Патенты с меткой «неосновных»

Способ измерения критической чистоты коэффициента усиления по току и эффективного времени жизни неосновных носителей полупроводниковых триодов

Загрузка...

Номер патента: 134728

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Ржевкин, Швейкин

МПК: G01R 31/26

Метки: времени, жизни, коэффициента, критической, неосновных, носителей, полупроводниковых, току, триодов, усиления, чистоты, эффективного

...базы диод 3 открыт, а диод 4 закрыт. Измерительный прибор б, например микроамперметр с малым внутренним сопротивлением, включается последовательно с диодом 4. Источник постоянного тока 7 и сопротивление 8 введены для компенсации обратного тока Уколлекторного перехода при отсутствнч входного сигнала.134728После прекращения входного импульса дырки, составляющие заряд неосновных носителей в базе за время переходного процесса, вытекают из базы через коллекторный переход. Равное количество электронов, нейтрализующее объемный заряд базы, за то же время вытекает из базы через последовательно включенные диод 4 и измерительный прибор б,Показания прибора б градуированы в единицах заряда;арРгде Р - частота повторения входного сигнала на зажимах...

Способ измерения времени жизни неосновных

Загрузка...

Номер патента: 347699

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Изобретеии, Финкельштенн

МПК: G01R 31/26

Метки: времени, жизни, неосновных

...по делам изобретений и открытий иМосква, Ж, Раугискаи нао., л. писнос овсте Министров СССР агорская типографа 1 а 11 ряжсн 11 я 1 змсн 11 ю мскс 1 м 11 лыОс зн 11 е 1 нс напряжения таким образом, чтобы обе кривые пересеклись в точке максимума 1 орнвой полной эквивалентной емкости (фиг, 2); время жизнги отсчитывается по углу поворота ручки регулировки максимального значения амплитуды ннлоооразного напряжения. П р сдм ет из обр етен няСпособ измерения времени жизни неосновных носителей заряда в базе германиевых полупроводниковых быстродействующих диодов, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности измерения на низких частотах, б определяот отношение максимальной емкостидиода к соответствующей ей величине прямого тока с...

Способ измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводнике мдп-структуры

Загрузка...

Номер патента: 452792

Опубликовано: 05.12.1974

Авторы: Гончаренко, Королев

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: времени, жизни, заряда, мдп-структуры, неосновных, носителей, полупроводнике

...как постоянным поддерживается объем обедненного слоя. Для поддержания постоянной емкости необходимо изменять напряжение, приложенное к МДП- структуре, пропорционально количеству накопленного вблизи границы раздела эврядв, генерированного во всем объеме обедненного слоя. Время жизни ( неосновных носителей заряда связано с изменением напряжения на МДП-структуре следующей формулой ческих свойст луп ерени особы из гх носите я времени ряда в лов подаче н егистрвции жизни неосновнлупроводниках,МДП-структурьизменения егоНедостаток ей звгиеся кпючаю напряже о времен и и,бо стоит в х спос значительном объе счетов и снижении математических раезупьтвте этого то эультатов,лью повышения т ост С це согласно МДП-ст путем и ности измерений,пособу,...

Устройство для измерения времени жизни неосновных носителей полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 748250

Опубликовано: 15.07.1980

Авторы: Писарский, Райхцаум, Смирнов, Уваров

МПК: G01R 31/26

Метки: времени, жизни, неосновных, носителей, полупроводниковых, приборов

...следующимобразом.В исходном состоянии с генератора 1 импульсы тока не поступают, электронный ключ 2 открыт, испытуемый полупроводниковый прибор 3 закрыт сигнала на токосъемном элементе 4 и усилителе 5 нет.При поступлении импульса прямого тока от генератора"1 импульс тока положительной полярности проходит через электронный ключ 2, поступает на испытуемый полупроводниковый прибор 3 и токосъемный элемент. Испы О туемый прибор 3. открывается и через него начинает протекать прямой ток. В п.-базе испытуемого полупроводни кового прибора происходит накопление заряда, 15По окончании импульса прямого тока с генератора 7 переключающих импульсов поступает импульс отрицательной полярности. При этом в и -базе испытуемого полупроводникового прибора...

Способ определения диффузионной длины неосновных носителей заряда в полупроводниках

Загрузка...

Номер патента: 803759

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Крутоголов, Лебедева, Соколов, Стрельченко

МПК: H01L 21/66

Метки: диффузионной, длины, заряда, неосновных, носителей, полупроводниках

...излучением со стороны, дротнвоположнои переходу электролит - полундроводник, изменяя длину волны излучения, измеряют спектральную зависимость фото- тока 1 (Л) через переход. В спектральном диапазоне, где выполняются условия аТ 1 и а 1.)1 (т. е, аТ 10, а 1, 10), фототок 1, (Л) описывается выражением; где= О/5 есть отношение коэффициента диффузии 0 .неосновных носителей заряда к скорости их рекомзо бинации 5,на освещаемой поверхности полупроводника;В - коэффициент:пропорциональности,Построив график зависимости 1,(Л) от 35 1/а (Л) в указанном спектральном диапазоне,и продлив получившуюся прямую до дересечения с осью абсцисс, на которой отложены значения 1/а (это соответствует случаю, когда левая часть уравнения (2) обра...

Устройство для измерения времени жизни неосновных носителей тока в полупроводниках

Загрузка...

Номер патента: 940089

Опубликовано: 30.06.1982

Авторы: Бородянский, Цопкало

МПК: H01L 21/66

Метки: времени, жизни, неосновных, носителей, полупроводниках

...третьего ключа, управляющий вход которого 15через дополнительный элемент задержкисоединен с управляющим входом второго ключа и выходом генератораодиночных импульсов, выход элементазадержки соединен с управляющим входом первого ключа, выход третьего ключа подключен к первому входу элементасравнения и к первому выводу резистора,второй вывод которого соединен с второйобкладкой конденсатора, подключеннойк второму выходу датчика, выход блокауставки соединен с вторым входомэлемента сравнения, выход которогосоединен с управляющим входом четвертого ключа, соединенного через счетчик с блоком регистрации, к входу четвертого ключа подсоединен генераторимпульсов.На чертеже представлена структурная схема поедлагаемого устройства.Устройство содержит...

Способ измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковых р-п переходах

Загрузка...

Номер патента: 951198

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Ромейков, Семушкина

МПК: G01R 31/26

Метки: времени, жизни, заряда, неосновных, носителей, переходах, полупроводниковых, р-п

...Кроме того, укаэанный способ не позволяет проводить измерения времени жизни Ф неосновных носителей заряда при вы- . соких уровнях инжекции, так как прибольших активных токах погрешностьизмерения емкости известными способами становится очень велика.Наиболее близким по техническойсущности к изобретению является способ измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковых приборах, основанный на использовании зависимости переходныххарактеристик от этого времени и заключающийся в том, что по осциллографуустанавливают нулевую длительностьвершины импульса обратного тока и 15 измеряют сопротивление цепи в прямомили обратном направлениях, по которому определяют искомое время жизни 23. 20Недостатками известного...

Устройство для измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковых материалах

Загрузка...

Номер патента: 983595

Опубликовано: 23.12.1982

Авторы: Гостищев, Любивый

МПК: G01R 31/27, H01L 21/66

Метки: времени, жизни, заряда, материалах, неосновных, носителей, полупроводниковых

...усилитель 7, измеритель 8 временных интервалов, генератор 9 импульсов, светоиэлучающийэлемент 10, запредельное отверстие11. Светоиэлучающий элемент 10 соединен оптически с образцом 4 череззапредельное отверстие 11 в волноводном тракте направленного ответвителя 3,Устройство работает следующимобразом. 10Поток мощности СВЧ электромагнитной волны с генератора 1 через вентиль 2, предназначенный для пропусканин мощности только в сторону измеряемого образца, т.е. для развязки генератора и измерительной цепи,направленный ответвитель (НО) падает на образец 4. Согласующий элементв виде короткоэаьыкающего подвижногоплунжера 5, включенного после образца 4, увеличивает дифференциальныйотклик системы путем настройки наминимальный отраженный...

Способ контроля ловушек неосновных носителей заряда в полупроводниках

Загрузка...

Номер патента: 805873

Опубликовано: 30.05.1983

Автор: Принц

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, ловушек, неосновных, носителей, полупроводниках

...для каждого полупроводникового соединения определяютпо появлению релаксации Ьарьерной емкости после пропускания прямоугольного импульса тока в прямом направлении через диод с барьером Ыоттки,Сущность способа заключается вследующем,При пропускании через диод с Ьарьером Шоттки на ь -полупроводникеимпульса тока с плотностью выше пороговой происходит заполнение дырочных ловушек в оЬласти полупроводника под барьером Лоттки. ( Пороговаяплотность тока для диодов с барьеромШоттки на арсениде галлия 100 А см 2.Для заполнения ловушек достаточнодлительности -1 мкс ).Заполнение ловушек дырками проис"ходит благодаря инжекции дырок изметалла в полупроводнике при пропускании импульса тока Ьольшой величины.На чертеже представлены графикиСИ....

Способ определения времени жизни неосновных носителей заряда в базе транзистора

Загрузка...

Номер патента: 1020788

Опубликовано: 30.05.1983

Авторы: Жуков, Лошкарев, Мусатов, Улимов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: базе, времени, жизни, заряда, неосновных, носителей, транзистора

...с . через баверзу транзистора и коэффициент передачи тока змиттера сС транзистора, включенного по Схеме с общей базой и вычисляют время жизни неосновных носителей в базе по формуле(1) ф " эффетивность эмиттера,коэффициент переноса носктелей, определяемый по фор.муле пер 1.5 фчРч(2) о; - коэффициент размноженияв коллекторе. Недостаток способа заключается в том, что из формул 1 и 2 получают некоторое усредненное значение времени жизни Т, так как константа р состоит из двух составляющих рчопределяемое рекомбинацией носителей в объеме базы, 5 - определяемое рекомбинацией на поверхности базовой области р = рч р . Формула 1 преобразуется в вйд Для более точного определения объемного времени жизни неосновных носителей в базе транзистора...

Устройство для определения генерационного времени жизни неосновных носителей заряда в мдп-конденсаторах

Загрузка...

Номер патента: 919486

Опубликовано: 30.08.1983

Авторы: Захаров, Настаушев

МПК: H01L 21/66

Метки: времени, генерационного, жизни, заряда, мдп-конденсаторах, неосновных, носителей

...частоты для исключения влияния помех. Целью изобретения является повы"шение производительности и точностиустройства.Цель. достигается тем, что в устройстве для определения генерационного времени жизни неосновных носителей заряда в МДП-конденсаторе,содержащем усилитель высокой частоты с амплитудным детектором, генератор импульсов, генератор высокойчастоты, стробоскопический детектор,два выхода которого соединены с входами самопишущего потенциометра,схему синхронизации, первый выход 55 которой соединен с первым входом стробоскопического детектора, а второйвыход соединен с генератором импульсов, выход которого соединен с пер486Устройство работает следующим образом.Импульсное напряжение с выходагенератора 1 через разделительнуюсхему 11...

Способ определения подвижности неосновных носителей заряда

Загрузка...

Номер патента: 1056316

Опубликовано: 23.11.1983

Авторы: Болгов, Малютенко, Пипа, Яблоновский

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, неосновных, носителей, подвижности

...вектора напряженности электрического поля и вектора индукции магнитного поля было перпендикулярно поверхности образца, инжекции пакета, ННЗ путем освещения .поверхности образца импульсом сильно поглощаемого свбта, регистрируют сигнал Фотолюминесценции с поверхности образца противоположной освещаемой поверхности, измеряют время задержки максимально-. го сигнала фотолюминесценции относительно максимума интенсивности импульса сильно поглощаемого света и вычисляют подвижность ННЭ по формулегдЕ 0 оси внос " поДвижности оснозныхи неосновных носите-.лей заряда соответст;венно, рВсд - толщина образца внаправлении переносапакета ННЗ, м;- напряженность электрического поля, В/м;И - индукция магнитногополя, Т;те - время задержки сигнала...

Устройство контроля времени жизни неосновных носителей зарядов в полупроводниках

Загрузка...

Номер патента: 1064247

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Абросимов, Лукичева, Мартяшин, Светлов, Соловьев, Цыпин

МПК: H01L 21/66

Метки: времени, жизни, зарядов, неосновных, носителей, полупроводниках

...точностью контролявремени жизни н.нз., что обусловлено необходимостью визуального апре"деления изменения амплитуды тестового,импульса при различных значенияхвремени задержки,Кель изобретения - повышение точ 50ности контроля,Поставленная цель достигаетсятем, что в устройство контроля времени жизни неосновных носителей зарядов в полупроводниках, содержащеегенератор импульсов, резистор и клеммы для подключения исследуемой структуры, дополнительно введены блокформирования инжектирующих импуль-сов, блок формирования опорного напряжения,второй резистор, конденсатор, масштабирующий преобразователь,операционный усилитель, два блокавыборки и хранения и блок сравнения,при этом первый выход генератора 65 импульсов соединен с входом блока...

Устройство для измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниках

Загрузка...

Номер патента: 1075202

Опубликовано: 23.02.1984

Авторы: Стельмах, Уренев

МПК: H01L 21/66

Метки: времени, жизни, заряда, неосновных, носителей, полупроводниках

...вследствие низкой чувствительности выделение полезногосигнала на фоне паразитных фото-ЭДСтребует увеличения времени регистрации.Цель изобретения - повышение точности измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниках.Эта цель достигается тем, чтов устройстве, содержащем блок намагничивания, соединенный с генератором переменного тока, источник светаи оптически связанный с ним модулятор света, блок регистрации, блокнамагничивания выполнен в виде двухпараллельных пластин со сквознойпродольной щелью, один конец которых замкнут, а два других подключены к генератору тока, при этомпродольная ось симметрии щели перпендикулярна продольной оси источника и модулятора света и пересекает ее,На чертеже представлена схема данного...

Устройство для определения времени жизни неосновных носителей тока в структурах

Загрузка...

Номер патента: 1078357

Опубликовано: 07.03.1984

Авторы: Бойченко, Кулинич, Николашин, Петрик, Пудло, Шварцман

МПК: G01R 29/00

Метки: времени, жизни, неосновных, носителей, структурах

...в виде соосно расположенных электродов с Токоотводами, блок, контроля обратного сопротивления,измерительный блок и шлифовальныйкруг с электроприводом, снабженозакрепленным,на корпусе узлом прижима с кронштейном, при,этом электроды контактного узла выполнены в видеупорного и прижимного валиков, установленных в подшипниках вращения,закрепленных. в корпусе и кронштейнесоответственно,Причем подшипник прижимного ва-.лика выполнен самоустанавливающимся, 60На фиг. 1 дано схематическое изображение механической части предлагае"мого устройства, на Фиг. 2 - электрическая схема устройства; на фиг. 3,осциллограмма напряжения на структуре 5 Механическая часть устройства со.держит диэлектрическую плату 1 иприжимной валик 2, посредством...

Устройство для измерения времени жизни неосновных носителей в тиристоре

Загрузка...

Номер патента: 790996

Опубликовано: 23.03.1984

Авторы: Гуревич, Долгих, Салман

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: времени, жизни, неосновных, носителей, тиристоре

...жизни неосновных носителей в тиристоре; на фиг.2 - диаграммы, объясняющие работу предлагаемого устройства.Блок-схема содержит испытуемый тиристор 1, источник 2 обратного анодного напряжения и индикатор 3 анодного тока, который выполнен из датчика 4 анодного тока, запоминающего устройства 5, блока 6 вычислений и блок 7 цифровой индикации, при этом шунтирующий блок 8 подключен к источнику 2 обратного анодного напряжения, причем вход шунтирующего блока 8 соединен с первым выходом задающего устройства 9, три других выхода которого соединены с входами источника 2 обратного анодного напряжения, запоминающего устройства и источника 10 постоянного тока соответственно.При работе через испытуемый тиристор 1 по команде задающего устройства 9 от...

Способ определения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковых приборах с переходами

Загрузка...

Номер патента: 1092436

Опубликовано: 15.05.1984

Авторы: Бунегин, Карапатницкий, Коротков

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: времени, жизни, заряда, неосновных, носителей, переходами, полупроводниковых, приборах

...импульса обратного тока измеряют максимальное значение обратного тока через испытуемый прибор, а временный интервал измеряют до момента смены знака тока через испытуемый прибор, по измеренным значениям сопротивлений и известным величинам пропускаемых токов рассчитывают семейство теоретических зависимостей обратного тока через полу О проводниковый прибор после момента переключения токов от времени, нормированного по величине времени жизни еосновных носителей заряда, выбират из этого семейства зависимость, 15которой значение максимального обратного тока совпадает с измеренным, и определяют время жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковом приборе из выражения 20- время жизни неосновных носителей заряда,- измеренный временный...

Способ определения подвижности неосновных носителей заряда (его варианты)

Загрузка...

Номер патента: 1160484

Опубликовано: 07.06.1985

Авторы: Болгов, Ботте, Липтуга, Малютенко, Пипа, Яблоновский

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: варианты, его, заряда, неосновных, носителей, подвижности

...величины магнитного поля, находят максимальный сигнал отражения, рассчитывают подвижность неосновных носителей заряда по формулеС,Рнеосн,=где р - подвижность неосновныхГнеоснносителей заряда;В - индукция магнитного поляТ(соответствующая максимальному сигналу отражения);с - скорость света,причем величину электрического поля3 выбирают соответствующей линейномуучастку вольт-амперной характеристики образца в отсутствие магнитногополя.На фиг. 1 представлена схема изме 1 Ь рительной, установки, первый вариант;на фиг. 2 -.то же, второй вариант;на фиг. 3 - кривая, отвечающаяпространственному распределению но- ".сителей заряда в образце; на фиг. 4 -кривая зависимости интенсивностирекомбинационного излучения Р/Рот величины магнитной индукции В;на...

Устройство для измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводнике

Загрузка...

Номер патента: 1227999

Опубликовано: 30.04.1986

Авторы: Ахманаев, Медведев, Сафронов

МПК: G01N 22/00

Метки: времени, жизни, заряда, неосновных, носителей, полупроводнике

...полупроводник 10 прикладывается к наружной поверхноститорцевой стенки квазистатическогорезонатора 2 над кольцевым измерительным отверстием. ТранзисторныйСВЧ-генератор 1 работает в режимезатягивания частоты квазистатическим резонатором 2, что обеспечиваетавтоматическую подстройку датчика врезонанс при наложении исследуемогополупроводника 10 на квазистатический резонатор 2, На нагрузке 11 детектора 3 выделяется постоянное напряжение 0 , пропорциональное прошедшей через квазистатический резонатор 2 мощности СВЧ, которая, всвою очередь, определяется удельнымсопротивлением исследуемого полупроводника 10,Генератор 9 вырабатывает последовательность импульсов напряженияпрямоугольной Формы, преобразуемыеуправляемым...

Способ определения диффузионной длины неосновных носителей заряда в гомо-р-п-переходе

Загрузка...

Номер патента: 1746435

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Андреева, Махний

МПК: H01L 21/66

Метки: гомо-р-п-переходе, диффузионной, длины, заряда, неосновных, носителей

...к подавляющему числуполупровОдниковых структур с р-п-перехо. дом, у которых пи сгр мало различаются.Выражением(1) нельзя в ряде случаев пользоваться даже для резко асимметричных переходов, поскольку для получения этихсоотношений из формулы (1) должны выполняться Неравенства 1 зр пр Ипи 1 вр рр,гг Оп 20т,е, фактически - ) " или наоборот,1-р . 1-иУказанные критерии трудно установить, таккак для этого. требуется знание не толькоопределяемых из опыта проводимостей и- ир-областей диода и концентраций основныхносителей в них, но также значения 4 п и р,которые как раз и необходимо найти,Целью изобретения является обеспече-.ние возможности одновременного определения диффузионной длины для электронов 30и дырок в гомо-р-и-переходе с любым...

Способ определения параметров неосновных носителей заряда в полупроводниках

Загрузка...

Номер патента: 1660532

Опубликовано: 27.10.1995

Автор: Варданян

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, неосновных, носителей, параметров, полупроводниках

...контакта, генерируются неосновные носители заряда, которые создают фототок короткого замыкания,Освещают образец монохроматическим светом длиной волны 1 мкм (при этомз -а= 5,7 10 мкм, и выполняется условие а а 1), Подаю-, напряжение обратного смещения 01= 1 В и измеряют соответствующее значение барьерной емкости С 1 фото- токакороткого замыкания при отсутствии магнитного поля. Воздействуют на образец магнитным полем. Под действием магнитного поля, вектор индукции которого параллелен поверхности образца, ННЗ диффундируют к выпрямляющему контакту под углом Холла относительно нормали к поверхности выпррмляющего контакта, Регистрируют фототок ;ь короткого замыкания при воздействии магнитного поля.Затем повторяют измерения (измеряются...

Способ определения параметров неосновных носителей заряда в полупроводниках

Загрузка...

Номер патента: 1634060

Опубликовано: 27.10.1995

Автор: Варданян

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, неосновных, носителей, параметров, полупроводниках

...ь 6 = - и- --ф 1- -- -О Ч (.а,:заесты)л, позволяет, одновременно с извеП р 1 М С,). Оц рад"ЛяЮЭндпацня П:3 д-,",)г)э крелневой цпас;и;ы роводимогьн. р-типа. Дпч измерения поверхностнойфотоЭДС применяют структуру металл-оки сгл-полупроводник с полупрозрачныл металлическим слоем. Образец помещают в зазор между полюсами электромагнита и освещают мо;охроматическим светом Иэ 1 еняя длину вол, свс)д А в диапазоне от ) 8 до 1 05 мкм, измеряют интенсивность световоо )огока С, гдддерживдя пос-оян- НЬМ ЗНДЧЕНИ 6 ЦОЯЕРХ)ОСТЕЙ фОТОЛДС.Опред)гяюг значь я коэффициента гоглоце ия света цо формула5 сг =0,521367 ,14425 1О 585368 х1 ,( + 03358 и строя г эда: симость 0 =- г(гх ).1 з получечной эд)исимости огределякц д)лффузион.ю дл.у Н 1 3= 87,. Мкм к:.к...

Способ определения подвижности неосновных носителей заряда

Номер патента: 1403914

Опубликовано: 27.12.1995

Автор: Варданян

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, неосновных, носителей, подвижности

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОДВИЖНОСТИ НЕОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА, основанный на помещении полупроводникового образца в магнитное поле и инжекции неосновных носителей заряда путем освещения поверхности образца, отличающийся тем, что, с целью упрощения и обеспечения определения подвижности в образцах большей толщины, создают выпрямляющий контакт на поверхности образца, вектор индукции магнитного поля направляют перпендикулярно поверхности образца, измеряют значения фототоков при отсутствии, а также при наличии магнитного поля и вычисляют подвижность неосновных носителей заряда по формулегде B индукция магнитного поля;Iф фототоки через выпрямляющий...

Способ определения электрофизических параметров неосновных носителей заряда в базе транзистора

Загрузка...

Номер патента: 1818981

Опубликовано: 20.10.1996

Авторы: Варданян, Гуюмджян, Рштуни

МПК: G01R 31/26

Метки: базе, заряда, неосновных, носителей, параметров, транзистора, электрофизических

...в зависимости от магнитного поля, а 1, поддерживаетсяпостоянным):в 21. 1гг фВсоя (и В),ст г К(Г)(4)Из отношения выражений (1) и (3)получают подвижность ННЗ1 ви = - агссоя(В В ).гВ ст ст(5)а из выражений (2) и (4) - время жизниННЗ в базе транзисторав вВ В И - Уст ст т ттв вВ -В ы ыст ст т т(6)Имея значения,и и г, рассчитывают диффузионную длину ННЗ по формуле-- итгде 1. - диффузионная длина ННЗ.На чертеже представлена структура контролируемого транзистора в магнитном поле.П р и м е р, Измерения времени жизни, подвижности и диффузионной длины ННЗ в базе проводились для мощных транзисторов ТК-63, ТК-100 и ТК-63, Результаты измерений сведены в таблице. Там же приведены значения ти и Е, рассчитанные по формулам (6),(5) и (7)...

Устройство для измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниках

Номер патента: 1232029

Опубликовано: 10.12.1997

Авторы: Лукичева, Мартяшин, Светлов, Соловьев, Цыпин

МПК: G01R 31/26

Метки: времени, жизни, заряда, неосновных, носителей, полупроводниках

Устройство для измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниках, содержащее формирователь инжектирующих импульсов, формирователь опорного напряжения, первый и второй резисторы, операционный усилитель с клеммами для подключения исследуемого полупроводника на входе и на выходе, первый и второй блоки выборки и хранения, масштабирующий преобразователь и генератор импульсов, первый выход которого соединен с входами формирователя инжектирующих импульсов и формирователя опорного напряжения, выходы которых через первый и второй резисторы соответственно подключены к первому входу операционного усилителя, второй вход которого подключен к общей шине, а выход операционного усилителя соединен с входом первого блока выборки и...