, параметров, полупроводниках

...ь 6 = - и- --ф 1- -- -О Ч (.а,:заесты)л, позволяет, одновременно с извеП р 1 М С,). Оц рад"ЛяЮЭндпацня П:3 д-,",)г)э крелневой цпас;и;ы роводимогьн. р-типа. Дпч измерения поверхностнойфотоЭДС применяют структуру металл-оки сгл-полупроводник с полупрозрачныл металлическим слоем. Образец помещают в зазор между полюсами электромагнита и освещают мо;охроматическим светом Иэ 1 еняя длину вол, свс)д А в диапазоне от ) 8 до 1 05 мкм, измеряют интенсивность световоо )огока С, гдддерживдя пос-оян- НЬМ ЗНДЧЕНИ 6 ЦОЯЕРХ)ОСТЕЙ фОТОЛДС.Опред)гяюг значь я коэффициента гоглоце ия света цо формула5 сг =0,521367 ,14425 1О 585368 х1 ,( + 03358 и строя г эда: симость 0 =- г(гх ).1 з получечной эд)исимости огределякц д)лффузион.ю дл.у Н 1 3= 87,. Мкм к:.к...

Номер патента: 1403914

Опубликовано: 27.12.1995

Автор: Варданян

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, неосновных, носителей, подвижности

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОДВИЖНОСТИ НЕОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА, основанный на помещении полупроводникового образца в магнитное поле и инжекции неосновных носителей заряда путем освещения поверхности образца, отличающийся тем, что, с целью упрощения и обеспечения определения подвижности в образцах большей толщины, создают выпрямляющий контакт на поверхности образца, вектор индукции магнитного поля направляют перпендикулярно поверхности образца, измеряют значения фототоков при отсутствии, а также при наличии магнитного поля и вычисляют подвижность неосновных носителей заряда по формулегде B индукция магнитного поля;Iф фототоки через выпрямляющий...

Номер патента: 1818981

Опубликовано: 20.10.1996

Авторы: Варданян, Гуюмджян, Рштуни

МПК: G01R 31/26

Метки: базе, заряда, неосновных, носителей, параметров, транзистора, электрофизических

...в зависимости от магнитного поля, а 1, поддерживаетсяпостоянным):в 21. 1гг фВсоя (и В),ст г К(Г)(4)Из отношения выражений (1) и (3)получают подвижность ННЗ1 ви = - агссоя(В В ).гВ ст ст(5)а из выражений (2) и (4) - время жизниННЗ в базе транзисторав вВ В И - Уст ст т ттв вВ -В ы ыст ст т т(6)Имея значения,и и г, рассчитывают диффузионную длину ННЗ по формуле-- итгде 1. - диффузионная длина ННЗ.На чертеже представлена структура контролируемого транзистора в магнитном поле.П р и м е р, Измерения времени жизни, подвижности и диффузионной длины ННЗ в базе проводились для мощных транзисторов ТК-63, ТК-100 и ТК-63, Результаты измерений сведены в таблице. Там же приведены значения ти и Е, рассчитанные по формулам (6),(5) и (7)...

Номер патента: 1232029

Опубликовано: 10.12.1997

Авторы: Лукичева, Мартяшин, Светлов, Соловьев, Цыпин

МПК: G01R 31/26

Метки: времени, жизни, заряда, неосновных, носителей, полупроводниках

Устройство для измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниках, содержащее формирователь инжектирующих импульсов, формирователь опорного напряжения, первый и второй резисторы, операционный усилитель с клеммами для подключения исследуемого полупроводника на входе и на выходе, первый и второй блоки выборки и хранения, масштабирующий преобразователь и генератор импульсов, первый выход которого соединен с входами формирователя инжектирующих импульсов и формирователя опорного напряжения, выходы которых через первый и второй резисторы соответственно подключены к первому входу операционного усилителя, второй вход которого подключен к общей шине, а выход операционного усилителя соединен с входом первого блока выборки и...