ZIP архив

Текст

" Ф , 1,. а,а е,409631 Предмет изобретения Составитель О. федюхина Техред В, РыбаковаРедактор И, Грузова Корректор Л, Котова Заказ 1113/2 Изд. Мз 494 Тираж 760 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 с его проекцией на поверхности диэлектрика и прямой - с образующей ступени.Придание электродам необходимой внешней конфигурации, а также коммутацию их по нужной схеме осуществляют обычным методом фотолитографии.На поверхность полупроводника наносят известными способами тонкий слой (0,2 - 0,4 мкм) диэлектрика. Затем с помощью процесса фотолитографии вытравливают в слое диэлектрика параллельные канавки на глубину, составляющую приблизительно половину его толщины. Ширина канавок и расстояние между ними определяются шириной сдвигающих электродов, Слой металла, образующий электроды, напыляют в вакууме под острым углом р (10 - 30) к поверхности диэлектрика, причем направление потока атомов распыляемого металла перпендикулярно к образующей ступенек в слое диэлектрика, а толщина напыленного слоя не превышает высоту последних.При напылении металл наносят лишь на поверхности, образующие положительные углы с направлением напыления, а именно, на внешнюю поверхность рельефа, передние склоны канавок и примыкающие к ним участки оснований последних. Задние склоны канавок, образующие с направлением напыления отрицательный угол, и экранируемые ими участки оснований канавок, остаются непокрытыми металлом, в результате чего между электродами образуются зазоры субмикронных размеров, величина которых определяется высотой ступенек и углом напыления.5 Предлагаемый способ изготовления ПЗСбыл апробирован. На пластине кварца. был выращен методом пиролитического разложения тетраэтоксисилана при 700 С слой окисла кремния толщиной 0,3 мкм, в котором с по мощью процесса фотолитографии были протравлены параллельные канавки на глубину О,1 мкм. Ширина канавок и расстояние между канавками составляли 15 мкм. После напыления в вакууме слоя алюминия толщиной 15 0,08 мкм (процесс напыления осуществлялсяпод углом 15 к поверхности пластины) были получены сплошные алюминиевые площадки шириной 30 мкм, разделенные четкими зазорами шириной 0,3 - 0,4 мкм.20 Способ изготовления приборов с зарядовойсвязью, включающий создание на поверхности 25 кремниевой пластины ступенчатого рельефадиэлектрика и нанесение металлических затворных электродов, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью улучшения параметров приборов и упрощения технологического процесса, ме талл напыляют в вакууме под углом 10 - 30к поверхности пластины.

Смотреть

Заявка

1746805

АКИМОВ Ю. С, ЛОГУНОВ Л. А, ЦЫРЛИН А. Д

МПК / Метки

МПК: H01L 21/443

Метки: 409631

Опубликовано: 05.09.1974

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-409631-409631.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">409631</a>

Похожие патенты