Патенты с меткой «дислокаций»

Номер патента: 436409

Опубликовано: 15.07.1974

Авторы: Кириченко, Курбанов, Угай, Черников

МПК: H01L 21/306

Метки: выявления, грабитель, дислокаций, кремнии

...при,комна гной температуре растворяют в 28 мл дистиллированной воды и добавляют 2 мл концентрированной,серной кислоты, затем добавляют 20 мл плавиковой кислоты (49 - 50%-ной). Нагревают до 35 С н в течение 5 мин с перемешиванием травят на дислокации.,Пример 2. 3,5 г К Сг.О, прои комнатнойтемпературе растворяют в 35 мл воды и до бавляют 4 мл концентрированной серной кислоты, затем добавляют 30 мл плавиковой кислоты (49 - 50%-ной). Нагревают до 30 - 35 С и в течение 3 - 5 мин с перемешиваннем травят на дислокации.15 Насыщенный, раствор, соли двужромовой кислоты в серной кислоте, являясь более сильным окислителем, усиливает гальваничсский эффект растворения кремния в местах выхода дислокаций на поверхность, что позволяет вы являть все...

Номер патента: 557435

Опубликовано: 05.05.1977

Авторы: Зданович, Кузнецова, Пухов, Соколов

МПК: H01L 21/465

Метки: выявления, дислокаций, монокристаллах, растворов, ртуть-кадмий-теллур, твердых, травитель

...Т. Орловская Техреп Г, Родак Е 1 рректэр Н. Ковалева Заказ 866/62 гираж 976 Подписное оНИИПИ Государственного комитета Совета Минхстрэв СССР пэ делам ьхзэбсетеххий ч эткрьгий 113035, Москва Ж, Раушская чаб. д. 4/5Филиал ППП фПхатент, г, Ужгорэд ул, Проектная, 4 в состав травителя дополнительно введена фтористоводородная кислота, а в качестве окислителя применен хромовый ангидрид, при этом компоненты взяты в следующем соотношении об.%): Ь50%-ный водный раствор хромового ангидрида 30-40соляная кислота 30-35 плавиковая кислота 30-35П р и м е р 1. Образцы, вырезанные 10 из кристалла С 4 Н, Те с переменным по длине составом (х=0,1-0,9), по плоскости 110) шлифуют микропорошком М, затсм химически полируют в 8%-ном растворе брома в НВР,...

Номер патента: 594443

Опубликовано: 25.02.1978

Авторы: Анциферов, Гилев, Гревнов

МПК: G01N 25/02

Метки: аустените, выявления, дислокаций, сталей, углеродистых

...температурах.Для этого нагрев и выдержку проводят в атмосфере водорода в присутствии каолина, а расположение дислокаций фиксируют по кристаллам муллита, образующегося из каолина и осаждающегося в местах выходов дислокаций на поверхность шлнфа.М.Гревнов и В.Г. Гилев Предлагаемый способ осуществя следующим образом. Шлиф исследуемой стали вкладывается в специальную оправку так,чтобы полировальная поверхность былавнутри оправки, затем стык междушлифом и оправкой покрывается смесьюкаолика и силикатного клея. Подго 0 товленный таким образом образец вклаодывают в нагретую до 1150-1200 С водородную печь, выдерживают в ней2 часа и охлаждают вместе с печью.Каолин при нагреве превращаетсв в муллит, который преимущественно осаждается в местах...

Номер патента: 718760

Опубликовано: 29.02.1980

Авторы: Макарова, Рагозин

МПК: G01N 1/32

Метки: выявления, дислокаций, молибдене, сплавах, электролит

...всех плоскостях и был бы безопасен в работе.Для достижения поставленной цели в электролит для выявления дислокаций в молиб. дене н его сплавов в качестве травяшего аген. та н растворителя введены соответственно муравьинокиспый натрий и вода при следующемсоотношении компонентовМуравьннокислыйнатрий 10-30Вода Остальное П р и м е р, Шлиф из монокристалла молибдена. предварительно полируют, например,в электропйте, содержащем, см:Серная кислота( Р 1 84 / 3)Вода 140Условия полирования: напряжение 12 В,температура электролита 50 С, время полирования 20 - 40 с. После эпектролитнческого по.15пирования шлиф электролитически травят впредложенном электролите при плотности тока5 А/см в течение 20 с при температуре элек.тропита 25 С,затем шлиф...

Номер патента: 941434

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Головей, Мудрый, Некрасова, Тешнеровский

МПК: C30B 33/00

Метки: выявления, дислокаций, монокристаллах, состав, тройных, халькогенидных

...в следующем соотношении, вес.3:Азотнокислый аммоний. 3Двухромовокислый калий 0,02Серная кислота ОстальноеОбразцы монокристалла тиогаллата кадмия с естественным сколом и вырезанные по плоскости (112шлифуют, полируют до достижения шероховатости поверхности 14 а класса и класса чистоты Р 1 У, Затеи образцы тщательно обезжиривают промывкой в этиловом спирте и погружают в приготовленный раствор, Образцы выдерживают в растворе в течение 10 мин при 2 Ф С. Затем промывают дистиллированной водой, просушивают и исследуют протравленную плоскость на металлографическом микроскопе ИИИ. На образцах четко выявляются дислокационные ямки травления.П р и м е р 2Для приготовления состава компоненты берут в следующем соотношении, вес.3:Азотнокислый...

Номер патента: 947233

Опубликовано: 30.07.1982

Авторы: Бароненкова, Борисова, Кондрашина, Фролова

МПК: C30B 33/00

Метки: 100, выявления, дислокаций, кремнии, плоскости, травитель

...предлагаемого травителя позволяет испольэовать его для выявлениядислокационной структуры эпитаксиальных слоев кремния, при использовании его для выявления дислокационной структуры в монокристаллах кремния повышается производительность процесса и экономится коемний и химический реагент. 1 ОП р и м е р. 1. Во фторпластовый стакан помешают 49-ого НГ 140 мл и Сг 033,3-ого раствора в воде 10 мл. Полученный травитель содержит 15 , НГ 526 г/л, СгО 23 г/л. Образецэпитаксиальную структуру с кристаллографической ориентацией (100)опускают в травитель и выдерживают 1,5 мин при постоянном помешивании. После этого образец промывают дистил.н Яэ данных таблицы можно сделать выйбд, что оптимальным составом травителя является раствор,...

Номер патента: 971923

Опубликовано: 07.11.1982

Авторы: Доливо-Добровольская, Перелыгин

МПК: C30B 33/00

Метки: дислокаций, кристаллах

...3 4производится экспрессное определение присутствующих в кристалле типов дислокаций. В случае преобладания того или иного типа по всему объему кристалла или в части его исследователь может прогнозировать возможные отклонения в физических свойствах кристалла(например, легкость скольжения, неоднород. ность электрофизических параметров),П р и м е р. Определяют типы дислока. ций в кристаллах германия, ориентированного по плоскости (1).Производят шлифовку по стандартной методике, затем химическую полировку шлифоваль.1 ных поверхностей по стандартной методике. Соотношение скоростей травления для германия в полирующем травителе следующее: травитель СР - 4, скорость полировки участков без дислокаций Чп в 100 мкм/мин; скорость травления участков...

Номер патента: 976369

Опубликовано: 23.11.1982

Автор: Кузнецов

МПК: G01N 29/04

Метки: дислокаций, материале, плотности, подвижных

...и регистрируют сигналы акустической эмиссии, по которым судят оплотности подвижных дислокаций, измеряютмаксимальное значение наиболее вероятнойамплитуды сигналов, а начальную плотность Я, подвижных дислокаций определяютиз соотношения97Коэффициент пропорциональности Р усганавливается при предварительном Испагании материалов с известной плотностью подвижных дислокаций,Таким образом, предлагаемый способ позволяет повысить достоверность измерения начальной плотности подвижных дислокаций в материале. 3гдев , скорость деформации;С - скорость звука в материале;- значение наиболее вероятной амйЬплит уды;Р - коэффициент пропорциональности.Способ заключается в следующем.Нагружают материал, принимают и ре гистрируюг сигналы...

Номер патента: 1067395

Опубликовано: 15.01.1984

Авторы: Бурханов, Дементьев, Мироничева, Оттенберг, Савицкий

МПК: G01N 1/32

Метки: выявления, дислокаций, молибдене, сплавах, электролит

...ориентировку кристаллографической плоскостишлифа по форме фигур травления, за 35трудняет подсчет, плотности дислока-ций, Кроме того, поверхность образцов при использовании электролитов"а " и "Ь" покрывается труднорастворимой пленкой, 40Наиболее близким к предложенномуэлектролиту по технической сущностии достигаемому результату являетсяэлектролит, содержащий, мас.ЪСерная, кислота, концентрированная 21Уксусная кислота, конлографических плоскостях, получать правильно ограненные фигуры травле- ния и точно оценивать ориентировку кристаллографических плоскостей по форме фигур травления.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу в электролит для выявления дислокации в молибдене и его сплавах, содержащий серную кислоту,...

Номер патента: 1260785

Опубликовано: 30.09.1986

Авторы: Драненко, Новиков

МПК: G01N 23/225

Метки: дислокаций, монокристаллах, типа

...3, регистрирующее устройство 4, вакуумную колонну 5, держатель образца 6Определение типа дислокаций в кристаллах со структурой сфалерита проводят с помощью метода тока, индуцированного электронным зондом. Спбсоб заключается в следующем. Сканирующим электронным лучом 1 облучают монокристалл 6, в котором при этом генерируются электронно-дырочные пары, создающие ток. Полученный сигнал подается на операционный усилитель 3, после чего регистрируется, например, на оспиллоскопе, На усилитель 3 подается ток неравновесных носителей заряда, разделенных полем барьерной структуры, существующей вокруг ядра дислокаций.В качестве примера может служить определение типа дислокаций в образцах СаАз Сг 7 кристаллы которых имеют структуру сфалерита с...

Номер патента: 1539625

Опубликовано: 30.01.1990

Авторы: Кордюк, Кучеренко

МПК: G01N 25/00

Метки: выявления, дислокаций

...1 (54) (57) физи спос ТОРСКОМУ СВИДЕТ 4336169/31-2530.11.8730,01,90. БюДнепропетровй .институтЕ.С. Кучеренко г536.42 (088.8)Авторское свиде339, кл. С 01 Ичеренко Е.С. - Фалловедение, 1985-159.С 11 ОСОВ ВЫЯВЛЕНИЯИзобретение отнескому анализу,бам выявления ди жет бьггь использовано для выядислокаций в однофазных металлсплавах с плотностью дислокац10 з см- . Цель изобретения ние достоверности выявления дислокаций, Образец из однофазного металлического сплава нагревают со скорость150-300 С/с до температуры на 6-15 Свыше температуры солидуса и выдерживают при этой температуре в течениевремени Т = 1/411 п, где Р - коэффициент диФфузии втвердой фазе, и -плотность дислокаций. После этого оществляют закалку, приготовлениемикрошлиАа, травление и...

Номер патента: 1567925

Опубликовано: 30.05.1990

Авторы: Драпкин, Фокин

МПК: G01N 5/04

Метки: деформированных, дислокаций, латунях, плотности

...зоны,равными О, г/м мин и ственно. Потерю массы и шивания на аналитическ а глубину обесцинкова) мощью окуляр-микрометпрова иной на 50% в водный раствор 2,7 г/л. Через 1 сут и массы и глубины которые оказались 8 Осм соответзмеряли путем взвеих весах ВЛА, ной эоны - с по- а на металлографи,801567 сы на единицу площад вором; х - глубина сел го слоя; гп - масса од щего в раствор; д - д дящего в раствор; а - ческой решетки сплав герса. Способ позволяе дислокаций, большую,ческом микроскопе ММР. Плотносткаций (р) определяли по формуле4 ЛМ д ах гп Ьгде ЛН - потеря массы на единицу пграничащей с раствором;х - глуби на обесци икова н ноггп - масса атома цинка, перехв раствор;д - диаметр атома цинка;а - параметр кристаллическойки сплава;Ь - вектор...

Номер патента: 1661703

Опубликовано: 07.07.1991

Авторы: Бенч, Зыков, Крейнин, Петухов

МПК: G01V 3/26

Метки: выявления, газовых, дизьюнктивных, дислокаций, месторождений, нефтяных

...н; Л,0,а затем рассчитывают электрическиеПараметры для всей покрышки в целом деляют обобщенные электрические параметры слоистого разреза (Б,Т, , ), ), 3 ) части пород-покрьппек до нижней границы реперного пласта, Аоновые и аномальные значения этих параметров, выявляют линейные зоны их аномальных значений и по экстремальным значениям полученных величин судят о местоположении дизъюнктивных дислокаций. Для этого строят граАикиили карты параметров Б, Т, ), 0 , 0например, как показано на чертеже. В пределах контура 1 залежи неАти и газа по результатам обработки диаграмм электрокаротажа в скважинах 3-13, 15-20 построены изолинии 21-25 среднего поперечного сопротивления, Здесь скважины 3,5,6,8,9,15,17,18,20 имеют Аоновое значение параметра(от...

Номер патента: 1675928

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Вабищевич, Кротов, Мележко, Мусаев, Семенов

МПК: G09B 23/26

Метки: анализа, дислокаций, моделирования, твердом, теле

...6, связанную с втулкой, источник света и экран,Кольца 3 имеют возможность поворотадруг относительно друга. Одна из сеток 2включает два сектора 7 и 8 с общей вершиной на оси вращения колец 3, структураодного иэ которых смещена относительноосновной вдоль границы на полпериода, аструктура другого повернута на полпериодавокруг вершины,Устройство работает следующим образом.Квадратные сетки 2 первоначально совмещены. Световой поток от источника све1675928 30 та пропускают через прозрачные пластины1, проецируя объективом иэображение сеток 2 на экран.Вращая сетки 2 путем поворота колец 3 друг относительно друга, наблюдают эа пол .учаемой на экране картиной муара, Изменяя угол поворота а, наблюдают эа изменением вторичного периода б муара по...

Номер патента: 1744665

Опубликовано: 30.06.1992

Автор: Зыков

МПК: G01V 3/08, G01V 3/26

Метки: выявления, газовых, дизьюнктивных, дислокаций, месторождений, нефтяных

...электрических свойств пород- покрышек в зонах дизъюнктивных дислокаций вследствие вертикальной миграции по ним углеводородов (УВ) и различных физико-химических процессов их взаимодействия с породами, вплоть до образования новых минералов, Отличительные электрические свойства (проводимость, сопротивление) пород-покрышек в зонах нарушений от аналогичных свойств тех же пород в нормальных (ненарушенных) условиях являются основой эффективного применения методов полевой электроразведки, например магнитотеллурических для обнаружения и трассирования таких зон на ранних стадиях поиска и разведки, в том числе и до бурения скважин,Сущность изобретения заключается в следующем.На месторождении, где предполагается выявить зоны дизъюнктивных...